本实用新型专利技术公开了芯片封装领域内的一种铜丝焊接保护装置，旨在解决进行多个芯片之间的焊线连接时，前一个植好铜球的芯片因暴露在空气中而氧化的问题，它包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。本实用新型专利技术的劈刀在对芯片植球过程中，待焊芯片周围始终覆盖有保护气体，有效避免进行多个芯片间的焊线连接时铜材氧化。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于芯片封装领域，具体涉及一种铜丝焊接保护装置。
技术介绍
半导体器件及集成电路的封装就是把芯片、引线框架经过金属焊丝连接后，再用塑封料进行包封，为芯片提供输出和支撑保护，铜丝焊接工艺就是利用铜丝作为焊丝进行半导体器件封装的一种压焊工艺。由于铜材在常温下自身易氧化，在焊线过程中，铜丝经劈刀尖端放电烧结时，形成的铜球很容易因高温氧化，导致焊点的牢固度大大降低，同时其接触电阻变大，影响芯片的电性能参数。现有技术中，有一种铜丝焊接保护装置，包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管。该装置工作时，向第一通气管中通入保护气体，劈刀在对待焊芯片植球打丝时，周围有保护气体，可以防止铜球氧化，其不足之处在于:目前的半导体器件往往是由多个芯片组装而得，需要在芯片之间连线，即要在某个芯片上先用铜丝植球，再从另一个芯片上焊丝，最终连接到已经植球的芯片上；该装置在对另一个芯片植球打丝时，之前已经植好的铜球容易因为暴露在空气中而氧化，造成局部电阻变大，影响芯片的电性能。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种铜丝焊接保护装置，使其进行多个芯片之间的焊线连接时，能够防止已经植好的铜球发生氧化，保护之前已经完成焊接的芯片。本技术的目的是这样实现的:一种铜丝焊接保护装置，包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。本技术工作时，第一通气管和第二通气管中均通入有保护气体，劈刀周围的贯穿洞内始终覆盖有保护气体，劈刀在对芯片植球过程中铜球不会发生氧化，劈刀对下一个芯片进行植球时，第二通气管中的保护气体进入空腔体的空腔内再从通气孔中垂直向下喷出，之前已经植好球的芯片被通气孔中喷射出的保护气体所保护。与现有技术相比，本技术的有益效果在于:劈刀在对芯片植球过程中，周围始终覆盖有保护气体，有效避免铜球铜丝氧化，劈刀完成前一个芯片的植球打丝，再对下一个芯片进行植球时，通气孔中喷出的保护气体垂直吹向之前焊接好的芯片上的铜球，防止前一个芯片上的铜球氧化，避免进行多个芯片的焊线连接时铜球氧化，从而避免局部电阻过大而影响芯片的电性能。作为本技术的进一步改进，与所述空腔体的侧面相对应的外侧设有第三通气管。在进行多个芯片之间的焊线连接时，空腔体会随着劈刀的移动而移动，第三通气管中的保护气体直接吹向待焊芯片，可以防止空腔体和劈刀离开已完成植球的芯片的瞬间，导致铜球发生氧化，确保芯片始终处在保护气体的氛围中，避免芯片上的铜球氧化。作为本技术的进一步改进，所述第一通气管、第二通气管和第三通气管内部均通有保护气体，所述保护气体为N2和H2的混合气体。N2和H2的混合气体可以更好地保护铜材不被氧化。作为本技术的进一步改进，所述空腔体设置为长方体状，空腔体的材料采用陶瓷。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。其中，I空腔体，2贯穿洞，3劈刀，4第一通气管，5通气孔，6第二通气管，7第三通气管，8待焊芯片。【具体实施方式】如图1所示，为本技术的一种铜丝焊接保护装置，包括内部中空的空腔体1，空腔体I上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞2，贯穿洞2内对应设有用于焊接待焊芯片8并可竖直上下运动的劈刀3，空腔体I的一侧设有延伸进入空腔体I的内腔并与贯穿洞2相连通的第一通气管4，空腔体I的下侧设有若干通气孔5，通气孔5周向均布设置在贯穿洞2下端洞口的外周，空腔体I的一侧设有与空腔体I内腔相连通的第二通气管6。与空腔体I的侧面相对应的外侧设有第三通气管7。第一通气管4、第二通气管6和第三通气管7内部均通有保护气体，所述保护气体为N2和H2的混合气体。空腔体I设置为长方体状，空腔体I的材料采用陶瓷。本装置工作时，第一通气管4和第二通气管6中均通入有保护气体，劈刀3周围的贯穿洞内始终覆盖有保护气体，劈刀3在对芯片植球过程中铜球不会发生氧化，劈刀3对下一个芯片进行植球时，第二通气管6中的保护气体进入空腔体I的空腔内再从通气孔5中垂直向下喷出，之前已经植好球的芯片被通气孔5中喷射出的保护气体所保护。本装置的优点在于:劈刀3在对芯片植球过程中，周围始终覆盖有保护气体，有效避免铜球铜丝氧化，劈刀3完成前一个芯片的植球打丝，再对下一个芯片进行植球时，通气孔5中喷出的保护气体垂直吹向之前焊接好的芯片上的铜球，防止前一个芯片上的铜球氧化，避免进行多个芯片的焊线连接时铜球氧化，从而避免局部电阻过大而影响芯片的电性能。本技术并不局限于上述实施例，在本技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种铜丝焊接保护装置，包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，其特征在于:所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。2.根据权利要求1所述的一种铜丝焊接保护装置，其特征在于:与所述空腔体的侧面相对应的外侧设有第三通气管。3.根据权利要求2所述的一种铜丝焊接保护装置，其特征在于:所述第一通气管、第二通气管和第三通气管内部均通有保护气体，所述保护气体为N2和H2的混合气体。4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种铜丝焊接保护装置，其特征在于:所述空腔体设置为长方体状，空腔体的材料采用陶瓷。【专利摘要】本技术公开了芯片封装领域内的一种铜丝焊接保护装置，旨在解决进行多个芯片之间的焊线连接时，前一个植好铜球的芯片因暴露在空气中而氧化的问题，它包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。本技术的劈刀在对芯片植球过程中，待焊芯片周围始终覆盖有保护气体，有效避免进行多个芯片间的焊线连接时铜材氧化。【IPC分类】H01L21-60, B23K37-00【公开号】CN204584580【申请号】CN201520236057【专利技术人】高潮, 黄素娟 【申请人】扬州江新电子有限公司【公开日】2015年8月26日【申请日】2015年4月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铜丝焊接保护装置，包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，其特征在于：所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高潮，黄素娟，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。