掉电存储电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种掉电存储电路，其包括电源单元、开关诊断单元、储存单元及输出单元，所述电源单元输入端电性连接开关诊断单元，所述电源单元输出端电性连接储存单元，所述储存单元电性连接输出单元；所述输出单元为MOS场效应管，所述MOS场效应管的栅极与所述储存单元输出端电性连接，所述MOS场效应管的源极接地，所述MOS场效应管的漏极电性连接基准电压。本实用新型专利技术通过将储存单元与MOS场效应管的栅极电性连接，配合电源单元给储存单元进行充电，在电源单元断开后，储存单元仍能使得MOS场效应管处于导通状态，使得MOS场效应管的漏极处于低电平状态，进而使得输出存储的诊断信号仍然可以长时间维持在低电平，实现长时间的掉电保护，并有效降低掉电保护的成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种汽车车灯驱动系统，尤其是涉及一种掉电存储电路。
技术介绍
现有汽车的LED车灯是需要LED驱动电路配合进行连接的，当LED车灯发生情况时，LED驱动电路一般需要关闭所有LED车灯，并给BCM(车体控制模块)报警；同时，LED车灯发生情况而产生的诊断信号需要存储起来，在下一次电源电压上电时，LED驱动电路可以读取到这个诊断信号，不点亮所有LED车灯。目前对于诊断信号的掉电存储，一般是通过MCU来实现的；在电源电压掉电之前，MCU将诊断信号快速的存储到MCU内部闪存FLASH中，FLASH的掉电存储时间一般都比较长。上述方式的缺点在于MCU的读写时间通常比较长，当供电电源是PWM信号而非恒定的时候，MCU需要在电源电压掉电前迅速存储这个信号，在下次电源电压上电时，迅速地读取这个信号，MCU在应用中就会存在一些限制，另外，MCU也是电路中比较贵的器件。另外一种方式是将诊断信号发给MCU，通过MCU来存储这个信号，但是这样一来，BCM就需要额外的一个接口电路。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述
技术介绍
存在的问题，提供一种掉电存储电路，以实现长时间的掉电保护，并降低掉电保护的成本。为实现上述目的，本技术公开了一种掉电存储电路，其包括电源单元、开关诊断单元、储存单元及输出单元，所述电源单元输入端电性连接开关诊断单元，所述电源单元输出端电性连接储存单元，所述储存单元电性连接输出单元；所述输出单元为MOS场效应管，所述MOS场效应管的栅极与所述储存单元输出端电性连接，所述MOS场效应管的源极接地，所述MOS场效应管的漏极电性连接基准电压。在其中一个实施例中，所述电源单元包括第一三极管，所述第一三极管发射极电性连接基准电压，所述第一三极管的基极电性连接所述开关诊断单元，所述第一三极管的集电极电性连接所述储存单元。在其中一个实施例中，所述开关诊断单元包括第二三极管，所述第二三极管的基极用于输入外接诊断信号，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的基极电性连接，所述第二三极管的发射极接地。在其中一个实施例中，所述储存单元包括电容，所述电容一端与所述第一三极管的集电极电性连接，所述电容另一端接地。在其中一个实施例中，所述第一三极管与所述电容之间电性串联有二极管。在其中一个实施例中，所述第一三极管与所述电容之间还电性连接释放电阻一端，所述释放电阻另一端接地。综上所述，本技术掉电存储电路通过将储存单元与MOS场效应管的栅极电性连接，配合电源单元给储存单元进行充电，在电源单元断开后，储存单元仍能使得MOS场效应管处于导通状态，使得MOS场效应管的漏极处于低电平状态，进而使得输出存储的诊断信号仍然可以长时间维持在低电平，实现长时间的掉电保护，并有效降低掉电保护的成本。【附图说明】图1为本技术掉电存储电路一种实施例的电路原理框图；图2为本技术掉电存储电路一种实施例的电路原理图。【具体实施方式】如图1和图2所示，本技术掉电存储电路包括电源单元10、开关诊断单元20、储存单元30及输出单元40，所述电源单元10输入端电性连接开关诊断单元20，所述电源单元10输出端电性连接储存单元30，所述储存单元30电性连接输出单元40。所述开关诊断单元20用以控制电源单元10与储存单元30导通，所述电源单元10提供基准电压VCC，所述电源单元10用于给所述储存单元30进行充电；所述储存单元30用于提供给所述输出单元40导通电平，所述输出单元40为MOS场效应管Q3，所述MOS场效应管Q3的栅极与所述储存单元30输出端电性连接，所述MOS场效应管Q3的源极接地，所述MOS场效应管Q3的漏极电性连接电源单元10的基准电压VCC。具体地，所述开关诊断单元20的输入端用于输入外接诊断信号，所述输出单元40的输出端用于输出存储的诊断信号，所述输出单元40的输出端对应于MOS场效应管Q3的漏极。在其中一个实施例中，所述电源单元10包括第一三极管Ql，所述第一三极管Ql发射极电性连接基准电压VCC，所述第一三极管Ql的基极电性连接所述开关诊断单元20，所述第一三极管Ql的集电极电性连接所述储存单元30。所述开关诊断单元20包括第二三极管Q2，所述第二三极管Q2的基极用于输入外接诊断信号，所述第二三极管Q2的集电极与所述第一三极管Ql的基极电性连接，所述第二三极管Q2的发射极接地；在外接诊断信号为高电平时，第二三极管Q2处于导通状态，此时，第一三极管Ql的基极-发射极的电流上升，第一三极管Ql也处于导通状态，电源单元10开始给所述储存单元30进行充电。所述储存单元30包括电容Cl，所述电容Cl 一端与所述第一三极管Ql的集电极电性连接，所述电容Cl另一端接地，在第一三极管Ql处于导通状态时，电源单元10给所述电容Cl进行充电；具体地，第一三极管Ql与所述电容Cl之间电性串联有二极管D1，在所述电源单元10断开与电容Cl的连接后，二极管Dl可以防止电容Cl进行自我放电。在其中一个实施例中，所述第一三极管Ql与所述电容Cl之间还电性连接释放电阻R2 —端，所述释放电阻R2另一端接地，所述释放电阻R2用于给所述第一三极管Ql的漏电流一个释放通路，防止第一三极管Ql的漏电流给电容Cl进行充电。本技术具体工作时，当外接诊断信号为高电平时，第二三极管Q2处于导通状态，使得第一三极管Ql的基极-发射极的电流上升，进而第一三极管Ql也处于导通状态，电源单元10的基准电压VCC通过二极管Dl给电容Cl进行充电，当电容Cl上的电压达到一定时，MOS场效应管Q3会处于导通状态，由于MOS场效应管Q3的源极接地，使得MOS场效应管Q3的漏极端输出为低电平，进而使得输出存储的诊断信号为低电平。在LED车灯发生情况而产生的诊断信号时，外接诊断信号和基准电压VCC为零，由于电容Cl上的电压维持在高电平，二极管Dl阻止了电容Cl上储存的电荷的释放，MOS场效应管Q3的栅极维持在高电平状态，MOS场效应管Q3就一直处于导通状态，使得MOS场效应管Q3的漏极端输出为低电平，进而使得输出存储的诊断信号一直维持在低电平，如此，在电源电压单元断开连接后，输出存储的诊断信号仍然可以长时间维持在低电平状态，实现了长时间的掉电保护，并有效降低了掉电保护的成本。综上所述，本技术掉电存储电路通过将储存单元30与MOS场效应管Q3的栅极电性连接，配合电源单元10给储存单元30进行充电，在电源单元10断开后，储存单元30仍能使得MOS场效应管Q3处于导通状态，使得MOS场效应管Q3的漏极处于低电平状态，进而使得输出存储的诊断信号仍然可以长时间维持在低电平，实现长时间的掉电保护，并有效降低掉电保护的成本。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。【主权项】1.一种掉电存储电路，其特征在于:包括电源单元(10)、开关诊断单元(20)、储存单元(30)及输出单元(40)，所述电源单元(10)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掉电存储电路，其特征在于：包括电源单元(10)、开关诊断单元(20)、储存单元(30)及输出单元(40)，所述电源单元(10)输入端电性连接开关诊断单元(20)，所述电源单元(10)输出端电性连接储存单元(30)，所述储存单元(30)电性连接输出单元(40)；所述输出单元(40)为MOS场效应管(Q3)，所述MOS场效应管(Q3)的栅极与所述储存单元(30)输出端电性连接，所述MOS场效应管(Q3)的源极接地，所述MOS场效应管(Q3)的漏极电性连接基准电压(VCC)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施三保，
申请(专利权)人：法雷奥汽车内部控制深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44