光固化性组合物以及固化物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种固化性组合物及固化物，该固化性组合物能够形成具有光固化性、且绝缘性优异的固化物。本发明专利技术的目的可通过光固化性组合物来实现，作为所述光固化性组合物的必需成分，含有：(A)具有光聚合性官能团以及SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)具有碳-碳双键的化合物、以及(C)光聚合引发剂。用本发明专利技术的固化性组合物制作的薄膜具有优异的绝缘性。本发明专利技术的固化性组合物可通过溶液涂布成膜，因此可用作可溶液成膜的薄膜绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】
光固化性组合物以及固化物本申请是中国申请号为200980139066.6、专利技术名称为“光固化性组合物以及固化物”且申请日为2009年9月30日的专利申请的分类申请。
本专利技术涉及一种光固化性组合物，该光固化性组合物能够形成光学透明性、绝缘性优异的固化物。背景技術对于使硅氧烷化合物与具有环氧基的链烯基化合物反应而得到的环氧基聚硅氧烷化合物，通过混合光阳离子聚合引发剂，可以作为UV固化性树脂发挥作用，这在以往就已经知道了(专利文献1)。但就这些化合物而言，在用于电气元件的绝缘膜等时，在漏泄电流方面还有进一步改良的余地(专利文献3)。另外，关于通过使具有SiH基的硅氧烷化合物部分地变换为环氧基而得到的化合物与多烯化合物进行氢化硅烷化，从而得到固化性组合物的技术是已知的。但该固化性组合物不能作为光固化性树脂发挥作用，当然也不能用于通过平版印刷技术来形成微细图案(专利文献2)。现有技术文献专利文献[专利文献1]：US5037861号公报[专利文献2]：日本特开平6-263989号公报[专利文献3]：日本特开2006-291044号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题基于上述情况，本专利技术的目的在于：提供一种固化性组合物及固化物，该固化性组合物能够形成具有光固化性、优选可用于平版印刷技术、且绝缘性优异的固化物。解决问题的方法鉴于上述情况，本专利技术人等进行了深入研究的结果发现：通过使固化性组合物(含有分子内具有光聚合性官能团并且在同一分子内具有SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、具有碳-碳双键的化合物以及光聚合引发剂作为必需成分)发生光固化后，再通过加热进行后固化，由此可解决上述问题，于是完成了本专利技术。本申请的专利技术是具有以下构成的专利技术。1).光固化性组合物，其含有：(A)具有光聚合性官能团以及SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)具有碳-碳双键的化合物、以及、(C)光聚合引发剂。2).上述1)所述的固化性组合物，其中，成分(A)中的光聚合性官能团为选自环氧基、交联性硅基、(甲基)丙烯酰基、以及、氧杂环丁基(オキセタニル)中的至少一种。3).上述1)所述的固化性组合物，其中，成分(A)中的光聚合性官能团中的至少1个为脂环族环氧基、或缩水甘油基。4).上述1)或2)所述的固化性组合物，其中，成分(A)中的光聚合性官能团中的至少1个为烷氧基甲硅烷基。5).上述1)～4)中任一项所述的固化性组合物，其中，成分(B)为下述通式(I)[化学式1](式中，R3表示碳原子数1～50的一价有机基团，各个R3彼此可以相同也可以不同，至少1个R3含有与SiH基具有反应性的碳-碳双键)表示的化合物。6).上述1)～5)中任一项所述的固化性组合物，其中，成分(B)为具有Si-CH＝CH2基的化合物。7).上述1)～6)中任一项所述的固化性组合物，其中，成分(A)为改性聚有机硅氧烷化合物，所述改性聚有机硅氧烷化合物具有光聚合性官能团以及SiH基，并且具有选自下述式(X1)～(X3)表示的各结构、酚性羟基和羧基中的至少一种。[化学式2]8).上述1)～7)中任一项所述的固化性组合物，其中，成分(A)为下述化合物(α)～(γ)的氢化硅烷化反应产物：(α)每1分子中含有1个以上与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物，(β)每1分子中至少含有2个SiH基的有机硅氧烷化合物(γ)每1分子中含有光聚合性官能团和与SiH基具有反应性的碳-碳双键的化合物。9).上述8)所述的固化性组合物，其中，化合物(α)含有与SiH基具有反应性的碳-碳双键，并且是下述通式(I)表示的化合物，[化学式3](式中，R3表示碳原子数1～50的一价有机基团，各个R3彼此可以相同也可以不同，至少1个R3含有与SiH基具有反应性的碳-碳双键)。10).上述8)或9)所述的固化性组合物，其中，化合物(α)为具有Si-CH＝CH2基的化合物。11).上述8)～10)中任一项所述的固化性组合物，其中，化合物(α)为有机化合物，所述有机化合物的每1分子中含有1个以上与SiH基具有反应性的碳-碳双键，并且同一分子内具有选自下述式(X1)～(X3)表示的各结构、酚性羟基和羧基中的至少一种。[化学式4]12).上述8)～11)中任一项所述的固化性组合物，其中，化合物(β)为下述通式(III)表示的具有SiH基的环状聚有机硅氧烷化合物，[化学式5](式中，R4、R5表示碳原子数1～10的有机基团，彼此可以相同也可以不同，n表示1～10的数，m表示0～10的数)。13).上述8)～12)中任一项所述的固化性组合物，其中，化合物(γ)为下述通式(IV)表示的化合物，[化学式6](式中，R6、R7表示碳原子数1～6的有机基团，n表示1～3的数,m表示0～10的数)。14).一种固化物，其是由上述1)～13)中任一项所述的固化性组合物固化而成的。专利技术的效果根据本专利技术，所述固化性组合物具有光固化性，并且能够形成下述固化物，所述固化物具有透明性且绝缘性优异。具体实施方式(成分A)本专利技术的固化性组合物中使用的改性聚有机硅氧烷化合物，只要是一分子中具有至少2个光聚合性官能团且具有至少1个以上SiH基即可，没有特别限制。这里的改性聚有机硅氧烷化合物是指：由含有C、H、N、O、S作为构成元素的有机基团X和硅氧烷单元(Si-O-Si)构成的化合物或聚合物，结构上没有特别限制。在这些化合物中的硅氧烷单元中，构成成分中T单元(XSiO3/2)、或Q单元(SiO4/2)的含有率越高，所得固化物的硬度越高，耐热可靠性越优异，M单元(X3SiO1/2)、或D单元(X2SiO2/2)的含有率越高，固化物越柔软，可得到低应力的制品。另外，这里所说的光聚合性官能团是指：从外部施加光能量时，通过由光聚合引发剂产生的自由基或阳离子种而发生聚合或交联的官能团，而反应或交联形式没有特别的限制。其中，从反应性、化合物的稳定性方面考虑，特别优选光聚合性官能团中的至少1个为环氧基、交联性硅基、(甲基)丙烯酰基、氧杂环丁基、乙烯氧基(ビニロキシ基)。从稳定性方面考虑，优选环氧基中的脂环族环氧基、缩水甘油基，从由光以及热引发的阳离子聚合性优异方面考虑，特别优选脂环族环氧基。另外，作为交联性硅基，可以列举，烷氧基甲硅烷基、乙酰氧基甲硅烷基、苯氧基甲硅烷基、硅烷醇基、氯甲硅烷基等具有水解性的硅基，而从获得性、化合物的稳定性方面考虑，则特别优选烷氧基甲硅烷基。作为烷氧基甲硅烷基，可以列举，键合在硅上的官能团为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基的烷氧基甲硅烷基，从固化后残留成分不易残留方面考虑，优选甲氧基、乙氧基，其中特别优选甲氧基。改性聚有机硅氧烷化合物，只要具有至少2个光聚合性官能团即可，各光聚合性官能团可以相同，也可具有2种以上不同的官能团。本专利技术固化性组合物中含有的改性聚有机硅氧烷化合物，只要一个分子中具有至少2个上述光聚合性官能团即可、但优选3个以上、更优选5个以上。只要具有3个以上，就可得到交联密度高的固化物，且具有耐热性优异的优点。另外，就本专利技术的成分(A)而言，优选同一分子内具有选自下述式(X1)～(X3)表示的各结构、[化学式7]酚性羟基、羧基中的至少1种(以下，有时将“上述式(X1)～(X3)表示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
光固化性组合物，其含有：(A)每1分子中具有至少2个光聚合性官能团以及至少1个以上SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)每1分子中具有至少1个以上碳‑碳双键的化合物、以及(C)光聚合引发剂。

【技术特征摘要】
2008.10.02 JP 257771/081.一种绝缘膜，其由光固化性组合物固化而成，所述光固化性组合物含有：(A)每1分子中具有至少2个光聚合性官能团以及至少1个以上SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物、(B)每1分子中具有至少1个以上碳-碳双键的化合物、(C)光聚合引发剂、以及氢化硅烷化催化剂，其中，对电极间形成的0.5μm以下的绝缘膜施加30V电压时，电极间漏泄量为20nA/cm2以下。2.根据权利要求1所述的绝缘膜，其中，成分(A)中的光聚合性官能团为选自环氧基、交联性硅基、(甲基)丙烯酰基、以及氧杂环丁基中的至少一种。3.根据权利要求1所述的绝缘膜，其中，成分(A)中的光聚合性官能团中的至少1个为脂环族环氧基、或缩水甘油基。4.根据权利要求1或2所述的绝缘膜，其中，成分(A)中的光聚合性官能团中的至少1个为烷氧基甲硅烷基。5.权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜，其中，成分(B)为下述通式(I)表示的化合物，[化学式1]式中，R3表示碳原子数为1～50的一价有机基团，各个R3彼此可以相同也可以不同，至少1个R3含有与SiH基具有反应性的碳-碳双键。6.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜，其中，成分(B)为具有Si-CH＝CH2基的化合物。7.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜，其中，成分(A)为改性聚有机硅氧烷化合物，所述改性聚有机硅氧烷化合物的每1分子中具有至少2个光聚合性官能团以及至少1个以上SiH基，并且具有选自下述式(X1)～(X3)表示的各结构、酚性羟基和羧基中的至少一种，[化学式2]8.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜，其中，成分(A)为下述化合物(α)～(γ)的氢化硅烷化反应产物：(α)每1分子中含有1个以上与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物、(β)每...

【专利技术属性】
技术研发人员：井手正仁，真锅贵雄，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本;JP