具有包括多段的源极/漏极区的集成电路器件制造技术

本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开总地涉及电子器件的领域，更具体地，涉及集成电路器件。
技术介绍
多栅晶体管可以用于高密度集成电路器件。多栅晶体管中的一些可以包括设置在基板上的硅主体和设置在硅主体的表面上的栅极。多栅晶体管中的一些可以使用三维(3D)沟道并因而可以容易地按比例缩小。此夕卜，多栅晶体管可以具有改善的电流控制能力而不增加栅极长度。另外，多栅晶体管可以减少短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
一种半导体器件可以包括在第一方向上从基板突出并在交叉第一方向的第二方向上延伸的有源鳍。该器件还可以包括设置在有源鳍上在交叉第二方向的第三方向上延伸的栅极电极、在邻近栅极电极的有源鳍中的沟槽以及在沟槽中的半导体图案。半导体图案可以包括第一段(segment)和第二段，第一段可以设置在栅极电极和第二段之间。第一段可以具有在第二方向上的第一最大宽度，该第一最大宽度可以不同于第二段在第二方向上的第二最大宽度。第一段可以具有在第一方向上的第一最大厚度，该第一最大厚度可以不同于第二段在第一方向上的第二最大厚度。根据一些实施例，第一最大宽度可以小于第二最大宽度。在一些实施例中，第一最大厚度可以小于第二最大厚度。根据一些实施例，第一最大厚度可以大于第二最大厚度。在一些实施例中，第一最大宽度可以大于第二最大宽度。根据一些实施例，半导体图案还可以包括设置在第二段下面的第三段。第二段可以设置在第一段和第三段之间，第三段可以具有在第二方向上的第三最大宽度，该第三最大宽度可以不同于第二段的第二最大宽度。在一些实施例中，第一最大宽度可以小于第二最大宽度，第二最大宽度可以小于第三最大宽度。在一些实施例中，第一最大宽度可以大于第二最大宽度，第二最大宽度可以大于第三最大宽度。在一些实施例中，第一最大宽度可以大于第二最大宽度，第二最大宽度可以小于第三最大宽度。根据一些实施例，该器件还可以包括设置在栅极电极和有源鳍之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层可以覆盖栅极电极的侧面。一种半导体器件可以包括:基板，包括第一区域和第二区域；第一有源鳍，在第一方向上从基板突出并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及第二有源鳍，在第一方向上从基板突出并在第二方向上延伸。第一有源鳍可以设置在第一区域中，第二有源鳍可以设置在第二区域中。该器件还可以包括在第一有源鳍中的第一沟槽、在第二有源鳍中的第二沟槽、在第一沟槽中的第一半导体图案以及在第二沟槽中的第二半导体图案。第一半导体图案可以包括沿第一方向设置的第一多个段，第二半导体图案可以包括沿第一方向设置的第二多个段。第一半导体图案和第二半导体图案可以具有不同的形状。根据一些实施例，第一多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以从第一有源鳍的顶表面到底表面单调地增大，第二多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以从第二有源鳍的顶表面到底表面单调地增大。根据一些实施例，第一多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以从第一有源鳍的顶表面到底表面单调地增大，第二多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以基本上彼此相等。在一些实施例中，第一多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以从第一有源鳍的顶表面到底表面单调地减小，第二多个段中的各段在第二方向上的最大宽度可以基本上彼此相等。根据一些实施例，第一半导体图案和第二半导体图案可以具有不同的导电类型。在一些实施例中，该器件还可以包括在邻近第一沟槽的第一有源鳍上的第一栅极电极和在邻近第二沟槽的第二有源鳍上的第二栅极电极。第一栅极电极可以在交叉第二方向的第三方向上延伸，第二栅极电极可以在第三方向上延伸。第一栅极电极和第二栅极电极可以具有不同的栅极间距。一种用于制造半导体器件的方法可以包括形成在第一方向上从基板突出并在交叉第一方向的第二方向上延伸的有源鳍以及在有源鳍上形成虚设栅极电极。该方法还可以包括顺序地进行第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺以在邻近虚设栅极电极的有源鳍中形成第一沟槽。第一蚀刻工艺可以使用第一蚀刻剂进行第一时长，第二蚀刻工艺可以使用第二蚀刻剂进行第二时长。该方法还可以包括顺序地进行第三蚀刻工艺和第四蚀刻工艺以在第一沟槽下面的有源鳍中形成第二沟槽。第三蚀刻工艺可以使用第三蚀刻剂进行第三时长，第四蚀刻工艺可以使用第四蚀刻剂进行第四时长。第一、第二、第三和第四蚀刻工艺可以在一个腔室中进tx。在一些实施例中，第一蚀刻工艺和第三蚀刻工艺的每个可以包括各向异性刻蚀工艺，第二蚀刻工艺和第四蚀刻工艺的每个可以包括各向同性蚀刻工艺。根据一些实施例，第一蚀刻剂的浓度可以不同于第三蚀刻剂的浓度，第二蚀刻剂的浓度可以不同于第四蚀刻剂的浓度。根据一些实施例，第一蚀刻剂的浓度可以低于第三蚀刻剂的浓度，第二蚀刻剂的浓度可以低于第四蚀刻剂的浓度。在一些实施例中，第一时长可以不同于第三时长，第二时长可以不同于第四时长。根据一些实施例中，第一时长可以比第三时长更长，第二时长可以比第四时长更长。在一些实施例中，该方法可以另外包括在进行第二蚀刻工艺之后对有源鳍进行第一钝化工艺以及在进行第四蚀刻工艺之后对有源鳍进行第二钝化工艺。根据一些实施例，该方法可以另外包括在虚设栅极电极的侧面上形成间隔物。间隔物可以在形成第一和第二沟槽时同时地形成。一种用于制造半导体器件的方法可以包括:在基板中形成有源图案；对基板顺序地进行第一各向异性刻蚀工艺和第一各向同性蚀刻工艺以在有源图案中形成第一沟槽；以及对包括第一沟槽的有源图案进行第一钝化工艺。该方法还可以包括:在进行第一钝化工艺之后，对基板顺序地进行第二各向异性刻蚀工艺和第二各向同性蚀刻工艺以在第一沟槽下面的有源图案中形成第二沟槽；以及对包括第二沟槽的有源图案进行第二钝化工艺。第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺可以在不同的处理条件下进行，第一各向同性蚀刻工艺和第二各向同性蚀刻工艺可以在不同的处理条件下进行。第一和第二各向异性刻蚀工艺、第一和第二各向同性蚀刻工艺以及第一和第二钝化工艺可以在一个腔室中进行。一种集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分(sect1n)。根据一些实施例，所述多个弯曲的侧壁部分中的每个可以是凸起的。根据一些实施例，源极/漏极区可以包括由所述多个弯曲的侧壁部分中的各侧壁部分限制的多个段(segment)。所述多个段中的第一段可以具有第一最大宽度，所述多个段中的第二段可以具有第二最大宽度，该第二最大宽度可以大于第一最大宽度。在一些实施例中，所述多个段中的第一段可以具有第一厚度，所述多个段中的第二段可以具有第二厚度，第二厚度可以大于第一厚度。在一些实施例中，所述多个段中的第一段可以设置在栅极结构与所述多个段中的第二段之间。根据一些实施例，源极/漏极区可以包括由所述多个弯曲的侧壁部分中的各侧壁部分限制的多个段(segment)。所述多个段中的第一段可以具有第一最大宽度，所述多个段中的第二段可以具有第二最大宽度，该第二最大宽度可以基本上等于第一最大宽度。根据一些实施例，源极/漏极区可以包括由所述相应的多个弯曲的侧壁部分限制的多个段(segment)。所述多个段可以沿基本上垂直于基板的表面的方向设置。所述多个段可以具有可沿该方向单调地减小的相应的最大宽度。一种集成电路器件可以包括在基板的表面上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：有源鳍，在第一方向上从基板突出并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；栅极电极，设置在所述有源鳍上并在交叉所述第二方向的第三方向上延伸；沟槽，在邻近所述栅极电极的所述有源鳍中；以及半导体图案，在所述沟槽中，其中：所述半导体图案包括第一段和第二段，所述第一段设置在所述栅极电极和所述第二段之间；所述第一段具有在所述第二方向上的第一最大宽度，所述第一最大宽度不同于所述第二段在所述第二方向上的第二最大宽度；并且所述第一段具有在所述第一方向上的第一最大厚度，所述第一最大厚度不同于所述第二段在所述第一方向上的第二最大厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣钟，李正允，金东贤，李馥英，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR