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一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法技术

技术编号:11901331 阅读:139 留言:0更新日期:2015-08-19 13:26
本发明专利技术涉及一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法,复合三维纳米材料由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层,TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间;形状为稻草捆状,长度为200~300µm,中心处直径为50~120µm。其制备方法为, TGA修饰的CdTe量子点在室温下用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层,然后分散到PBS缓冲液自组装得到具有高发光亮度的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法
本专利技术属于纳米功能材料领域,涉及一种水溶性CdTe量子点自组装形成的三维纳米结构,尤其是一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法。
技术介绍
由于量子点小的尺寸,大的比表面积,对溶液环境非常敏感,表面性质的改变会导致许多新的现象发生,虽然关于量子点的研究已经历的几十年,但仍然有许多未知的领域有待于进一步的探索,这些想象对量子点的基础研究和应用都有重要的意义。对于水溶性的量子点,CdTe由于其优异的性质而备受关注,特别是这些水溶的量子点在生物探针、发光装置、太阳能电池等领域有重要的应用。水溶性的CdTe量子点通常用巯基乙酸(TGA)作为活性剂,以避免量子点在水溶液中的团聚,而TGA分子本身带有巯基和羧基两个官能团,这些官能团也给量子点的研究增添了新的内容。溶胶凝胶SiO2由于其良好的生物适应性和稳定性,在量子点领域有很重要的应用,由于溶胶凝胶SiO2含有很多的羟基,遇到表面敏感的量子点会产生一系列的相互作用,因此采用溶胶凝胶技术及TGA配体修饰的量子点在PBS缓冲液中自组装制备高发光亮度的三维复合结构,不仅有利于研究工作者探索各种量子点的性质,而且由于量子点在PBS缓冲液及三维结构中高的稳定性和强的发光,具有很好的应用前景。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,形状为稻草捆状,结构新颖,且具有高的稳定性和荧光亮度,可广泛应用于传感器、发光装置及太阳能电池等。本专利技术还提供了上述CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料的制备方法,TGA修饰的CdTe量子点在室温下用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层,然后分散到PBS缓冲液中,自组装得到具有高发光亮度的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料。本专利技术是通过以下措施来实现的:一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,其特征在于:由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层,TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间;所述的复合三维纳米材料形状为稻草捆状,长度为200~300µm,中心处直径为50~120µm;所述的CdTe量子点的直径为2~10nm;所述的CdTe量子点与SiO2、TGA的摩尔比为(5~8):(1~4):11。一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料的制备方法,包括以下步骤:1)水溶性CdTe量子点表面包覆SiO2层:将硅烷试剂和氨水加入到量子点浓度为10-4~10-5M的TGA修饰的CdTe量子点水溶液中,搅拌1~10h,得透明溶液;2)自组装形成复合三维纳米材料:向步骤1)制备的溶液中,加入0.5~0.6倍体积的浓度为1M的PBS缓冲液,混匀,密封,室温下静置2~12个月,离心分离出自组装后的纳米复合材料,水洗,再分散到水中,其中量子点的分散浓度为10-4~10-5M,得到自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料。步骤1)中所述的硅烷试剂与氨水、TGA修饰的CdTe量子点水溶液体积比为(1~4):100:2000;步骤1)中所述的氨水质量浓度为25%;步骤1)中所述的硅烷试剂为正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、正硅酸丙酯或正硅酸丁酯;步骤2)中所述的PBS缓冲液pH为7.4。本专利技术制备方法中,需首先用TGA修饰CdTe量子点,得到步骤1)所述的水溶性CdTe量子点,即TGA修饰的CdTe量子点,本领域技术人员可根据已经掌握的或文献中记载的合成方法合成,本专利技术不再赘述。然后,将TGA修饰的CdTe量子点利用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层,SiO2层可对量子点的表面起到钝化作用,降低量子点表面的缺陷,使量子点具有较高的稳定性。最后,将上述由TGA修饰的,且包覆了SiO2层的水溶性CdTe量子点,通过在PBS缓冲液里自组装形成一种新的稻草捆状复合三维纳米材料。通过在PBS缓冲溶液中自组装过程,不仅赋予了本专利技术复合三维纳米材料新的形貌,而且由于SiO2对量子点表面的钝化作用,具有了高的稳定性和荧光亮度,在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛应用前景。本专利技术一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法,其有益效果为:1)本专利技术自组装的复合三维纳米材料的制备方法,是利用溶胶凝胶的方法,将SiO2层包覆在TGA修饰的CdTe量子点表面,并在PBS缓冲溶液中实现了包覆了SiO2的CdTe量子点的自组装。在缓冲溶液中通过自组装,本专利技术复合三维纳米材料不仅具有了新的形貌,而且保持了较高的发光效率和光学稳定性。2)本专利技术自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料是一种新的稻草捆状结构,结构新颖,性质优于普通的水相量子点溶液,具有高的稳定性和荧光亮度,在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛应用前景。附图说明图1为实施例1样品的光学显微镜照片。具体实施方式下面通过实施例对本专利技术进行进一步的阐述,需要说明的是,下述说明仅是为了解释本专利技术,并不对其内容进行限定。实施例11.1采用水相法合成CdTe量子点:首先合成制备CdTe量子点所需的NaHTe,将Te粉与NaBH4按照摩尔比1:5混合,加入一定量的水,氮气保护下60℃水浴加热并搅拌至溶液变为淡紫色。将0.4mmol的CdCl2·2.5H2O溶于25mL水中,加入0.6mmol巯基乙酸(TGA),搅拌,然后加入浓度为1M的NaOH溶液直至溶液的PH值调节为11.2。将该溶液氮气除氧30分钟,然后注入上述制备的NaHTe溶液,100℃下加热回流0.5h,即得水溶性的发绿色光的CdTe量子点(粒径为2.6nm)。利用乙醇与异丙醇将量子点从溶液中沉淀、离心分离,并将得到的量子点分散到水中。1.2将1.5μL的正硅酸乙酯和100μL的25%的氨水加入到2mLTGA修饰的CdTe量子点水溶液中,量子点的直径为2.8nm,量子点的浓度为1×10-5M,搅拌5h得到均匀透明的溶液。1.3把1mL1MpH为7.4的PBS缓冲液加到步骤1.2的溶液中,搅拌30min,之后转入玻璃瓶中加盖,放置在室温下静置保存6个月,溶液经离心分离出自组装后的纳米复合材料,水洗,再分散到水中,其中量子点的的分散浓度为4×10-5M,得到本实施例自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,为稻草捆状,其平均尺寸为长度230µm,中心处直径为80µm;图1为实施例1复合三维纳米材料的光学显微镜照片,发绿色荧光,荧光强度为原来荧光强度的99%,发光效率能达到50%,在室温下可储存12个月,并保持原有的发光效率。实施例22.1采用水相法合成CdTe量子点:同1.1。2.2将2μL的正硅酸甲酯和100μL的25%的氨水加入到2mLTGA修饰的CdTe量子点中,量子点的直径为8nm,量子点的浓度为5×10-5M,搅拌3h得到均匀透明的溶液。2.3把1mL1MpH为7.4的PBS缓冲液加到步骤2.1的溶液中,搅拌30min,之后转入玻璃瓶中加盖,放置在室温下静置保存本文档来自技高网...
一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法

【技术保护点】
一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,其特征在于:由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层,TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间;所述的复合三维纳米材料形状为稻草捆状,长度为200~300µm,中心处直径为50~120µm;所述的CdTe量子点的直径为2~10nm;所述的CdTe量子点与SiO2、TGA的摩尔比为(5~8) : (1~4) : 11。

【技术特征摘要】
1.一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)水溶性CdTe量子点表面包覆SiO2层:将硅烷试剂和氨水加入到量子点浓度为10-4~10-5M的TGA修饰的CdTe量子点水溶液中,搅拌1~10h,得透明溶液;2)自组装形成复合三维纳米材料:向步骤1)制备的溶液中,加入0.5~0.6倍体积的浓度为1M的PBS缓冲液,混匀,密封,室温下静置2~12个月,离心分离出自组装后的纳米复合材料,水洗,再分散到水中,其中量子点的分散浓度为10-4~10-5M,得到自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料;所述的自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料:由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨萍陈玲苗艳平张爱玉
申请(专利权)人:济南大学
类型:发明
国别省市:山东;37

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