本实用新型专利技术涉及一种通断电检测复位电路。所述电路包括：偏置电路模块，用于根据可调电流源提供的电流，生成第一偏置电流和第二偏置电流；参考电压模块，用于根据所述第一偏置电流，生成参考电压；比较电路模块，用于根据所述第二偏置电流，生成阈值电压，根据所述阈值电压比较电源电压与所述参考电压，根据比较结果判断电源是否发生断电或通电；复位信号生成模块，用于当判断所述电源发生断电或通电时，生成复位信号，输出所述复位信号。本实用新型专利技术用以实现对电路中断电和通电的检测复位，电路简单，实现灵活，功耗低。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路领域，尤其涉及一种通断电检测复位电路。
技术介绍
电子系统在通断电的过程中，由于可能存在不同的电路模块，所以通断电时间不一致，进而引起系统在通断电瞬间出现工作混乱的现象，为了防止该现象的出现，可在一些电路模块中加入通断电检测复位电路。通断电检测复位电路在检测到系统发生断电或通电时，会发出复位信号，然后对电路进行复位，从而使系统进入预定的状态。传统的通断电检测复位电路一般存在结构复杂、功耗偏高的缺点。
技术实现思路
本技术提供一种通断电检测复位电路，用以实现对电路中断电和通电的检测复位，电路简单，实现灵活，功耗低。本技术提供一种通断电检测复位电路，包括:偏置电路模块，用于根据可调电流源提供的电流，生成第一偏置电流和第二偏置电流；参考电压模块，用于根据所述第一偏置电流，生成参考电压；比较电路模块，用于根据所述第二偏置电流，生成阈值电压，根据所述阈值电压比较电源电压与所述参考电压，根据比较结果判断电源是否发生断电或通电；复位信号生成模块，用于当判断所述电源发生断电或通电时，生成复位信号，输出所述复位信号。本技术设计一种通断电检测复位电路，偏置电路模块根据可调电流源提供的电流生成第一偏置电流和第二偏置电流，可为整个通断电检测复位电路提供偏置电流，参考电压模块根据偏置电路模块提供的第一偏置电流生成参考电压，在比较电路模块中根据第二偏置电流生成的阈值电压比较电源电压与参考电压，根据比较结果判断电源是否发生断电或通电，若电源发生断电或通电，则复位信号生成模块生成并输出复位信号，若电源未发生断电或通电，则复位信号生成模块生成并输出表示电源正常的信号，这样实现对电源断电和通电的检测复位，电路简单，实现灵活。并且通过偏置电路模块中的可调电流源，可以根据各电路模块的需求调整电流，选择保证电路正常工作的最小电流就可以实现整个通断电检测复位的功能，实现低功耗。【附图说明】图1为本技术通断电检测复位电路第一实施例的结构示意图；图2为本技术通断电检测复位电路第二实施例的结构示意图；图3为本技术通断电检测复位电路第二实施例中不同电压的曲线图。【具体实施方式】下面结合说明书附图和【具体实施方式】对本技术作进一步的描述。如图1所示，为本技术通断电检测复位电路第一实施例的结构示意图，该电路可以包括:偏置电路模块11、参考电压模块12、比较电路模块13和复位信号生成模块14，参考电压模块12与偏置电路模块11相连，比较电路模块13与参考电压模块12相连。在本实施例中，偏置电路模块11用于根据可调电流源提供的电流，生成第一偏置电流和第二偏置电流；参考电压模块12用于根据第一偏置电流生成参考电压Vref ;比较电路模块13用于根据第二偏置电流，生成阈值电压，根据阈值电压比较电源电压VDD与参考电压Vref，根据比较结果判断电源是否发生断电或通电；复位信号生成模块14用于判断电源发生断电或通电时，生成复位信号，输出该复位信号，当判断电源正常时，生成表示电源正常的信号，输出表示电源正常的信号。在本实施例中，通过偏置电路模块11根据可调电流源提供的电流生成第一偏置电流和第二偏置电流，可为整个通断电检测复位电路提供偏置电流，参考电压模块12根据偏置电路模块11提供的第一偏置电流生成参考电压Vref，通过在比较电路模块13中根据第二偏置电流生成的阈值电压比较电源电压VDD与参考电压Vref，由结果来判断电源是否发生断电或通电，若电源发生断电或通电，则复位信号生成模块14生成并输出复位信号，若电源未发生断电或通电，也就是电源正常，则复位信号生成模块14生成并输出表示电源正常的信号，这样实现对电源断电和通电的检测复位，电路简单，实现灵活。由于可调电流源提供的电流可调，所以可以根据各电路模块的需求调整由可调电流源提供的电流得到的第一偏置电流和第二偏置电流，选择保证电路正常工作的最小电流就可以实现整个通断电检测复位的功能，从而实现低功耗。可选地，再参见图1所示的示意图，偏置电路模块11可以包括:可调电流源I1、第一 PMOS管M1、第二 PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，可调电流源Il的正极与地连接，可调电流源Il的负极与第一 PMOS管Ml的漏极连接，第一 PMOS管Ml的源极、第二PMOS管M2的源极均与电源电压VDD连接，第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接并与第二 PMOS管M2的栅极连接，第三NMOS管M3的栅极、源极均与地连接，第四NMOS管M4的源极与地连接，第四NMOS管M4的栅极与漏极短接。其中，可以通过改变可调电流源Il的实现方式调整可调电流源Il提供的电流，可调电流源Il有多种实现方式，例如:用一个电阻实现可调电流源II，就可以通过调整电阻的阻值实现对电流的调整，从而可以得到可调整的第一偏置电流和第二偏置电流；第一 PMOS管Ml根据可调电流源提供的电流向参考电压模块12传递第一偏置电流，第二 PMOS管M2根据可调电流源提供的电流向第四NMOS管M4传递第二偏置电流，第四NMOS管M4向比较电路模块13传递第二偏置电流；第三NMOS管M3用于保护第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压，具体地，当断电发生，电源电压VDD下降的过程中，第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压也会随着下降，由于第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压低于电源电压VDD，所以当电源电压VDD降至OV时，第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压会低于0V，出现过冲现象，如果第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压过低，第三NMOS管M3的漏极与衬底之间的寄生二极管就会导通，这样就会由第三NMOS管M3的衬底向第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处注入电流，从而防止第一PMOS管Ml的栅极与漏极短接处的电压远远低于0V。可选地，在本实施例中，参考电压模块12用于将第一偏置电流施加在场效应晶体管上，生成参考电压Vref，具体地，再参见图1所示的示意图，参考电压模块12可以包括:第五PMOS管M5、参考电压生成单元121，第五PMOS管M5的源极与电源电压VDD连接，第五PMOS管M5的栅极与第一 PMOS管Ml的栅极与漏极短接处连接，第五PMOS管M5的漏极与参考电压生成单元121连接，参考电压生成单元121与地连接。其中，第五PMOS管M5与第一 PMOS管Ml组成镜像电流源为参考电压生成单元121提供第一偏置电流，参考电压生成单元121包括上述的场效应晶体管，参考电压Vref为场效应晶体管上的电压，该场效应晶体管在第一偏置电流的作用下导通，根据第一偏置电流生成参考电压Vref。可选地，在本实施例中，参考电压生成单元121中场效应晶体管可以为I个MOS管、或串联连接的两个以上MOS管，参考电压Vref为各MOS管上的电压的和，由于电路中只需保证各MOS管导通即可，所以第一偏置电流可以很小，所以MOS管上的电压近似等于该MOS管的截止电压，则参考电压Vref为各MOS管的截止电压之和。并且，由于参考电压生成单元121中可以调节MOS管的个数，所以参考电压Vref的大小可以调节。具体地，场效应晶体管可以为I个PMOS管，则PMOS管的源极与第五P本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种通断电检测复位电路，其特征在于，包括：偏置电路模块，用于根据可调电流源提供的电流，生成第一偏置电流和第二偏置电流；参考电压模块，用于根据所述第一偏置电流，生成参考电压；比较电路模块，用于根据所述第二偏置电流，生成阈值电压，根据所述阈值电压比较电源电压与所述参考电压，根据比较结果判断电源是否发生断电或通电；复位信号生成模块，用于当判断所述电源发生断电或通电时，生成复位信号，输出所述复位信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴强，金锐，
申请(专利权)人：昆腾微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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