一种基板制造技术

本实用新型专利技术提供一种基板，包括基板本体，所述基板本体包括至少两个基板条，所述基板条包含两个以上的基板单元，所述相邻基板条之间设置有电镀串联线，所述基板单元在中间开设有通槽，自行开发，降低成本，且基板单元上的通槽采用一次性冲孔，避免了遗漏。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，特别涉及一种基板。
技术介绍
封装过程中主要费用来自substrate，目前，国内许多半导体行业还采用一些进口的基板，物流、造价成本较高，整个交货时间长；开发ASEM基板，不仅能够降低封装成本，在一定意义上能够推动国内基板厂商的技术发展，整合国内半导体资源，整体提升抵御行业风险的能力。
技术实现思路
针对现有国内半导体行业中采用进口基板造成成本增加的问题，本技术提供一种基板，为了达到上述目的，本技术采用以下技术方案:本技术包括基板本体1，所述基板本体I包括至少两个基板条10，所述基板条10包含两个以上的基板单元101，所述相邻基板条10之间设置有电镀串联线，所述基板单元101在中间开设有通槽11。优选地，所述基板单元101上的通槽11在左右两侧设置有缓冲层。优选地，所述基板本体I厚度为250mm。优选地，所述相邻基板条10的通槽11行间距为11.35um，所述相邻基板条10的通槽11的列间距为9.25um。本技术的有益效果:自行开发，降低成本，且基板单元上的通槽采用一次性冲孔，避免了遗漏。【附图说明】图1为本技术的主视图；图2为本技术中基板单元的结构示意图。【具体实施方式】由图1、图2所示可知，本技术包括基板本体I，所述基板本体I包括至少两个基板条10，所述基板条10包含两个以上的基板单元101，所述相邻基板条10之间设置有电镀串联线，所述基板单元101在中间开设有通槽11。优选地，所述基板单元101上的通槽11在左右两侧设置有缓冲层。优选地，所述基板本体I厚度为250mm。优选地，所述相邻基板条10的通槽11行间距为11.35um，所述相邻基板条10的通槽11的列间距为9.25um。【主权项】1.一种基板，包括基板本体(I)，所述基板本体(I)包括至少两个基板条(10)，所述基板条(10)包含两个以上的基板单元(101)，其特征在于:所述相邻基板条(10)之间设置有电镀串联线，所述基板单元(101)在中间开设有通槽(11)。2.根据权力要求I所述的一种基板，其特征在于:所述基板单元(101)上的通槽(11)在左右两侧设置有缓冲层(110)。3.根据权力要求I所述的一种基板，其特征在于:所述基板本体(I)厚度为250_。4.根据权力要求I所述的一种基板，其特征在于:所述相邻基板条(10)的通槽(101)行间距为11.35um，所述相邻基板条(10)的通槽(101)的列间距为9.25um。【专利摘要】本技术提供一种基板，包括基板本体，所述基板本体包括至少两个基板条，所述基板条包含两个以上的基板单元，所述相邻基板条之间设置有电镀串联线，所述基板单元在中间开设有通槽，自行开发，降低成本，且基板单元上的通槽采用一次性冲孔，避免了遗漏。【IPC分类】H01L23-49, H01L23-13【公开号】CN204577414【申请号】CN201520267659【专利技术人】周蔚明 【申请人】海太半导体（无锡）有限公司【公开日】2015年8月19日【申请日】2015年4月29日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板，包括基板本体(1)，所述基板本体(1)包括至少两个基板条(10)，所述基板条(10)包含两个以上的基板单元(101)，其特征在于：所述相邻基板条(10)之间设置有电镀串联线，所述基板单元(101)在中间开设有通槽(11)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周蔚明，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32