兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置制造方法及图纸

技术编号:11972906 阅读:126 留言:0更新日期:2015-08-28 05:03
本实用新型专利技术涉及一种兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置,其中包括主控芯片、外置存储电路和具有内置存储电路的仿真芯片,所述的主控芯片和所述的仿真芯片相互连接,所述的外置存储电路分别与所述的主控芯片和所述的仿真芯片连接。采用该种结构的兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置,通过主控外置存储电路和仿真芯片内置存储电路两种方式有效跟踪记录仿真器实际执行过的指令,以便调试状态下查看程序运行轨迹,提高用户程序开发或调试效率,避免完全依赖于仿真MCU内部的FIFO存储模块,且结构简单,易于实现,功能性强,适用于各种仿真环境,具有更广泛的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及仿真电路设计领域,尤其涉及仿真器中的运行轨迹跟踪电路设计,具体是指一种兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置
技术介绍
一个ICE (In-Circuit Emulator,硬件调试方法)应包括两个接口,一个是连接到目标板上的 MCU (Microprogrammed Control Unit,微控制器)插座,另一个与 PC (PersonalComputer,个人电脑)相连。仿真器应该与目标MCU在电气及物理上等价,并能在开发系统中替代MCU。目标系统的操作可由PC得以控制及观察。在开发初期,开发系统依靠仿真器工作,当目标功能完善后,仿真器将被真正的MCU取代。ICE的质量很大程度上依赖于它与其要仿真的MCU之间的吻合程度,bond-out (外合)MCU (简称仿真芯片)能最大程度上提供ICE与商用MCU的无差别替换。Bond-out MCU是芯片设计公司为实现其商用MCU的仿真功能,将内部的数据、地址及控制总线连接到芯片封装的引脚上,使得外部仿真逻辑可以监视和控制MCU内部的状态。基于bond-out MCU的在线仿真器的结构系统包括三部分:bond-out MCU、存储用户程序的SRAM及仿真监控电路。Bond-out MCU的数据、地址总线连接到SRAM,作为外部程序储存器。同时数据、地址及控制总线连接到仿真监控电路,使ICE可以监视和控制bond-out MCU的运行状态。与PC相连的通讯接口根据速度及成本可选用串口、并口或USB接口。Bond-out MCU从本质上将是商用MCU的一种扩展,它包括所有商用MCU上的I/O并提供给用户使用,其电气与时序上应保证与商用MCU对应引脚完全一致。由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展,因此往往需要对最初的设计进行修改。基于OTP (One Time Programmable,一次性可编程)/MASK (掩膜)MCU仿真器设计的一种常见做法是,将用户的待调试程序存储在MCU外部主控板上的SRAM中,通过bond-out MCU的外部结构--仿真监控硬件(以下简称外部仿真逻辑)监视和控制仿真接口信号即bond-out的信号,来获取MCU的状态,进而实现仿真器单步(Step)、全速(Run)、断点、跟踪记录已执行的程序(Trace)等功能。这种非商用芯片专用于构成在线仿真器,当用户程序在仿真器中调试完成后,编程到商用MCU芯片中,应用到用户系统。通过查阅资料,现有仿真器程序运行轨迹跟踪(以下简称Trace)功能是采用MCU内部增加SRAM存储单元的方式实现的。Trace电路由存贮Trace内容的SRAM和Trace监控电路组成。Trace SRAM的数据总线与bond-out MCU地址总线并接,Trace SRAM的地址控制信号由Trace监控电路产生。在仿真器初始化时Trace SRAM的地址被设置为0,当用户要求开始记录已执行的程序,在每个指令周期中,Trace SRAM的地址自加一并将bond-out MCU地址写入SRAM中。在PC要读取Trace内容时,bond-out MCU依次执行过的程序地址被上载到PC端并对应列出该地址上的指令代码。Trace的记录长度受SRAM大小限制,当超出记录长度时前面的数据会被覆盖。现有技术方案缺点:(I)仿真器Trace功能的实现完全依赖于仿真MCU内部的FIFO存储模块,一旦该模块功能失效或因为某种考虑仿真MCU在设计之初没有增加该模块时,仿真器Trace功能将不复存在。(2)仿真器Trace功能模式单一,除了简单的程序运行轨迹跟踪,对断点前后指定长度范围内的程序指令的记录就无能为力了。
技术实现思路
本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种通过采用主控外置存储电路和仿真芯片内置存储电路两种方式有效跟踪记录仿真器实际执行过的指令,以便调试状态下查看程序运行轨迹,提高用户程序开发或调试效率的兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置。为了实现上述目的,本技术的兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置具有如下构成:该兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置,其主要特点是,所述的装置包括主控芯片、外置存储电路和具有内置存储电路的仿真芯片,其中,所述的主控芯片和所述的仿真芯片相互连接,所述的外置存储电路分别与所述的主控芯片和所述的仿真芯片连接。进一步地,所述的主控芯片和所述的外置存储电路设置于主控板上,所述的具有内置存储电路的仿真芯片设置于仿真板上,所述的主控板与所述的仿真板之间通过仿真控制接口连接。更进一步地,所述的主控板还包括FLASH模块、SRAM模块、配置模块和通讯接口,所述的FLASH模块、所述的SRAM模块、所述的配置模块和所述的通讯接口分别与所述的主控芯片连接。更进一步地,所述的外置存储电路包括彼此相互连接的数据存储器和由三态缓冲器组成的读写控制电路,且所述的数据存储器连接所述的仿真芯片,所述的读写控制电路分别连接所述的主控芯片和所述的仿真芯片。更进一步地,所述的内置存储电路包括RAM存储阵列、计数器、第一逻辑电路和第二逻辑电路,其中:所述的第一逻辑电路的第一输入端连接所述的主控芯片,所述的第一逻辑电路的第二输入端连接所述的仿真芯片,所述的第一逻辑电路的输出端连接所述的RAM存储阵列的WE引脚;所述的第二逻辑电路的第一输入端连接所述的主控芯片,所述的第二逻辑电路的第二输入端连接所述的仿真芯片,所述的第二逻辑电路的输出端分别连接所述的计数器的输入端和所述的RAM存储阵列的T引脚;所述的计数器的输出端与所述的RAM存储阵列的ADR引脚连接;所述的RAM存储阵列的DO引脚连接一个二选一开关的第一输入端;所述的仿真芯片内部的PC寄存器的输出端分别连接所述的二选一开关的第二输入端和所述的RAM存储阵列的DI引脚;所述的二选一开关的输出端连接所述的主控芯片;所述的RAM存储阵列的CS引脚与一个复位电路连接。更进一步地,所述的装置还包括用户仿真接口,所述的用户仿真接口与所述的仿真芯片连接。采用了本技术的兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置,利用主控外置FIFO存储电路和仿真MCU内置FIFO存储电路两种方案共同实现仿真器的Trace功能,同时优化仿真器Trace功能的显示模式,增加断点前后程序指令显示功能,该装置具有的两种方案相互补充,为用户提供了快速定位、分析程序运行轨迹的效果,有助于提高程序调试或开发效率,实现程序从仿真器到商用MCU芯片的无缝转移,故本技术具有以下效益:1、本技术采用两种方案,互为补充,使得仿真器Trace功能的实现较为灵活。2、仿真MCU中内置FIFO存储单元,电路结构简单,成本低、功耗小,读写操作方便。数据容量的大小可根据需要弹性设计。3、能够实现不同申旲式的程序轨迹跟踪功能,如:断点肖U 2k显不、断点肖U后各Ik显不O【附图说明】图1为本技术的兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置的结构示意图。图2为本技术的外置存储电路的结构图。图3为本技术的内置存储电路的结构图。【具体实施方式】为了能够更清楚地描述本技术的
技术实现思路
,下面结合具体实施例来进行进一步的描述。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种兼备外置存储电路和内置存储电路的仿真装置,其特征在于,所述的装置包括主控芯片、外置存储电路和具有内置存储电路的仿真芯片,其中,所述的主控芯片和所述的仿真芯片相互连接,所述的外置存储电路分别与所述的主控芯片和所述的仿真芯片连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐利顾晓红张喜祥张新宇赵海
申请(专利权)人:无锡华润矽科微电子有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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