本发明专利技术提供了一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备，固定装置用于将被加工工件固定在位于反应腔室内的基座的承载面上，固定装置包括位于基座上方的固定环板，在固定环板的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个固定爪，每个固定爪的下表面叠置在置于基座的承载面上的被加工工件的上表面的边缘区域以将被加工工件固定在基座的承载面上。本发明专利技术提供的固定装置，其可以无需相对于固定装置下降基座就可以增大被加工工件的可加工面积，因而可以满足后续工序的需要和降低后续工序的加工难度，从而可以保证工艺的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备。
技术介绍
穿透娃通孔(Through Silicon Via,以下简称TSV)技术是目前实现电子产品封装变小的关键技术。在进行后续封装工艺时，TSVPVD设备主要应用于在TSV工艺流程中沉积薄膜，且由于进行后续封装工艺的被加工工件较薄，通常在沉积薄膜时要求采用固定装置将被加工工件固定在承载被加工工件的基座的上表面上。图1为现有的TSV PVD设备的剖视图。图2为图1中I区域的局部放大图。图3为图1中固定装置的俯视图。请一并参阅图1、图2和图3，等离子体加工设备包括反应腔室100，其中，在反应腔室100内的顶部的设置有靶材105，靶材105与设置在反应腔室100外侧的激励源(图中未示出)电连接，用以将反应腔室100内的气体激发成等离子体，且激励源在靶材105上产生一定的负偏压，以吸引等离子体中的正离子轰击靶材105的表面，使靶材105表面的金属原子逸出并沉积在被加工工件101的表面，从而在被加工工件101的表面沉积薄膜。并且，在反应腔室100内设置有基座102和固定装置，其中，被加工工件101置于基座102的承载面上；固定装置包括固定环板104，固定环板104的下表面的靠近环孔106的环形区域与被加工工件101的上表面的边缘区域相互叠置，用以将被加工工件101固定在基座102的承载面上，此外，在基座102内设置有热交换管道103，且热交换管道103的出气口位于基座102的上表面，进气口与热交换媒介源相连通，在进行工艺的过程中，由热交换媒介源提供的热交换媒介经由热交换管道103流入被加工工件101的下表面和基座102的承载面之间的间隙中，以实现热交换媒介与被加工工件101的热交换，从而使被加工工件101的温度达到工艺所需的温度。在实际应用中，采用上述固定装置的TSV PVD设备会存在以下问题，即:由于固定环板104的下表面的靠近环孔106周边的环形区域叠置在被加工工件101的上表面的边缘区域，这使得等离子体不能在被加工工件101的上表面的边缘区域沉积薄膜，从而不仅导致被加工工件101的可加工面积不能满足后续工序的需要，而且还可能增加后续工序(如电镀工序)的加工难度。为此，在沉积薄膜工艺进行至后期时，通常需要将基座102相对于固定环板104下降预定距离，以使被加工工件101的上表面与固定环板104的下表面彼此分离，从而使得等离子体可以在整个被加工工件101的上表面上沉积薄膜，以满足后续工序的需要。然而，这又会存在以下问题，即:由于在基座102相对于固定环板104下降预定距离之后，在被加工工件101的上表面和固定环板104的下表面之间会存在竖直间隙，这使得流入被加工工件101的下表面和基座102的承载面之间的间隙中的热交换媒介会经由该竖直间隙泄漏至反应腔室100内，导致对反应腔室100内的工艺环境产生不良影响，从而在基座102相对于固定环板104下降预定距离的情况下，必须停止借助热交换媒介加热被加工工件101，导致无法控制被加工工件101的温度，进而降低了工艺质量。此外，等离子体中的金属原子还会经由该竖直间隙溅射到反应腔室100内的位于基座102下方的区域，这会对位于该区域内的电子器件造成损伤，甚至还可能出现电子器件因金属原子的沉积而连通的问题，造成更严重的后果。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备，其可以无需相对于固定装置下降基座就可以增大被加工工件的可加工面积，因而可以满足后续工序的需要和降低后续工序的加工难度，从而可以保证工艺的稳定性。本专利技术提供了一种固定装置，用于将被加工工件固定在位于反应腔室内的基座的承载面上，所述固定装置包括位于所述基座上方的固定环板，在所述固定环板的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个固定爪，每个所述固定爪的下表面叠置在置于所述基座的承载面上的被加工工件的上表面的边缘区域以将所述被加工工件固定在所述基座的承载面上。其中，所述固定环板的内径不大于置于所述基座的承载面上的被加工工件的外径。其中，多个所述固定爪沿所述固定环板的内周壁均匀分布。其中，所述固定装置还包括与所述固定环板相对设置的遮挡环，且所述遮挡环的外径不小于所述固定环板的外径；并且所述遮挡环的内径与所述固定环板的内径相等。其中，所述遮挡环的数量为多个，多个所述遮挡环沿竖直方向叠置，且除了位于最下层的遮挡环之外，每个所述遮挡环的下表面与位于其下方且相邻的遮挡环的上表面间隔设置；位于最下层的遮挡环的下表面与所述固定环板的上表面间隔设置。其中，对应地在每个所述遮挡环的下表面，且靠近其外缘的区域设置有凸部，所述遮挡环的凸部的下端叠置在位于其下方且相邻的所述遮挡环的上表面上，位于最下层的遮挡环的凸部的下端叠置在所述固定环板的上表面上；并且，多个所述遮挡环的所述凸部在竖直方向上对应设置，且沿竖直方向设置有贯穿多个所述遮挡环、凸部和所述固定环板的螺纹孔，所述遮挡环、凸部和所述固定环板借助与所述螺纹孔相配合的一个螺钉固定在一起。其中，在位于最上层的所述遮挡环的上表面上，且与所述螺钉相对应的位置处设置有保护罩，用以容纳所述螺钉的位于最上层的遮挡环的上表面上方的部分。其中，所述遮挡环的数量为一个，在所述遮挡环的下表面，且靠近其外缘的区域设置有凸部，所述凸部的下端叠置在所述固定环板的上表面上；并且沿竖直方向设置有贯穿所述遮挡环、凸部和所述固定环板的螺纹孔，所述遮挡环、凸部和所述固定环板借助与所述螺纹孔相配合的一个螺钉固定在一起。其中，在所述遮挡环的上表面上，且与所述螺钉相对应的位置处设置有保护罩，用以容纳所述螺钉的位于所述遮挡环的上表面上方的部分。其中，所述保护罩的外表面采用喷砂处理方式处理。其中，所述遮挡环所采用的材料包括不锈钢。其中，所述遮挡环的外表面采用喷砂处理方式处理。其中，所述固定环板所采用的材料包括不锈钢。其中，相邻两个所述固定爪之间的爪间距根据所述被加工工件的材料设置。本专利技术还提供一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载被加工工件的基座，以及用于将所述被加工工件固定在所述基座的承载面上的固定装置，所述固定装置采用本专利技术提供的上述固定装置。其中，所述反应腔室还包括热交换媒介源，并且，在所述基座内设置有热交换管道，所述热交换管道的出气口位于所述基座的承载面上，所述热交换管道的进气口与所述热交换媒介源相连通；所述热交换媒介源用于经由所述热交换管道向所述基座的承载面与置于其上的被加工工件的下表面之间间隙提供热交换媒介。本专利技术还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室采用本专利技术提供的上述反应腔室。本专利技术具有下述有益效果:本专利技术提供的固定装置，其借助在固定环板的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个固定爪，每个固定爪的下表面叠置在置于基座的承载面上的被加工工件的上表面的边缘区域，以将被加工工件固定在基座的承载面上。由于间隔设置的多个固定爪仅遮挡了基座承载面上的被加工工件的部分边缘区域，这与现有技术中固定装置完全遮挡了基座承载面上的被加工工件的整个边缘区域相比，无需相对于固定装置下降基座就可以增大被加工工件的可加工面积，这不仅可以避免由于下降基座造成的热交换媒介本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种固定装置，用于将被加工工件固定在位于反应腔室内的基座的承载面上，其特征在于，所述固定装置包括位于所述基座上方的固定环板，在所述固定环板的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个固定爪，每个所述固定爪的下表面叠置在置于所述基座的承载面上的被加工工件的上表面的边缘区域以将所述被加工工件固定在所述基座的承载面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑金果，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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