一种用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，包括外壳，外壳内设置有磁性座、电容耦合器、信号处理模块、无线传输模块以及电源模块；所述电容耦合器为由两个耦合电容极片构成的差动耦合电容结构，两个耦合电容极片分别设置在外壳底面的两端，耦合电容极片的电极连接信号处理模块的输入端，信号处理模块的输入端还连接电源模块的输出端，信号处理模块的输出端连接无线传输模块；所述磁性座设置在耦合电容极片上。本实用新型专利技术可以确保在检测时传感器能紧密吸附在开关柜表面上检测局部放电产生的暂态对地电压，具有较高的准确性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电力设备检测
，特别是一种用于检测高压开光柜局部放电的TEV传感器。
技术介绍
高压开关柜在电力系统中占有重要的地位，其安全运行直接关系着电网的稳定性。由于在生产、运输、运行过程中，受到电场力、热效应、化学腐蚀以及其他环境因素的影响，会对开关柜内的绝缘造成破坏，绝缘破坏会产引起局部放电现象的发生，影响设备的安全运行，因此对开关柜的局部放电进行检测是很有必要的。开关柜内部产生局部放电时会产生一系列的电磁信号及非电类现象，因此目前对于开关柜局部放电有非电检测法与电检测法，非电检测法主要有超声波法，电检测法有暂态对地电压法与超高频法。由于开关柜内结构较为复杂，超声波检测法往往难以具有较高的稳定性，而暂态对地电压法直接检测暂态对地电压有较高的灵敏度和抗干扰能力，因此暂态地电压法具有更好的价值。由于开关柜内发生局部放电时，会使得放电电极之间的电荷发生快速的变化，从而引起附近的金属屏蔽层上的电位产生变化，形成快速变化的脉冲电流；又由于开关柜的金属外壳在绝缘衬垫、箱体连接处等部位有不连续的缝隙，可以使高频电流信号传送到开关柜外表面，产生一个暂态对地电压(TEV)，可以通过检测该暂态对地电压来判断开关柜内是否发生局部放电，也即暂态对地电压法。但目前采用的暂态地电压传感器往往需要采用人工手持，在检测过程中不能保证传感器与开关柜外壁接触的紧密性，测量信号处理不太准确，影响测量结果；并且还会对人身安全造成一定的威胁。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，提供一种简单可靠、准确度高、抗干扰能力强、便于安装与拆卸的暂态地电压传感器，在能够准确检测高压开关柜内局部放电现象的基础上，可以无线传输信号，遥控遥测，有效地减少工作人员的工作量和安全隐患。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案如下:一种用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，包括外壳，外壳内设置有磁性座、电容耦合器、信号处理模块、无线传输模块以及电源模块；所述电容耦合器为由两个耦合电容极片和开光柜柜体构成的差动親合电容结构，两个親合电容极片分别设置在外壳底面的两端，耦合电容极片的电极连接信号处理模块的输入端，信号处理模块的输入端还连接电源模块的输出端，信号处理模块的输出端连接无线传输模块；所述磁性座设置在耦合电容极片上。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述外壳的内壁上粘附有屏蔽罩，屏蔽罩的侧壁与底面交接处设置有安装耦合电容极片的凹槽，所述耦合电容极片的外端插接在凹槽内。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述屏蔽罩的内壁上还设置有平行于底面的固定平台，所述信号处理模块、无线传输模块以及电源模块分别紧固在独立的固定平台上。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述磁性座设置有两块，分别设置在两个耦合电容极片上；所述磁性座包括由软磁材料制作的壳体和设置在壳体内的条形永磁铁，永磁铁靠近屏蔽罩的一端设置有伸出外壳的调节旋钮。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述信号处理模块包括依次连接的滤波电路、放大电路和降频电路，所述滤波电路的输入端连接电容耦合器的输出端，降频电路的输出端连接无线传输模块的输入端。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述滤波电路为RC滤波电路，放大电路为由两块LM358运算放大器组成的两级高频放大电路，降频电路主芯片采用ADLS5113 芯片。上述用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，所述无线传输模块为ZigBee无线模块。由于采用了以上技术方案，本技术所取得的技术进步如下:本技术结构简单、使用方便，通过采集局部放电产生的对地暂态电压信号来检测高压开关柜内的局部放电现象，具有较高的准确性。本技术采用差动结构的电容耦合传感器，可以有效地消除外界的干扰因素，提高了本技术的可靠性。磁性座的设置，能够使本技术紧密的吸附在开关柜表面，方便了作业人员操作；磁性座上设置的调节旋钮，能够改变磁性座的磁性，方便作业人员安装与拆卸本技术。屏蔽罩的设置，既起到保护固定内部元件的作用，又能减少传感器受到外界的干扰和内部各模块间的干扰，提高了本技术的抗干扰性能。无线传输模块的设置，能够使传感器测得的信号通过无线网络传输给作业人员，消除了作业人员在开关柜附近作业容易发生危险的隐患，有效的保障了工作人员的安全。【附图说明】图1为本技术的结构示意图；图2为本技术所述放大电路的电路图；图3为本技术所述降频电路的电路图。图中各标号表不为:1.外壳，2.屏蔽罩，3.电容親合器，4.磁性座，401.调节旋钮，5.无线传输模块，6.电源模块，7.信号处理模块；Ul.第一运算放大器，U2.第二运算放大器，U3.ADLS5113 芯片。【具体实施方式】下面将结合附图和具体实施例对本技术进行进一步详细说明。本技术的结构如图1所示，包括外壳1，外壳内设置有屏蔽罩2、磁性座4、电容耦合器3、信号处理模块7、无线传输模块5以及电源模块6。屏蔽罩2安装在外壳内，起到屏蔽外部干扰信号的作用。屏蔽罩采用有机结合剂与外壳粘合，外壳有保护传感器的作用，且介电常数较为稳定，由于操作现场往往有干扰信号的存在，屏蔽罩可以有效的减少外部信号源带来的干扰。屏当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
用于高压开关柜局部放电检测的TEV传感器，其特征在于：包括外壳（1），外壳内设置有电容耦合器（3）、信号处理模块（7）、无线传输模块（5）以及电源模块（6）；所述电容耦合器为由两个耦合电容极片和开光柜柜体构成的差动耦合电容结构，两个耦合电容极片分别设置在外壳底面的两端，耦合电容极片的电极连接信号处理模块的输入端，信号处理模块的输入端还连接电源模块的输出端，信号处理模块的输出端连接无线传输模块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周羽，彭红霞，张卫国，李继攀，盛瑞明，刘相兴，闫冬，赵俊杰，律方成，王胜辉，詹振宇，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网山东省电力公司菏泽供电公司，华北电力大学保定，
类型：新型
国别省市：北京;11
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