可调光衰减器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种可调光衰减器，包括：管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座；位于所述基座表面的芯片；贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座以及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述芯片的负极相连；位于所述芯片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述芯片的正极相连。由于驱动正极不再位于芯片的一侧，而是位于芯片下方的基座内部，因此，可以减小管座和基座的尺寸，进而可以减小可调光衰减器的尺寸，提高可调光衰减器的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本技术设及光纤通讯
，更具体地说，设及一种可调光衰减器。
技术介绍
可调光衰减器（Vari油leOpticalAttenuator,VOA)是光纤通信系统的重要器件 之一，主要用来降低或控制光信号，实现不同通信信道之间的光功率均衡。现有的一种基于 微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystems,MEM巧的可调光衰减器，由于具有响应 速度快、功耗低和插入损耗小等优点，而被广泛应用在光纤通信系统中。 图1和图2分别为现有的基于MEMS的可调光衰减器的典型封装结构和贴装结构。 如图1和2所示，该可调光衰减器包括输入光纤101、输出光纤102、MEMS巧片103、驱动正 极104和驱动负极105,MEMS巧片103设置在底座106的基座1060上，所述底座106和基 座1060构成可调光衰减器的管座，驱动负极105与该基座1060为一个电连通的整体，驱 动正极104贯穿底座106和基座1060,并位于MEMS巧片103的一侧。此外，由于驱动负极 105与基座1060之间是电连通的，因此，基座1060与驱动正极104之间需具有绝缘层107， W起到绝缘驱动正极104和驱动负极105的作用。 其中，由于MEMS巧片103的正极焊盘1030通过导线与驱动正极104相连，负极焊 盘1031通过导线与驱动负极105即基座1060相连，因此，可W通过驱动正极104和驱动负 极105向MEMS巧片103施加电压，使MEMS巧片103上的微镜发生旋转，改变输入光纤101 和输出光纤102的光能量比例，实现光衰减的功能。 由于MEMS巧片103、驱动正极104和绝缘层107均位于基座1060的表面，因此，使 得管座和可调光衰减器的外径尺寸较大，不利于可调光衰减器集成度的提高，因此，减小可 调光衰减器的尺寸已经成为人们亟待解决的问题之一。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种可调光衰减器，W减小可调光衰减器的尺寸，提 高可调光衰减器的集成度。 为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：[000引一种可调光衰减器，包括： 管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座； 位于所述基座表面的巧片； 贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座W及 与所述基座电连接的导线或焊盘与所述巧片的负极相连； 位于所述巧片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述 巧片的正极相连。 优选的，所述巧片下方的基座具有凹槽，所述驱动正极位于所述凹槽内，并通过导 线与所述巧片的正极相连。 优选的，所述凹槽内的驱动正极呈z字形。 优选的，所述凹槽内的驱动正极的上表面与所述巧片的下表面平行。 优选的，所述凹槽内的驱动正极的上表面位于所述巧片的下表面的下方。 优选的，还包括： 位于所述巧片和所述基座之间的绝缘层，所述绝缘层具有第一焊盘和第二焊盘， 所述第一焊盘与所述基座内部的驱动正极相连，所述第二焊盘与位于所述绝缘层下方的基 座相连。 优选的，所述第一焊盘通过导线与所述巧片的正极相连，所述第二焊盘通过导线 与所述巧片的负极相连。 优选的，所述第一焊盘和第二焊盘在所述基座上的投影与所述巧片在所述基座上 的投影部分重叠或完全不重叠。 优选的，所述绝缘层为玻璃层或软性线路板。 优选的，所述基座的面积小于所述底座的面积。 与现有技术相比，本技术所提供的技术方案具有W下优点： 本技术所提供的可调光衰减器，包括管座，所述管座包括底座和位于所述底 座表面的基座；位于所述基座表面的巧片；贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负 极，所述驱动负极通过所述基座W及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述巧片的负极相 连；位于所述巧片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述巧片 的正极相连。由于驱动正极不再位于巧片的一侧，而是位于巧片下方的基座内部，因此，可 W减小管座和基座的尺寸，进而可W减小可调光衰减器的尺寸，提高可调光衰减器的集成 度。【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还 可W根据提供的附图获得其他的附图。 图1为现有的一种可调光衰减器的典型封装结构； 图2为现有的一种可调光衰减器的贴装结构； 图3为本技术的一个实施例提供的可调光衰减器的结构示意图； 图4为本技术的另一个实施例提供的可调光衰减器的结构示意图。【具体实施方式】 正如
技术介绍
所述，现有的可调光衰减器的外径尺寸较大，集成度较低，申请人研 究发现，造成该种问题的原因，如图2所示，由于驱动正极104的上表面与MEMS巧片103的 上表面基本保持平齐，因此，基座1060的尺寸至少等于驱动正极104和MEMS巧片103的尺 寸之和。此外，为了绝缘层107的密封性能、驱动正极104与基座1060之间的绝缘性能W 及驱动正极104处制作玻璃绝缘层的可操作性，驱动正极104和绝缘层107的直径都必须 大于某个值，且绝缘层107的区域不能超出基座1060的平台范围。 假设驱动正极104和绝缘层107的直径分别为a和b，MEMS巧片103表面为正方 形，其边长为C，出于光路设计考虑，MEMS巧片103的中屯、必须和管座W及基座1060的中屯、 重合，不能随意偏移，且整个MEMS巧片103必须在基座1060W内。由此可知，基座1060的 直径最小值为a+b+c，因此，不能实现可调光衰减器的小型化和集成化。 进一步地，申请人研究发现，如果将驱动正极放到巧片下面，基座的最小直径可W 做到^/5?c，此时，基座的尺寸仅受到巧片尺寸的限制，从而可W大大减小基座和管座的面 积，实现器件尺寸的进一步小型化。W上是本技术的核屯、思想，为使本技术的上述目的、特征和优点能够更 加明显易懂，下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。 在下面的描述中阐述了很多具体细节W便于充分理解本技术，但是本实用新 型还可W采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可W在不违背本实 用新型内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。 其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于 说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在 此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的S维空 间尺寸。[0当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调光衰减器，其特征在于，包括：管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座；位于所述基座表面的芯片；贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座以及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述芯片的负极相连；位于所述芯片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述芯片的正极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈定康，余富荣，谢玲，黄华，陈贵明，胡家泉，李朝阳，
申请(专利权)人：四川飞阳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51