一种超低衰减单模光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为3.8～4.5μm，Δ1为-0.05％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径R2为8～15μm，Δ2为-0.35％～-0.15％，第一下陷内包层半径R3为13～20μm，Δ3为-0.8％～-0.35％，中间内包层半径R4为16～23μm，Δ4为-0.45％～-0.15％；第二下陷内包层半径R5为20～30μm，Δ5为-0.6％～-0.25％；辅助外包层半径R6为35～50μm，Δ6范围为-0.45％～-0.15％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明专利技术在获得较低衰减系数的同时，各个光学参数满足G.652.B标准要求，并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及光纤传输
，具体设及一种超低衰减单模光纤，其可支持100G 及超100G长距离大容量传输。
技术介绍
大数据时代已经到来，互联网、物联网、云管端、4GLTE等技术对数据传输容量提 出了更高的需求。2013年，100抓it/s高速通信已经进入商用时代，不断提高传输速率及传 输容量和频谱效率是业内一直不断追求的目标。 在100G高速传输系统中，相干接收系统及数字信号处理DSP得到普遍应用，由于 色散和偏振模色散可W在输出端的电域中进行线性补偿，其二者可W认为不再是长距离高 速传输系统性能的主要限制因素，现在更多的难点和热点集中在如何降低光纤的衰减和非 线性效应，该两个难W用信号处理补偿的因素。 在同样的输入端OSNR情况下，光纤链路中衰减的降低可W转换到接收端的光信 噪比OSNR，从而提高输出端的OSNRW及提高系统的OSNR的冗余量。在长距离通信中，利用 光纤构筑数千公里的长距离链路，光信号的传输是靠中继站完成的。如果将光纤链路中累 积的信号衰减控制到最小，就可W增大相邻两个中继站之间的距离，从而可W减小中继站 的数量，最终可W大大减小中继站的运营建设及维护的成本。尤其对于一些环境艰苦、人烟 稀少的地方，其优势显而易见。对于运营商，低损耗带来的经济效益不言而喻： -100G速率下；S种光纤（普通光纤，低损耗光纤，超低损耗光纤）均能达到 1000kmW上。 -400G速率；化光纤减少约20%的再生站数；而化L减少约40%的再生站数。 因此，优化光纤衰减性能后的超低衰减光纤对于运营商来说，不论从优化系统结 构还是降低运营维护成本，都具有很重要的意义。[000引对于光纤制造企业，具体而言，如何降低光纤的衰减：对于石英光纤在 600nm-1600nm的衰减主要来自于瑞利散射，由瑞利散射所引起的衰减aC可由下式计算： 式中，A为波长（ym)，R为瑞利散射系数（地/km/ym4) ;P为光强；当瑞利散射系 数确定时，B为相对应的常数。因而只要确定了瑞利散射系数R就可得到因瑞利散射所引 起的衰减ag(地/km)。瑞利散射一方面是由于密度波动引起的，另一方面是由于浓度波动 引起的。因而瑞利散射系数R可表示为： R = Rd+Rc[001引上式中，Rd和R。分别表示由于密度波动和浓度波动所引起的瑞利散射系数变化。 其中R。为浓度波动因子，其主要受到光纤玻璃部分渗杂浓度的影响，理论上采用越少的Ge 和F或者其他渗杂，R。越小，该也是目前国外某些企业采用纯娃巧设计，实现超低衰减性能 的原因。 但是我们需要注意到，瑞利散射系数中还包括另外一个参数Rd。Rd与玻璃的假想 温度Tp相关，且伴随玻璃的结构变化和温度变化而变化。玻璃的假想温度TP是表征玻璃结 构一个物理参数，定义为从某温度T'将玻璃迅速冷却到室温玻璃的结构不再调整而达到某 平衡状态对应的温度。当T'〉Tf(玻璃的软化温度），由于玻璃的粘度较小，玻璃结构易于调 整，因而每一瞬间玻璃均处于平衡状态，故Tp=T';当T'<Tg(玻璃的转变温度），由于玻璃 的粘度较大，玻璃结构难于调整，玻璃的结构调整滞后于温度变化，故Tp〉r;当Tg<r<Tf(玻 璃的软化温度），玻璃趋向于平衡所需要的时间较短一些，具体与玻璃的组分和冷却速度有 关，故Tf〉T' 或Tf<T'。 在使用纯娃巧设计时，为了保证光纤的全反射，必须使用相对较低折射率的F渗 杂内包层进行匹配，W保证巧层和内包层之间保持足够的折射率差异。该样纯娃巧的巧层 部分粘度相对较高，而同时大量F渗杂的内包层部分粘度较低，造成光纤结构粘度匹配失 衡，从而使纯娃巧结构的光纤虚拟温度迅速增加，造成光纤的Rd增加。该样就不仅抵消掉 R。降低带来的好处，更可能造成光纤衰减反向异常增加。 文献US2010022533提出了一种大有效面积光纤的设计，为了得到更低的瑞利系 数，其采用纯娃巧的设计，在巧层中没有进行错和氣的共渗杂，并且其设计采用渗氣的二氧 化娃作为外包层。对于该种纯娃巧的设计，其要求光纤内部必须进行复杂的粘度匹配，并要 求在拉丝过程中采用极低的速度，避免高速拉丝造成光纤内部的缺陷引起的衰减增加，制 造工艺极其复杂。 文献EP2312350提出了一种非纯娃巧设计的大有效面积光纤设计，其采用阶梯 状下陷包层结构设计，且有一种设计采用纯二氧化娃外包层结构。按照其设计，R2/R1大 于6,且其设计中氣渗杂的包层部分最大半径为36ym，可W保证光纤的截止波长小于等于 1530nm，兼容G654标准。但其M抑较大，不能兼容G652标准，且受到其较小氣渗杂半径的 影响，光纤的微观和宏观弯曲性能变差，所W在光纤成缆过程中，会导致衰减增加，在其文 献中也未提及相关弯曲性能。 文献US2008031582A1，US6449415和US4690504都提出了一种采用二氧化娃作为 外包层材料的剖面设计，其均为纯二氧化娃巧层或F渗杂的二氧化娃巧层，没有进行Ge渗 杂，所W其在拉丝过程中需要较精密的控制，W减少缺陷的产生。且其巧层和内包层部分均 采用简单的阶跃剖面设计，没有采用相关下陷结构优化光纤的弯曲性能，在陆地干线上使 用时可能出现宏弯损耗过大的问题。 文献CN10232392A描述了一种光纤。该专利技术所述光纤采用了常规错氣共渗方式的 巧层设计，且通过牺牲了截止波长的性能指标实现的。其允许光缆截止波长在1450nmW 上，在其所述实施例中，成缆截止波长甚至达到了ISOOnmW上。在实际应用当中，过高的截 止波长难W保证光纤在应用波段中得到截止，便无法保证光信号在传输时呈单模状态。因 此，该类光纤在应用中可能面临一系列实际问题。此外，该专利技术所列举的实施例中，下陷包 层外径Rs最小为16. 3um，同样有所偏大。该专利技术没有能够在光纤参数（如，有效面积、截止 波长等）和光纤制造成本中得到最优组合。 从上面的分析我们可W发现，存在使用非纯娃巧和部分氣渗杂包层进行超低衰减 光纤工艺设计的可行性。但是受到光纤波导设计限制因素的影响，如果使用纯二氧化娃作 为外包层材料的话，如何在该样的设计下，控制光纤的光学参数，是我们面临的挑战。 因为如果使用没有氣渗杂的纯二氧化娃作为外包层材料，会面临3个问题。 第一，抑制基模截止；在光纤波导设计中，外包层材料和巧层材料折射率差值太 小，会造成光纤基模泄露，从而影响光纤的衰减。所W采用非渗F外包层材料设计的超低衰 减光纤，就必须在外包层和巧层中间位置，通过合理的光纤剖面设计，抑制基模泄露。 单一下陷包层结构设计和制造相对简单，所W在普通的，尤其常规衰减系数的大 有效面积光纤和抗弯曲单模光纤设计中非常常见。但是如果在超低衰减大有效面积光纤设 计中，尤其是采用纯二氧化娃材料作为外包层的超低衰减光纤中，因为巧层的折射率同纯 二氧化娃外包层的折射率差值不大，就更容易造成光纤波导设计中最头痛的基模泄露，弓I 起光纤长波长衰减异常。传统方法，可W使用下陷内包层的结构来抑制光纤的基模泄露截 止，但在设计和使用下陷内包层结构时，也会存在矛盾。从抑制基模泄露的角度，我们希望 使用较大，较深的下陷结构，但该样就会造成光纤的截止波长过高。对于截止波长较高光 纤，如G654光纤，其标准规本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为3.8～4.5μm，芯层相对折射率差Δ1为‑0.05%～0.12%，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径R2为8～15μm，相对折射率差Δ2为‑0.35%～‑0.15%，所述的第一下陷内包层半径R3为13～20μm，相对折射率差Δ3为‑0.8%～‑0.35%，中间内包层半径R4为16～23μm，相对折射率差Δ4为‑0.45%～‑0.15%；第二下陷内包层半径R5为20～30μm，相对折射率差Δ5为‑0.6%～‑0.25%；所述的辅助外包层半径R6为35～50μm，相对折射率差Δ6范围为‑0.45%～‑0.15%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，龙胜亚，朱继红，吴俊，王瑞春，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42