气体净化过滤器单元制造技术

本发明专利技术的气体净化过滤器单元(10)包含：去除由臭氧产生装置产生的臭氧所含的杂质中的气体成分的杂质的第一去除部(11)、及配置在该第一去除部的后段且自去除了气体成分的杂质中进而去除固体微粒子的杂质的第二去除部(12)。通过自所述气体净化过滤器单元(10)的流入端(10a)流入包含杂质的臭氧，并使其透过第一去除部(11)及第二去除部(12)，而自流出端(10b)排出去除了杂质的臭氧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种气体净化过滤器单元，详细而言，本专利技术涉及一种去除臭氧气体 中所含的气体成分或固体微粒子等杂质的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造中，着眼于较高的氧化能力而使用臭氧（03)。臭氧有在气体 状态下使用的情形，也有溶于水中而作为臭氧水使用的情形。作为使用气体状态的臭氧的 情形，例如在一系列的光微影步骤中，用于蚀刻处理后的抗蚀剂去除。对于抗蚀剂去除，迄 今为止一直采用使用氧电浆的处理方法，但在使用氧电浆的情形时，已知产生例如使半导 体晶圆的闸极氧化膜的耐性劣化等各种损害的情况。 因此，作为不会产生所述损害的无损害的抗蚀剂去除方法，提出对抗蚀剂表面吹 送臭氧而使抗蚀剂氧化分解的方法。进而，为了提高分解效率，也提出在水分的存在下吹送 臭氧的方法。例如在专利文献1中提出如下技术：在利用单一装置进行光微影步骤中的自 抗蚀剂去除处理至清洗、干燥的一系列处理时，通过由水蒸气供给机构供给的水蒸气而在 抗蚀剂表面形成较薄的纯水的液膜，使由臭氧供给机构供给的臭氧溶解于所述液膜中，借 此将抗蚀剂分解成羧酸、二氧化碳、水等。 另外，在专利文献2中揭示有使用臭氧水清洗基盘的构成。关于该构成，提出利用 仅使气体通过且阻止液体透过的非多孔性臭氧气体透过高分子膜，使由臭氧产生器产生的 臭氧与使臭氧溶解的水隔开地邻接，借此不同于使臭氧直接与水接触的情形，使臭氧在加 压状态下透过非多孔性臭氧气体透过高分子膜，而生成源自臭氧产生的金属粉等不会溶解 于水中的洁净且高浓度的臭氧水。 然而，作为将臭氧应用在半导体装置的制造步骤时的课题，有由臭氧中所含的杂 质引起污染、尤其是金属污染的担忧。成为污染源的金属可列举：通过在电极间进行无声放 电而生成臭氧时所产生的源自电极的金属、或用作臭氧的供给路径的金属配管与臭氧的反 应产物、及与臭氧生成时附带生成的氮氧化物的反应产物等。 所述金属杂质对电性质、例如导电率、电阻、介电常数等器件（device)性能造成 较大的影响。一般而言，金属杂质的导电性大于器件材料，因此即便为由低浓度的金属杂质 引起的污染，也在费米能阶中或作为各个电荷载子，对这些性质造成较深的影响。金属浓度 对大多数半导体材料的电性质造成的影响已在大量文献中被知晓。 作为自半导体装置的制造步骤等中所使用的臭氧中去除杂质的方法，已知自臭氧 产生源介置过滤器单元而对半导体的制造步骤供给臭氧的方法。作为现有的过滤器单元， 已知例如使用吸附杂质的气体融合材而去除气体状杂质的过滤器单元。另外，也已知使用 片状滤材等滤除固体微粒子状杂质的过滤器单元。另一方面，也对臭氧产生器的用以进行 无声放电的电极构造或电极材料进行改善而产生金属杂质较少的臭氧。 专利文献1 :日本专利特开2001-176833号公报 专利文献1 :日本专利特开2002-057136号公报
技术实现思路
然而，作为现有已知的自臭氧中去除杂质的过滤器单元，仅已知目的在于主要去 除气体状杂质的过滤器单元、或目的在于去除固体微粒子状杂质的过滤器单元，因此期望 获得高效率地去除臭氧中所含的气体状杂质与固体微粒子状杂质两者的过滤器单元。 另外，如果仅改善臭氧产生器的电极构造或电极材料，那么难以将所产生的臭氧 中所含的金属杂质的量降低至不会污染半导体装置的制造步骤的程度。 本专利技术是鉴于所述现有的实际情况而成，目的在于提供一种气体净化过滤器单 元，其可高效率地去除臭氧中所含的气体状杂质与固体微粒子状杂质两者，而可供给不会 污染半导体装置的制造步骤的臭氧。 为了解决所述课题，本专利技术的若干形态提供如下的气体净化过滤器单元。 即，本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：其是去除臭氧气体中所含的杂质 的气体净化过滤器单元，且 包含自所述杂质中去除气体成分的第一去除部、及配置在该第一去除部的后段且 自去除了所述气体成分的杂质中去除固体微粒子的第二去除部。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述第一去除部包含吸附所述气体成 分的吸附材。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述吸附材为硅胶。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述硅胶具有多个细孔，各个细孔的 口径为l〇nm以下。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述硅胶形成为直径0. 5mm以上且 3mm以下的球状。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述吸附材包含二氧化硅、及氧化铝。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述吸附材包含二氧化硅相对于氧化 错的比率为10以上的尚娃沸石。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述第二去除部包含滤除所述固体微 粒子的部位。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述第二去除部是包含耐臭氧腐蚀性 的树脂壳体、及收容在该树脂壳体内的所述部位而成。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述部位是形成为片状的滤材，且折 叠收容在所述树脂壳体内。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述滤材其标称孔径为0. 2ym以上 且0. 5ym以下的范围。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述树脂壳体、及所述滤材包含氟系 树脂。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述氟系树脂包含四氟乙烯-六氟丙 烯共聚物、聚四氟乙烯、全氟烷氧基氟树脂中的至少1种以上。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述第一去除部具备收容所述吸附材 的外装体、及形成在该外装体的一部分且可装卸地收容构成所述第二去除部的树脂壳体的 收容部。 本专利技术的气体净化过滤器单元的特征在于：所述收容部具备包含不锈钢的网构 件。 根据本专利技术的气体净化过滤器单元，由第一去除部及第二去除部构成气体净化过 滤器单元，其中第一去除部是去除由臭氧产生装置产生的臭氧所含的杂质中的气体成分的 杂质，第二去除部是配置在该第一去除部的后段且自去除了气体成分的杂质中进而去除固 体微粒子的杂质，借此可高效率地去除由臭氧产生器产生的臭氧中所含的气体状杂质与固 体微粒子状杂质两者。 如果将所述构成的气体净化过滤器单元作为线内过滤器而插入例如臭氧产生器 与半导体装置的制造步骤之间，那么可对半导体装置的制造中的臭氧处理步骤供给金属杂 质极少的高纯度的臭氧，可减轻半导体装置受到重金属等污染的担忧。【附图说明】图1是表示本专利技术的实施形态的气体净化过滤器单元的剖面图。图2A是表示自本专利技术的实施形态的气体净化过滤器单元中的第一去除部卸除第 二去除部后的状态的剖面图。 图2B是本专利技术的实施形态的气体净化过滤器单元中的第二去除部的概略剖面 图。 图3是表示适宜用于第二去除部的滤材的构造的要部断裂立体图。图4是表示滤材的收容状态的要部断裂立体图。【具体实施方式】 以下参照图式对本专利技术的气体净化过滤器单元的一实施形态进行说明。另外，本 实施形态是为了更好地理解专利技术的主旨而具体地进行说明的实施形态，只要无特别指定那 么并不限定本专利技术当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体净化过滤器单元，其特征在于：其是去除臭氧气体中所含的杂质的气体净化过滤器单元，且包含自所述杂质中去除气体成分的第一去除部、及配置在该第一去除部的后段且自去除了所述气体成分的杂质中去除固体微粒子的第二去除部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：野崎文雄，岛田丰，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US