基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统技术方案

本发明专利技术公开了基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统，其由栅极驱动电路、逻辑控制电路、功率放大器P1、功率放大器P2、脉冲比较器U1、脉冲比较器U2、振荡器、主误差放大器W1、安全误差放大器W2、多路输出稳压电源以及场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS4、场效应管MOS5和场效应管MOS6，与主误差放大器W1的正极输入端相连的光束激发式逻辑放大电路，以及串接在光束激发式逻辑放大电路与安全误差放大器W2的正极输入端之间的门极驱动电路组成。本发明专利技术采用门极驱动电路，其可以快速的对LED保护系统进行驱动，从而使本发明专利技术的反应速度更快，能够更好的对LED进行保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED保护电路，具体是指基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动电路来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。虽然这些保护系统大多都具备短路保护功能和过热保护功能，但这些保护系统的结构往往都比较复杂，并且反应速度较慢，不能及时的对LED灯进行保护。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前LED灯保护系统所存在的结构复杂、并且反应速度较慢的缺陷，提供基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统，其由栅极驱动电路、逻辑控制电路、与逻辑控制电路相连接的功率放大器Pl和功率放大器P2，与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器Ul和脉冲比较器U2，栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOSl、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管M0S4，串接在脉冲比较器Ul的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器，输出端均与脉冲比较器Ul的正极输入端和脉冲比较器U2的正极输入端相连接的主误差放大器Wl和安全误差放大器W2，源极均与主误差放大器Wl和安全误差放大器W2的输出端相连接的场效应管MOS5和场效应管MOS6，分别与场效应管MOSl、场效应管M0S3、功率放大器Pl和功率放大器P2相连接并为其提供电流的多路输出稳压电源，与主误差放大器Wl的正极输入端相连接的光束激发式逻辑放大电路，以及串接在光束激发式逻辑放大电路与安全误差放大器W2的正极输入端之间的门极驱动电路组成。进一步的，所述的门极驱动电路由三极管Q1，三极管Q2，场效应管M0S7，单向晶闸管D11，负极与三极管Q2的基极相连接、正极则与光束激发式逻辑放大电路相连接的电容C16，与电容C16相并联的电阻R17，一端与电容C16的正极相连接、另一端则与三极管Q2的发射极相连接的同时接地的电阻R16，一端与三极管Ql的集电极相连接、另一端则与电容C16的正极相连接的电阻R15，串接在三极管Ql的集电极和基极之间的电阻R18，N极与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电阻R19后与场效应管M0S7的栅极相连接的二极管D10,正极与三极管Q2的发射极相连接、负极则经电阻R20后与场效应管M0S7的栅极相连接的电容C17，正极与电容C17的负极相连接、负极则与单向晶闸管Dll的P极相连接的电容C18，以及正极与单向晶闸管Dll的控制极相连接、负极则与安全误差放大器W2的正极输入端相连接的电容C19组成；所述三极管Ql的基极与三极管Q2的集电极相连接、其发射极则与二极管DlO的P极相连接；所述场效应管MOS7的漏极接地、其源极则与单向晶闸管Dll的N极相连接。所述光束激发式逻辑放大电路由功率放大器P3，与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P3的正极输入端相连接、正极经光二极管D8后接地的极性电容C13，一端与极性电容C13的正极相连接、另一端经二极管D9后接地的电阻R1，正极与电阻Rl和二极管D9的连接点相连接、负极接地的极性电容C15，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P3的正极输入端相连接的电阻R2，串接在功率放大器P3的负极输入端与输出端之间的电阻R3，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R4，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C14，以及一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R5组成；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器P3的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接；与非门IC3的正极输入端与功率放大器P3的输出端相连接，其输出端则与电容C16的正极相连接；所述极性电容C13的正极则与主误差放大器Wl的正极输入端相连接；所述场效应管MOSl的漏极与场效应管M0S2的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的Vl电压端相连接；场效应管M0S2的栅极与功率放大器Pl的正极输入端相连接，其漏极接地；场效应管M0S3的漏极与场效应管M0S4的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的Vl电压端相连接；场效应管M0S4的栅极与功率放大器P2的正极输入端相连接，其漏极接地；所述功率放大器Pl的负极输入端与多路输出稳压电源的V2电压端相连接，功率放大器P2的负极输入端与多路输出稳压电源的V3电压端相连接；所述脉冲比较器Ul的正极输入端、脉冲比较器U2的正极输入端、主误差放大器Wl的输出端和安全误差放大器W2的输出端均与多路输出稳压电源的V2电压端相连接；主误差放大器Wl的负极输入端和安全误差放大器W2的负极输入端均外接1.23V电压；所述场效应管M0S5的漏极和场效应管M0S6的漏极均接地。所述多路输出稳压电源由变压器T，与变压器T的副边线圈L2相连接的第一输出电路，与变压器T的副边线圈L3相连接的第二输出电路以及与变压器T的副边线圈L4相连接的第三输出电路组成。所述第一输出电路由二极管D1、电容Cl、电容C2及电感L5组成，所述二极管Dl的P极与副边线圈L2的同名端相连接、其N极则经电容Cl后与副边线圈L2的非同名端相连接；电感L5的一端与二极管Dl与电容Cl的连接点相连接、另一端则经电容C2后与副边线圈L2的非同名端相连接；电容C2的两端则形成Vl电压端。所述第二输出电路由二极管整流器Z1、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、集成稳压器W7806和集成稳压器W7809组成；所述二极管整流器Zl的输入端与副边线圈L3相并联，电容C3的正极与二极管整流器Zl的正极输出端相连接、其负极则与二极管整流器Zl的负极输出端相连接；电容C4的正极与电容C3的正极相连接、其负极与电容C5的正极相连接，电容C5的负极则与电容C3的负极相连接；集成稳压器W7806的第一输出端与电容C4的正极相连接、其第二输出端则电容C4的负极相连接；集成稳压器W7809的第一输出端与电容C5的正极相连接、其第二输出端则电容C5的负极相连接，电容C6则串接在集成稳压器W7809的第一输出端与第三输出端之间；所述集成稳压器W7806的第三输出端与集成稳压器W7809的第三输出端则形成V2电压端。所述第三输出电路由二极管整流器Z2、电容C7、电容C8、电容C9、二极管D2及集成稳压器W7809组成；所述二极管整流器Z2的输入端与副边线圈L4相并联，电容C7的则串接在二极管整流器Z2的正极输出端和负极输出端之间，电容C8与电容C7相并联，电容C9串接在集成稳压器W7809的第三输出端与第二输出端之间；二极管D2则串接在集成稳压器W7809的第一输出端与第三输出端之间；电容C9的两端则形成V3电压端。所述的逻辑控制电路由与非门IC4，与与非门IC4的正极输入端相连接的第一逻辑链路和第二逻辑链路以及滤波延时电路，以及输入端与与非门IC4的输出端相连接的非门IC8组成；所述的第一逻辑链路本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于多路输出稳压电源的门极驱动型蓝光LED保护系统，其由栅极驱动电路、逻辑控制电路、与逻辑控制电路相连接的功率放大器P1和功率放大器P2，与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器U1和脉冲比较器U2，栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管MOS4，串接在脉冲比较器U1的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器，输出端均与脉冲比较器U1的正极输入端和脉冲比较器U2的正极输入端相连接的主误差放大器W1和安全误差放大器W2，源极均与主误差放大器W1和安全误差放大器W2的输出端相连接的场效应管MOS5和场效应管MOS6，分别与场效应管MOS1、场效应管MOS3、功率放大器P1和功率放大器P2相连接并为其提供电流的多路输出稳压电源，以及与主误差放大器W1的正极输入端相连接的光束激发式逻辑放大电路组成；其特征在于，在光束激发式逻辑放大电路与安全误差放大器W2的正极输入端之间还串接有门极驱动电路；所述的门极驱动电路由三极管Q1，三极管Q2，场效应管MOS7，单向晶闸管D11，负极与三极管Q2的基极相连接、正极则与光束激发式逻辑放大电路相连接的电容C16，与电容C16相并联的电阻R17，一端与电容C16的正极相连接、另一端则与三极管Q2的发射极相连接的同时接地的电阻R16，一端与三极管Q1的集电极相连接、另一端则与电容C16的正极相连接的电阻R15，串接在三极管Q1的集电极和基极之间的电阻R18，N极与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电阻R19后与场效应管MOS7的栅极相连接的二极管D10，正极与三极管Q2的发射极相连接、负极则经电阻R20后与场效应管MOS7的栅极相连接的电容C17，正极与电容C17的负极相连接、负极则与单向晶闸管D11的P极相连接的电容C18，以及正极与单向晶闸管D11的控制极相连接、负极则与安全误差放大器W2的正极输入端相连接的电容C19组成；所述三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极相连接、其发射极则与二极管D10的P极相连接；所述场效应管MOS7的漏极接地、其源极则与单向晶闸管D11的N极相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：周云扬，
申请(专利权)人：成都冠深科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51