一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置，以解决现在技术的阵列基板中静电防护单元容易被损坏而失效，导致显示面板显示异常的问题。所述阵列基板，包括：信号线和公共电极线；静电防护单元，其第一防护端与信号线电性连接，其第二防护端与公共电极线电性连接；静电防护单元用于对信号线进行静电防护；修复单元，其第一修复端的引线与相邻的静电防护单元的第一防护端的引线相互交叉且彼此绝缘，其第二修复端的引线与公共电极线相互交叉且彼此绝缘，用于在静电防护单元出现异常时，通过使所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的静电防护单元的第一防护端的引线熔接，以及使所述修复单元的第二修复端的引线与公共电极线熔接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)或有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)具有低辐射、体积小及低耗能等优点，已逐渐在部分应用中取代传统的阴极射线管显示器(CathodeRayTubedisplay，CRT)，因而被广泛地应用在笔记本电脑、个人数字助理(PersonalDigitalAssistant，PDA)、平面电视或移动电话等信息产品上。在LCD显示面板或OLED显示面板中，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板是核心器件之一。在显示面板正常工作时，会存在静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)现象，静电放电是造成大多数电子组件或电子系统受到过度电性应力(ElectricalOverstress，EOS)破坏的主要因素，对TFT阵列基板而言，同样存在较大的破坏力。为了减少静电放电的破坏，TFT阵列基板上设置有静电防护单元。但是在显示面板制备过程中或者静电放电时，均可能对静电防护单元造成损坏(例如静电防护单元内部短路或断路)，导致静电防护单元失效并造成显示面板的显示异常。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置，以解决现在技术的阵列基板中，静电防护单元容易被损坏而失效，导致显示面板显示异常的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：信号线和公共电极线；以及，静电防护单元，所述静电防护单元具有第一防护端和第二防护端，所述静电防护单元的第一防护端与所述信号线电性连接，所述静电防护单元的第二防护端与所述公共电极线电性连接；所述静电防护单元用于对所述信号线进行静电防护；以及，修复单元，所述修复单元具有第一修复端和第二修复端，所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线相互交叉且彼此绝缘，所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线相互交叉且彼此绝缘；所述修复单元用于在所述静电防护单元出现异常时，通过使所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线熔接，以及使所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线熔接，以修复出现异常的所述静电防护单元。本实施例中，阵列基板上设置有用于修复所述静电防护单元的所述修复单元，在所述静电防护单元出现异常时，可以利用使所述修复单元的第一修复端和第二修复端的引线与相对应的第一防护端的引线或公共电极线熔接的方式，修复出现异常的所述静电防护单元，确保显示面板的正常显示。优选的，所述静电防护单元包括正向静电防护子单元和负向静电防护子单元中的至少一个；其中，所述正向静电防护子单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅电极和源电极均与所述静电防护单元的第一防护端电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏电极与所述静电防护单元的第二防护端电性连接；所述负向静电防护子单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅电极和源电极均与所述静电防护单元的第二防护端电性连接，所述第二薄膜晶体管的漏电极与所述静电防护单元的第一防护端电性连接。本实施例中，所述静电防护单元可以包括所述正向静电防护子单元和所述负向静电防护子单元中的任意一个或组合，从而提供灵活的静电防护方式；同时，以薄膜晶体管作为静电防护的元件，容易实现，成本较低。优选的，所述静电防护单元仅包括正向静电防护子单元，所述修复单元包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅电极和源电极连接在一起作为所述修复单元元的第一修复端，所述第三薄膜晶体管的漏电极作为所述修复单元的第二修复端；或者，所述静电防护单元仅包括负向静电防护子单元，所述修复单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅漏电极作为所述修复单元的第一修复端，所述第四薄膜晶体管的栅电极和源电极连接在一起作为所述修复单元的第二修复端。本实施例中，所述静电防护单元可以包括所述正向静电防护子单元和所述负向静电防护子单元中的任意一个，所述修复单元具有与所述静电防护单元相似的结构，结构简单。优选的，所述静电防护单元包括所述正向静电防护单元和所述负向静电防护子单元，所述修复单元分为第一修复单元和第二修复单元，所述第一修复单元和所述第二修复单元分别设置于不同的相邻的两个所述静电防护单元之间，且所述第一修复单元和所述第二修复单元间隔排列；所述第一修复单元包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅电极和源电极连接在一起作为所述第一修复单元元的第一修复端，所述第三薄膜晶体管的漏电极作为所述第一修复单元的第二修复端；所述第二修复单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅漏电极作为所述第二修复单元的第一修复端，所述第四薄膜晶体管的栅电极和源电极连接在一起作为所述第二修复单元的第二修复端。本实施例中，所述静电防护单元可以包括所述正向静电防护子单元和所述负向静电防护子单元，能够较全面的对所述信号线进行静电防护；所述修复单元分为对应所述正向静电防护子单的所述第一修复单元和对应所述负向静电防护子单元的所述第二修复单元，能够同时修复所述静电防护单元中所述正向静电防护子单元和所述负向静电防护子单元的异常。优选的，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。优选的，所述第三薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。优选的，所述信号线为数据线或栅线。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。本专利技术实施例有益效果如下：阵列基板上设置有用于修复所述静电防护单元的所述修复单元，在所述静电防护单元出现异常时，可以利用使所述修复单元的第一修复端和第二修复端的引线与相对应的第一防护端的引线或公共电极线熔接的方式，修复出现异常的所述静电防护单元，确保显示面板的正常显示。本专利技术实施例还提供一种阵列基板的修复方法，包括：断开所述静电防护单元中出现异常的所述正向静电防护子单元与所述信号线的连接；和/或，断开所述静电防护单元中出现异常的所述负向静电防护子单元与所述公共电极线的连接；选择与出现异常的所述静电防护单元相邻的至少一个所述修复单元，使选择的所述修复单元的第一修复端的引线与所述静电防护单元的第一防护端的引线熔接，使所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线熔接。本专利技术实施例有益效果如下：阵列基板上设置有用于修复所述静电防护单元的所述修复单元，在所述静电防护单元出现异常时，可以利用使所述修复单元的第一修复端和第二修复端的引线与相对应的第一防护端的引线或公共电极线熔接的方式，修复出现异常的所述静电防护单元，确保显示面板的正常显示。附图说明图1为本专利技术实施例提供的阵列基板中，静电防护单元和修复单元的结构示意图；图2为本专利技术实施例所述静电防护单元仅包括正向静电防护单元的具体结构示意图；图3为本专利技术实施例所述静电防护单元仅包括负向静电防护单元的具体结构示意图；图4为本专利技术实施例所述静电防护单元包括正向静电防护单元和负向静电防护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：信号线和公共电极线；以及，静电防护单元，所述静电防护单元具有第一防护端和第二防护端，所述静电防护单元的第一防护端与所述信号线电性连接，所述静电防护单元的第二防护端与所述公共电极线电性连接；所述静电防护单元用于对所述信号线进行静电防护；以及，修复单元，所述修复单元具有第一修复端和第二修复端，所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线相互交叉且彼此绝缘，所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线相互交叉且彼此绝缘；所述修复单元用于在所述静电防护单元出现异常时，通过使所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线熔接，以及使所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线熔接，以修复出现异常的所述静电防护单元。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：信号线和公共电极线；以及，静电防护单元，所述静电防护单元具有第一防护端和第二防护端，所述静电防护单元的第一防护端与所述信号线电性连接，所述静电防护单元的第二防护端与所述公共电极线电性连接；所述静电防护单元用于对所述信号线进行静电防护；以及，修复单元，所述修复单元具有第一修复端和第二修复端，所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线相互交叉且彼此绝缘，所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线相互交叉且彼此绝缘；所述修复单元用于在所述静电防护单元出现异常时，通过使所述修复单元的第一修复端的引线与相邻的所述静电防护单元的第一防护端的引线熔接，以及使所述修复单元的第二修复端的引线与所述公共电极线熔接，以修复出现异常的所述静电防护单元。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述静电防护单元包括正向静电防护子单元和负向静电防护子单元中的至少一个；其中，所述正向静电防护子单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅电极和源电极均与所述静电防护单元的第一防护端电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏电极与所述静电防护单元的第二防护端电性连接；所述负向静电防护子单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅电极和源电极均与所述静电防护单元的第二防护端电性连接，所述第二薄膜晶体管的漏电极与所述静电防护单元的第一防护端电性连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述静电防护单元仅包括正向静电防护子单元，所述修复单元包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅电极和源电极连接在一起作为所述修复单元的第一修复端，所述第三薄膜晶体管的漏电极作为所述修复单元的第二修复端；或者，所述静电防护单元仅包括负向静电防护子单元，所述修复单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅漏电极作为所述修复单元的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖翠丽，吴仲远，尹静文，王龙彦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11