一种集成电路结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路结构及其制作方法，用以解决金属熔断过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。该集成电路结构包括：衬底、绝缘保护层、金属熔丝及隔离金属部件，该金属熔丝与衬底和绝缘保护层均绝缘；该隔离金属部件设置于金属熔丝与衬底之间，且该隔离金属部件与上述金属熔丝及衬底绝缘；该金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及。
技术介绍
在集成电路中，通常设置有若干个金属熔丝，金属熔丝是位于集成电路中的金属电阻。采取特定的方法，可使得金属熔丝发生熔断，即达到断路的目的，而当金属熔丝没有发生熔断时，它是导通的，即通过不熔断、或熔断金属熔丝，可达到调整集成电路的功能或参数之目的，这一调整的过程称之为“修调”。如图1及图2所示(该图1所示的为集成电路结构的平面结构示意图，图2所示为图1所示平面结构示意图沿AB线的切面图)的结构，现有技术中集成电路结构包括衬底101、绝缘保护层102及介质层103 (介质层的材料一般采用氧化硅，用于隔离金属层与衬底)、金属熔丝104，其中金属熔丝104是一定长度、宽度的金属条，金属熔丝104位于衬底101与绝缘保护层102之间。为使金属熔丝104在发生熔断的时候，其金属可以充分的发挥，需要对绝缘保护层102进行刻蚀，使得金属熔丝104裸露在对绝缘保护层102进行刻蚀形成的空间中。由于绝缘保护层102刻蚀工艺对金属层具有较高的选择比，而对介质层103的选择比很低，因此在绝缘保护层102刻蚀工艺中，除金属熔丝104覆盖区域之外的区域的介质层103也会被一并刻蚀掉，裸露出衬底101，如图2所示。在集成电路修调时，部分金属熔丝快速的由固态转化为液态、然后又快速的由液态转化为气态。在此过程中，绝大部分的金属熔丝以气态形式挥发掉了，但也可能有少部分的金属熔丝在由液态转化气态时未能及时转化，其金属液渗透到衬底的表面，当渗透到衬底表面的金属液较多时，金属熔丝与衬底之间会发生短路，使得修调之后集成电路的合格率下降。【专利技术内容】本专利技术实施例提供了，用以解决金属熔丝熔断的过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。本专利技术实施例提供了一种集成电路结构，该集成电路结构包括:衬底、绝缘保护层、金属熔丝和隔离金属部件；该金属熔丝与衬底和绝缘保护层均绝缘；该隔离金属部件设置于金属熔丝与衬底之间，且该隔离金属部件与上述金属熔丝及衬底均绝缘；该金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。上述方案利用在金属熔丝与衬底之间设置隔离金属部件，并且该隔离金属部件与金属熔丝及衬底均绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝由固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝的金属液向下渗透，也不会接触到衬底造成金属熔丝与衬底之间短路。提闻了集成电路修调后的合格率。较佳的，集成电路结构可以包括多个金属熔丝，每个金属熔丝均对应一个隔离金属部件及对应上述绝缘保护层的一个预设区域；每个金属熔丝对应的预设区域的尺寸不大于该金属熔丝对应的隔离金属部件相对于上述绝缘保护层一面的尺寸。较佳的，集成电路结构包括多个金属熔丝，每个金属熔丝对应绝缘保护层的一个预设区域，且设置一个隔离金属部件；包含所有金属熔丝对应的预设区域的总区域的尺寸，不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。基于上述任意实施例，较佳的，集成电路结构在上述衬底与绝缘保护层之间包含有至少两层金属层，该隔离金属部件由上述集成电路结构的其中一层金属层形成，该金属熔丝由集成电路结构的其中的另外一层金属层形成。基于上述任意实施例，较佳的，预设区域为矩形。基于上述任意实施例，较佳的，隔离金属部件相对于绝缘保护层一面为平面。基于上述任意实施例，较佳的，隔离金属部件相对于绝缘保护层一面为曲面。基于与结构实施例同样的专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种集成电路结构的制作方法，该方法包括:在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层；对绝缘保护层的预设区域进行刻蚀，使得金属熔丝裸露在刻蚀后形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件相对于绝缘保护层一面的尺寸。上述方案利用在金属熔丝与衬底之间制作隔离金属部件，并且该隔离金属部件通过第一介质层、第二介质层与金属熔丝及衬底均绝缘，从而在集成电路进行修调时，金属熔丝由固态转化为液态再转化为气态时，即使有少部分的金属熔丝的金属液向下渗透，也不会接触到衬底造成金属熔丝与衬底之间短路。提高了集成电路修调后的合格率。较佳的，在衬底上依次形成第一介质层、隔离金属部件、第二介质层、金属熔丝以及绝缘保护层，具体包括:在衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层以及绝缘保护层；且第一金属层包括隔离金属部件，第二金属层包括金属熔丝。【附图说明】图1为现有技术中集成电路结构的平面结构示意图；图2为图1所示平面结构示意图沿AB线的切面图；图3为本专利技术实施例提供的集成电路结构的平面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的图3所示平面结构示意图沿AB线的切面图；图5为本专利技术实施例提供的集成电路结构包含多个金属熔丝的第一种切面图；图6为本专利技术实施例提供的集成电路结构包含多个金属熔丝的第二种切面图；图7为本专利技术实施例提供的集成电路结构的制作方法流程图。【具体实施方式】本专利技术实施例提供一种集成电路结构，用以解决现有技术中存在的在集成电路修调时，金属熔丝熔断的过程中，金属熔丝与衬底之间发生短路的问题。以下结合附图对本专利技术实施例作进一步说明。以下附图仅是一种示例，并不对结构、形状作具体限定。本专利技术实施例提供了一种集成电路结构，如图3所示及图4所示，该集成电路结构包括:衬底101、绝缘保护层102，介质层103、金属熔丝104和隔离金属部件105。该金属熔丝104与衬底101和绝缘保护层102均绝缘。该隔离金属部件105设置于金属熔丝104与衬底101之间，且该隔离金属部件105与上述金属熔丝104及衬底101均绝缘；该隔离金属部件105也不与其它任何电位连接。金属熔丝104裸露在对绝缘保护层102的预定区域进行刻蚀形成的空间中，该预定区域的尺寸不大于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102 —面的尺寸。上述隔离金属部件105相对于绝缘保护层102 —面的尺寸是指:隔离金属部件105在垂直于绝缘保护层102方向上投影到绝缘保护层102上的面积。所谓预定区域的尺寸不大于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102—面的尺寸，是指预定区域落入隔离金属部件105在绝缘保护层102上的投影的范围内，且投影方向为垂直于绝缘保护层102的方向。可以设置预设区域的尺寸等于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102 —面的尺寸，当然可以设置小于隔离金属部件105相对于绝缘保护层102 —面的尺寸(如图3所示，虚线框为隔离金属部件105相对于绝缘保护层102 —面的实际尺寸)较佳的，若集成电路结构包括多个金属熔丝104(本专利技术实施例中以3个金属熔丝为例)，则集成电路结构中可以设置一个隔离金属部件105，也可以设置多个隔离金属部件105:第一种实现方式(对应于设置多个隔离金属部件105)，如图5所示:每个金属熔丝104均对应一个隔离金属部件105及对应上述绝缘保护层102。每个金属熔丝104对应的预设区域的尺寸不大于该金属熔丝104对应的隔离金属部件105相对于上述绝缘保护层102 —面的尺寸。从而使得位于预设区域的衬底101完全被隔离金属部件105覆盖而未裸露。第二种实现方当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，其特征在于，包括：衬底、绝缘保护层、金属熔丝和隔离金属部件：所述金属熔丝与所述衬底和所述绝缘保护层均绝缘；所述隔离金属部件设置于所述金属熔丝与所述衬底之间，且所述隔离金属部件与所述金属熔丝及所述衬底均绝缘；所述金属熔丝裸露在对绝缘保护层的预定区域进行刻蚀形成的空间中，所述预定区域的尺寸不大于所述隔离金属部件相对于所述绝缘保护层一面的尺寸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，文燕，石金成，高振杰，王焜，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11