【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种一次编程存储电路，包括：存储单元，包括具有浮栅的第一存储晶体管和第二存储晶体管，分别用于存储不同的第一逻辑值和第二逻辑值；写入电路，包括第一晶体管和第二晶体管，分别与第一存储晶体管和第二存储晶体管相连接，用于分别对第一存储晶体管和第二存储晶体管进行编程；读取电路，包括第三晶体管和第四晶体管，用于将所述存储单元的第一逻辑值和第二逻辑值转换成不同电平的输出信号；以及第一开关和第二开关，分别连接在第一存储晶体管和第三晶体管之间以及第二存储晶体管和第三晶体管之间，用于在写入操作中断开存储单元和读取电路，以及在读取操作中连接存储单元和读取电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李帆，李焱，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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