半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种在W-CSP那样的封装尺寸与半导体芯片大致相同的半导体器件中，能确保更宽的印字区的半导体器件的结构。该半导体器件包含：矩形的半导体基板；多个正面电极，形成在所述半导体基板的正面；多个贯通孔，在所述半导体基板的内部从所述半导体基板的反面到达各个所述正面电极；导电体，覆盖各个所述贯通孔的内壁；反面布线网，设置在所述半导体基板的反面并且与所述导电体连接；绝缘膜，覆盖所述反面布线网；印字标记，不被配置于所述反面布线网的上方，而是形成在所述绝缘膜上的印字区；以及焊锡，与所述反面布线网连接并且与所述印字区邻接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包含：矩形的半导体基板；多个正面电极，形成在所述半导体基板的正面；多个贯通孔，在所述半导体基板的内部从所述半导体基板的反面到达各个所述正面电极；导电体，覆盖各个所述贯通孔的内壁；反面布线网，设置在所述半导体基板的反面并且与所述导电体连接；绝缘膜，覆盖所述反面布线网；印字标记，不被配置于所述反面布线网的上方，而是形成在所述绝缘膜上的印字区；以及焊锡，与所述反面布线网连接并且与所述印字区邻接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：坂本吉史，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP