当前位置: 首页 > 专利查询>清华大学专利>正文

一种荧光显微成像纳米孔检测池制造技术

技术编号:11915892 阅读:93 留言:0更新日期:2015-08-20 19:43
一种荧光显微成像纳米孔检测池,包括Cis池,Cis池底部和盖玻片连接,Trans池连接在Cis池中部,Trans池、Cis池与盖玻片共同组成纳米孔检测的Cis腔室;在Cis池中部开置Trans池插槽与Trans池配合使用,在Cis池底面开置两段液流导流凹槽,在Cis池开置液流入口、液流出口、电极插口,通过液流通道连通;Trans池外部为螺纹,在Trans池上面开置Trans腔室,底部开置芯片凹槽及矩形辅助凹槽,在Trans腔室及芯片凹槽之间设有连通小孔,本实用新型专利技术可放置在荧光显微镜载物台上,便于调节Cis腔室液膜厚度,降低实验过程中荧光漂白的影响,使荧光成像信号更稳定可靠。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及纳米孔电分析检测
,具体涉及一种荧光显微成像纳米孔检测池
技术介绍
纳米孔是生物内外物质和能量交换的基础,在生命过程中扮演着重要角色。纳米孔分析技术融合了纳米技术、生物技术和微电子技术的优势,在基因测序、生物分析、疾病诊断、环境监测和公共安全等领域具有广阔的应用前景。纳米孔分析技术的测量方式通常采用膜片钳直流恒电位模式来记录离子的电导电流。分析物穿过纳米孔时,会引起孔道内部电解质环境的改变而产生脉冲离子电导电流的变化,这种电导电流变化的大小和持续的时间反映了分析物穿过纳米孔的信息。通过对大量脉冲电流的统计分析可实现对分析物的检测。目前,纳米孔分析技术采用的直流恒电位测量模式获取的信号比较单一,在数据分析时缺乏分子穿孔机理与结构信息;并且,获取的电信号一般为单通道记录结果,难以实现未来的高通量检测的目标。因此,在纳米孔单分子检测获得离子电导电流及阻断时间的过程中,若能够提供更多的单分子成像信息,将有利于研宄单分子与纳米孔的相互作用,丰富实时追踪穿孔过程与穿孔动力学信息。而成像方面,荧光成像技术就是一种很好的单分子成像技术,尤其是全内反射荧光成像(TIRF),它是利用入射光在界面发生全内反射时所产生的隐失波来激发样品荧光。由于全内反射的激发区域仅限于界面附近几百纳米的一小薄层,因此,TIRF成像技术能够大大降低背景信号,从而利于研宄界面附近单分子动态过程。目前,将纳米孔分析技术和荧光成像技术结合起来研宄单分子过孔的信息,需要解决的一大核心问题就是:设计和加工一种可以配合荧光显微镜(尤其是符合物镜的工作距离)使用的器件,以实现对纳米孔进行电化学检测的同时,记录单分子穿过纳米孔过程的荧光图像。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术的目的在于提供一种荧光显微成像纳米孔检测池,可放置在荧光显微镜载物台上,与荧光显微镜物镜相匹配,用于单分子穿过纳米孔实时荧光成像。为实现上述目的,本技术采取了以下技术方案:一种荧光显微成像纳米孔检测池,包括Cis池1,Cis池I底部和盖玻片3连接,Trans池2连接在Cis池I中部,Trans池2的底面、Cis池I与盖玻片3的上面共同组成纳米孔检测的Cis腔室,荧光显微镜透过盖玻片3进行观察;所述Cis池I为矩形结构件,在Cis池I中部开置Trans池插槽4,Trans池插槽4是一个圆柱形空腔,内部为细牙螺纹,Trans池插槽4与Trans池2配合使用,在Cis池I底面,以Trans池插槽4中心为起点沿Cis池I长度的方向上开置两段液流导流凹槽5,在Cis池I左侧面正中心,及正面、背面上距所在面中心偏离Trans池插槽4靠右位置处开置螺丝孔,依次为液流入口 6、液流出口 7、电极插口 8 ;在液流导流凹槽5的末端,分别开置竖直圆柱形通道,并在液流入口 6、液流出口 7、电极插口 8位置向内开置圆柱形通道,这些圆柱形通道相连通为液流通道10,在Cis池I的底面,开置长方形边框状凹槽为粘合剂凹槽9 ;所述Trans池2为圆柱形结构件,外部为细牙螺纹,在Trans池2上面开置Trans腔室11,Trans腔室11为圆柱形空腔,在Trans池2底部开置芯片凹槽12,芯片凹槽12为圆柱形凹槽;在芯片凹槽12两边开有便于安装芯片及辅助导流的矩形辅助凹槽14,在Trans腔室11及芯片凹槽12之间设有连通小孔13,连通小孔13是锥孔结构,在孔的上侧做锥角处理。所述的Cis池I和Trans池2均为PTFE或者PEEK结构件,Cis池I的长30?120mm、宽20?80臟、高5?3Ctam,Trans池2的直径6?16臟、高10?35臟。所述Trans池插槽4直径为6?16mm。所述液流导流凹槽5长10?40_,宽I?4mm,深为0.2?0.5_。所述液流入口 6、液流出口 7、电极插口 8直径相同,直径为2?10mm,需要和相应的接头配合使用。所述液流通道10,直径为I?4mm。所述粘合剂凹槽9的长方形框状的框长20?80mm,框宽8?35mm,凹槽宽度为I ?4mm,深度 0.2 ?0.5mm。所述Trans腔室11直径4?14mm,高8?33臟。所述芯片凹槽12直径为4?8臟,深0.2?0.5臟。所述矩形辅助凹槽14宽I?4mm,深0.2?0.5mm。所述连通小孔13最小处直径为0.5?2mm。本技术的积极效果是:(I)将检测池分成可以紧密组装的两部分,引入螺纹连接的方式,利于调节Trans池和Cis池底部盖玻片之间的距离,从而调节Cis腔室液膜的厚度,方便达到荧光显微镜物镜的工作距离的要求。(2)使用液流的流动设计,不断供给新的溶液,可以大大降低实验过程中荧光漂白的影响,使荧光信号更稳定可靠。(3)可在纳米孔电化学检测的同时,通过荧光显微镜对单分子过孔时的荧光图像信号进行同步采集。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的Cis池I示意图。图3为本技术的Trans池2示意图,图(a)为Trans池正置示意图;图(b)为Trans池倒置示意图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术进行详细描述。参见图1,一种荧光显微成像纳米孔检测池,包括Cis池l,Cis池I底部和盖玻片3连接,Trans池2连接在Cis池I中部,Trans池2的底面、Cis池I与盖玻片3的上面共同组成纳米孔检测的Cis腔室,荧光显微镜透过盖玻片3进行观察;参见图2,所述Cis池I为长54mm、宽35_、高1mm的PTFE或PEEK矩形结构件;在Cis池I中部开置Trans池插槽4,Trans池插槽4是一个圆柱形空腔,直径为8mm,内部为M8细牙螺纹,螺距0.5mm,Trans池插槽4与Trans池2配合使用,在Cis池I底面,以Trans池插槽4中心为起点沿Cis池I长度的方向上开置两段长为13mm,宽当前第1页1 2 本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种荧光显微成像纳米孔检测池,包括Cis池(1),其特征在于:Cis池(1)底部和盖玻片(3)连接,Trans池(2)连接在Cis池(1)中部,Trans池(2)的底面、Cis池(1)与盖玻片(3)的上面共同组成纳米孔检测的Cis腔室,荧光显微镜透过盖玻片(3)进行观察;所述Cis池(1)为矩形结构件,在Cis池(1)中部开置Trans池插槽(4),Trans池插槽(4)是一个圆柱形空腔,内部为细牙螺纹,Trans池插槽(4)与Trans池(2)配合使用,在Cis池(1)底面,以Trans池插槽(4)中心为起点沿Cis池(1)长度的方向上开置两段液流导流凹槽(5),在Cis池(1)左侧面正中心,及正面、背面上距所在面中心偏离Trans池插槽(4)靠右位置处开置螺丝孔,依次为液流入口(6)、液流出口(7)、电极插口(8);在液流导流凹槽(5)的末端,分别开置竖直圆柱形通道,并在液流入口(6)、液流出口(7)、电极插口(8)位置向内开置圆柱形通道,这些圆柱形通道相连通为液流通道(10),在Cis池(1)的底面,开置长方形边框状凹槽为粘合剂凹槽(9);所述Trans池(2)为圆柱形结构件,外部为细牙螺纹,在Trans池(2)上面开置Trans腔室(11),Trans腔室(11)为圆柱形空腔,在Trans池(2)底部开置芯片凹槽(12),芯片凹槽(12)为圆柱形凹槽;在芯片凹槽(12)两边开有便于安装芯片及辅助导流的矩形辅助凹槽(14),在Trans腔室(11)及芯片凹槽(12)之间设有连通小孔(13),连通小孔(13)是锥孔结构,在孔的上侧做锥角处理。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李景虹刘广超张凌刘洋
申请(专利权)人:清华大学
类型:新型
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1