一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法，通过调节不同阶段培养基中的氮源类型和浓度来促进杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根：在KNO3∶NH4NO3的比例为1∶1，总浓度为60mML-1的1/2MS培养基中利于杏黄兜兰无菌苗增殖，而以KNO3为氮源，浓度为40mML-1的1/2MS培养基利于其长出较多叶片数和较大叶面积，而浓度为0或10mML-1的KNO3为氮源的1/2MS培养基利于生根。本发明专利技术方法简单，可操作性强，可做为促进杏黄兜兰无菌苗增殖和生长的人工繁殖技术。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于植物生物
，具体地，涉及一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增 殖的方法。
技术介绍
兜兰属（Paphiopedilum)，隶属于兰科（Orchidaceae)构兰亚科（Subfamily Cypripedioideae)。大多为地生、半附生或附生的多年生草本植物，其株形娟秀，开花时花 葶从基生叶丛中抽出，花大而色泽艳丽，唇瓣特化成兜状或深囊状，形状奇特，花期短则数 周，长达数月。是兰科中具有很高观赏价值的类群之一，被誉为"拖鞋兰"或"仙履兰"，受到 兰花爱好者及园艺学家的广泛关注与喜爱，在植物界和园艺界中享有盛誉。兜兰属在全世 界约有80余种，主要分布在热带和亚热带地区。中国是世界兜兰属植物最为丰富的国家， 总种类达到27个种，主要分布于西南和南部的热带与亚热带南缘地区，以云南、广西、贵州 分布最多。 杏黄兜兰（Paphiopedilumarmeniacum)是兜兰属最具观赏价值的种类之一，花单 生，金黄色，花瓣大，唇瓣囊状，常称之为"金兜"，曾多次获国际花展和兰展金奖和一级证书 等最高奖，和硬叶兜兰一起被誉为兜兰属的"金童玉女"。近年来，由于市场对于杏黄兜兰的 需求日益增加，野外资源近乎濒危，进行产业化栽培生产已经成为满足市场需求的重要途 径。 在兜兰生长发育过程中，氮素营养一直是调节植物生长的重要营养之一。氮是植 物生长的"生命元素"，其参与植物细胞、组织和器官的构建，也是合成具有生物活性的蛋白 质一一酶的主要物质来源，还影响着植物的叶绿素合成、光合作用及酶的调节等重要生命 过程。在植物组织培养中，植物培养基由大量元素、微量元素和有机元素及碳源组成，而在 大量元素中最重要的是氮素营养。通常不同的培养基中所用的氮素营养不同，如MS培养基 中所用的为硝酸钾、硝酸铵，B5培养基的氮源为硝酸钾，硫酸铵，而Harvais培养基则是使 用硝酸钾，硝酸铵及四水硝酸钙做为氮源，对于植物生长，不同的氮源（硝态氮，铵态氮）及 浓度都会影响植物组培苗的生长和发育。 杏黄兜兰的种子微小且无胚乳，无法为胚的发育提供足够的营养，在野外条件下， 需要共生真菌提供营养帮助其萌发。目前人工繁育方法主要是利用培养基提供营养进行种 子无菌萌发，来繁育幼苗，但这一过程还存在着生长慢，增殖系数低等问题，需进一步优化 技术方案获得促进无菌苗生长及增殖的方法。 迄今为止，现有技术中还未见有杏黄兜兰无菌苗生长、增殖及生根最合适的氮源 及氮素浓度的相关报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术存在的上述不足之处，提供一种促进杏黄兜兰无 菌苗生长及增殖的方法。通过调节培养基中的氮源及浓度，确定了对杏黄兜兰无菌苗生长、 增殖及生根最合适的氮源及氮素浓度的方法，利用此方法可显著提高杏黄兜兰无菌苗的繁 殖效率，为建立杏黄兜兰高效人工繁殖技术体系提供了技术基础。 为了实现本专利技术的上述目的，本专利技术提供了如下的技术方案： -种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法，在基本培养基中加入不同浓度或不 同比例的謂0 3或NH 4N03，进行影响无菌苗生长的试验，通过调节不同阶段培养基中的氮源 类型、浓度和比例，促进杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根。 如上的，其中所述的调节氮源类型和 浓度是指用KNO 3 :順4勵3比例为1 : 1，总浓度为eOmML'也就是用謂03和順4勵3浓度各为 30^17 1的1/2MS培养基促进杏黄兜兰无菌苗增殖；用KNO3为氮源，浓度为仙禮厂1的1/2MS 培养基促进生长较多叶片和较大叶面积；用浓度为〇或IOmMr 1的KNO 3为氮源的1/2MS培 养基促进生根。 如上的，其中所述的基本培养基 为 1/2MS 无氮培养基，包括下述部分：CaCl2 ? 2H20 220mg/L，MgSO4 ? 7H20 185mg/L，KH2PO4 85mg/L, KI 0. 83mg/L, H3BO3 6. 20mg/L, MnSO4 ? 4H20 22. 30mg/L, ZnSO4 ? 7H20 8. 60mg/ L, Na2MoO4 ? 4H20 0? 25mg/L, CuSO4 ? 5H20 0? 025mg/L, CoCl2 ? 6H20 0? 025mg/L, FeSO4 ? 7H20 27. 80mg/L, Na-EDTA ? 2H20 37. 30mg/L,肌醇 100mg/L，烟酸 0? 5mg/L,盐酸吡哆醇 0? 5mg/ L,盐酸硫胺素0.5mg/L,甘氨酸2.0mg/L;添加0.3g I/1活性碳，20g L-1鹿糖，8g L-1琼 脂，0. 25mg I/W-BA。100mL培养基/瓶；光照培养室条件采用日光灯为光源，光照强度为 40 y mol HT2s-S光周期为12小时，日温和夜温分别为25和18°C。 如上的，其中所述的在基本培养基中 加入不同浓度或不同比例的謂0 3或NH 4N03，进行影响无菌苗生长的试验包括如下步骤： (1)以KNO3为氮源，设置4个氮浓度：10、20、40、60mM L -1的培养基，以IM L -1的 氯化钾调节培养基中钾离子浓度； (2)以NH4Cl为氮源，设置4个氮浓度：10、20、40、60mM I/1的培养基，以IM L-1的 氯化钾调节培养基中钾离子浓度； (3)以KN03+NH4N03为氮源，二者比例为1: 1，与MS培养基中比例相同，设置4个氮 浓度：10、20、40、60mM厂1的培养基； 以不含氮OmM I/1的基本培养基为对照，将幼苗分别转至以上三个步骤中的所述 的12种培养基中，置于光照培养室中培养，光照培养室条件采用日光灯为光源，光照强度 为40 y mol Hf2S'光周期为12小时，日温和夜温分别为25和18°C。 杏黄兜兰是极具观赏价值的一种兜兰，其花单生，色金黄，常被称为"金兜"或"金 童"，受到园艺爱好者的追捧，市场对其的需求日益增加，因此进行产业化栽培已成为满足 市场需求的重要途径。杏黄兜兰种子微小且无胚乳，其人工繁育方法是利用培养基提供营 养进行种子无菌萌发来繁育幼苗，但这一过程还存在生长慢，增殖系数低等问题。因氮素营 养是植物生长发育过程中最重要的元素之一，本专利技术通过调节不同阶段培养基中的氮源类 型和浓度来优化杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根的环节，发现在KNO 3 : NH 4腸3的比例为 1 : 1，总浓度为601^171的1/2MS培养基中利于杏黄兜兰无菌苗增殖，而以KNO3为氮源，浓 度为401^17 1的1/2MS培养基利于其长出较多叶片数和较大叶面积，而浓度为0或 的謂03为氮源的1/2MS培养基利于生根。本专利技术方法简单，可操作性强，可做为促进杏黄 兜兰无菌苗增殖和生长的人工繁殖技术。【具体实施方式】 下面用本专利技术的实施例来进一步说明本专利技术的实质性内容，但并不以此来限定本 专利技术。 实施例1 1 ?材料和方法 1.1研宄材料 杏黄兜兰（P. armeniacumS. C. Chen et F. Y. Liu):分布在云南西部，生于海拔 1400-2100米的石灰岩壁积土处或多石而排水良好的草坡上。具细长而横走的地下根状茎， 直径2-3mm，5-7枚叶，花纯黄色，花葶15-28cm，唇瓣深囊状，近椭圆状球本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法，其特征在于在基本培养基中加入不同浓度或不同比例的KNO3或NH4NO3，进行影响无菌苗生长的试验，通过调节不同阶段培养基中的氮源类型、浓度和比例，促进杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：严宁，牟宗敏，胡虹，
申请(专利权)人：中国科学院昆明植物研究所，
类型：发明
国别省市：云南;53
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