冻伤低频脉冲电磁治疗仪制造技术

技术编号:11971687 阅读:148 留言:0更新日期:2015-08-28 00:17
本实用新型专利技术公开了一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,包括智能可调信号源发生电路、功率放大滤波电路、可调焦距聚焦电磁场发射线圈、单片机显示测控电路和电源模块,所述智能可调信号源发生电路的输出信号经功率放大滤波电路后传输至可调焦距聚焦电磁场发射线圈,所述单片机显示测控电路分别与智能可调信号源发生电路和功率放大滤波电路电连接,所述电源模块提供直流电源。通过低频脉冲电磁场的组织穿透特性实现了冻伤深部组织的治疗,克服了现有由表及里的用药治疗方式。达到便捷、有效、非接触、直接作用冻伤组织所用层的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及组织冻伤治疗领域,具体地,涉及一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪
技术介绍
一定参数的低频脉冲电磁场能够穿透非金属介质,到达受损组织,通过改变信使RNA水平和蛋白质合成,改变细胞膜结构,影响离子通道和渗透性,使细胞电和新陈代谢行为变化,导致细胞增殖率改变,从而促进受损组织再生愈合,使受损组织的细胞、血管网络和胶原质更早形成、加速组织的修复再生,且能够抑制血管收缩,促进血液循环,影响神经细胞新蛋白的合成和分布、引起末梢神经终板酶的改变及刺激神经轴突的生长,最终促进受损末梢神经的修复与再生。在高原、寒冷地带,冻伤不可避免的经常发生,是一种常见的创伤类型。冻伤主要是由于血液粘稠度增加造成微循环障碍,进而组织细胞冻死。在冻伤治疗方面,目前的冻伤复温疗法和表面敷药,由于集中于表面的复温治疗升温效果较慢,敷药只能由表及里分层恢复,难以对深部组织起到效用,因而无法快速、有效地解除深部组织的血液循环障碍和抑制血栓的形成,使冻伤造成的深部组织缺血性坏死及周围组织的炎症感染无法得到有效地控制。而手术切除方法往往造成过度治疗,增加了组织缺失和疤痕的形成,对远期组织结构及功能恢复造成影响。本技术方案的申请人在申请日为2014年3月13日,公告号为CN 203736713 U的专利中公开了一种可调焦距聚焦电磁场发射线圈。
技术实现思路
本技术的目的在于,针对上述问题,提出一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,以实现便捷、有效、非接触、直接作用冻伤组织所用层的优点。为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,包括智能可调信号源发生电路、功率放大滤波电路、可调焦距聚焦电磁场发射线圈、单片机显示测控电路和电源模块,所述智能可调信号源发生电路的输出信号经功率放大滤波电路后传输至可调焦距聚焦电磁场发射线圈,所述单片机显示测控电路分别与智能可调信号源发生电路和功率放大滤波电路电连接,所述电源模块提供直流电源。优选的,所述单片机显示测控电路包括单片机、DA转换电路、预放大电路、控制按键电路、晶振电路、复位电路、LCD显示器和扩展数据存储器,所述DA转换电路、控制按键电路、晶振电路、复位电路、LCD显示器和扩展数据存储器均与单片机电连接,所述预放大电路的输入端与DA转换电路的输出端电连接。优选的,所述功率放大滤波电路包括跟随器电路、粗调放大电路、第一四阶低通滤波电路、第二级放大电路、第二四阶低通滤波电路和功率放大电路,信号依次流经跟随器电路、粗调放大电路、第一四阶低通滤波电路、第二级放大电路、第二四阶低通滤波电路和功率放大电路。优选的,所述随器电路包括运放器IC1A、二极管Dl、二极管D2和电容Cl,所述电容Cl和运放器IClA的同相输入端间串联电阻R2,所述电容Cl和运放器IClA的同相输入端间的节点与地间串联二极管D1,所述二极管Dl的阳极接地,所述二极管D2与二极管Dl并联,且二极管D2的阴极接地,所述运放器IClA的输出端与运放器IClA的反相输入端间串联电阻R3,所述运放器IClA的输出端上串联电阻R4。优选的,所述粗调放大电路包括运放器IC1B、电阻R6、粗调变阻器VR和电容C2,所述电容C2串联在运放器IClB的输出端和运放器IClB的反相输入端之间,所述电阻R6和粗调变阻器VR组成的串联电路与电容C2并联。优选的,所述第一四阶低通滤波电路包括运放器IClC和运放器IC1D,所述运放器IClC的同相输入端上依次串联电阻R8、电阻R9、电阻RlO和电阻R11,所述电阻R9和电阻RlO间的节点和运放器IClC的输出端间串联电容C3,所述电阻Rll和运放器IClC的同相输入端间的节点与地间串联电容C4,所述运放器IClC的输出端与运放器IClD的同相输入端间依次串联电阻R13、电阻R14、电阻R15和电阻R16,所述电阻R14和电阻R15间的节点和运放器IClD的输出端间串联电容C5,所述电阻R16和运放器IClD的同相输入端间的节点与地间串联电容C6。优选的,所述第二级放大电路包括运放器IC3A、电阻R20和电容C7,所述运放器IC3A的同相输入端上串联电阻R18,所述运放器IC3A的反相输入端和运放器IC3A的输出端间串联电阻R20,所述电容C7和电阻R20并联。优选的,所述第二四阶低通滤波电路包括运放器IC3B和运放器IC3D,所述运放器IC3B的同相输入端上依次串联电阻R21、电阻R22、电阻R23和电阻R24,所述电阻R22和电阻R23间的节点和运放器IC3B的输出端间串联电容C8,所述电阻R24和运放器IC3B的同相输入端间的节点与地间串联电容C9,所述运放器IC3B的输出端与运放器IC3D的同相输入端间依次串联电阻R25、电阻R27、电阻R28和电阻R29,所述电阻R27和电阻R28间的节点和运放器IC3D的输出端间串联电容C10,所述电阻R29和运放器IC3D的同相输入端间的节点与地间串联电容CU。本技术的技术方案具有以下有益效果:本技术的技术方案,通过公开一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,通过低频脉冲电磁场的组织穿透特性实现了冻伤深部组织的治疗,克服了现有由表及里的用药治疗方式。达到便捷、有效、非接触、直接作用冻伤组织所用层的目的。下面通过附图和实施例,对本技术的技术方案做进一步的详细描述。【附图说明】图1为本技术实施例所述的冻伤低频脉冲电磁治疗仪的原理框图;图2为本技术实施例所述的单片机显示测控电路的电气原理图;图3为本技术实施例所述的跟随器电路的电子电路图;图4为本技术实施例所述的粗调放大电路的电子电路图;图5为本技术实施例所述的第一四阶低通滤波电路的电子电路图;图6为本技术实施例所述的第二级放大电路的电子电路图;图7为本技术实施例所述的第二四阶低通滤波电路的电子电路图;图8为本技术实施例所述的功率放大电路的电子电路图;图9为本技术实施例所述的冻伤低频脉冲电磁治疗仪使用参考图;图10为本技术实施例所述的冻伤低频脉冲电磁治疗仪操作界面示意图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术,并不用于限定本技术。如图1所示,一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,包括智能可调信号源发生电路、功率放大滤波电路、可调焦距聚焦电磁场发射线圈、单片机显示测控电路和电源模块,智能可调信号源发生电路的输出信号经功率放大滤波电路后传输至可调焦距聚焦电磁场发射线圈,单片机显示测控电路分别与智能可调信号源发生电路和功率放大滤波电路电连接,电源模块提供直流电源。如图2所示,单片机显示测控电路包括单片机、DA转换电当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冻伤低频脉冲电磁治疗仪,其特征在于,包括智能可调信号源发生电路、功率放大滤波电路、可调焦距聚焦电磁场发射线圈、单片机显示测控电路和电源模块,所述智能可调信号源发生电路的输出信号经功率放大滤波电路后传输至可调焦距聚焦电磁场发射线圈,所述单片机显示测控电路分别与智能可调信号源发生电路和功率放大滤波电路电连接,所述电源模块提供直流电源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:焦明克楼林胡劼焦琳耿西亮许文娟段瀚宇王忠明张鹏廖西江
申请(专利权)人:中国人民解放军兰州军区乌鲁木齐总医院
类型:新型
国别省市:新疆;65

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