一种低功耗的单晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗的单晶炉，包括炉底、炉壁、保温筒、坩埚、导流筒、保温盖和加热器，所述保温盖与保温筒和导流筒之间设有保温盖下碳毡；所述导流筒包括内导流筒和外导流筒，所述内导流筒和外导流筒之间设有软毡，所述炉底设有软毡保温层。本实用新型专利技术相比现有技术，进行了局部范围的改造，增加了保温毡，减少了热量流失，有效降低了热场系统能耗，在降低热场功耗的同时，有效延长了石墨件的使用寿命，降低了熔体的横温度梯度，保证了生长晶体品质。另外，保温效果的增加不但降低用电功率的损耗，也增加了热场的纵向温度梯度，在一定程度上可以提高晶体生长速度，缩短晶体生长周期，从而在另一个方面达到降低功耗的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶炉
，具体涉及一种低功耗的单晶炉。
技术介绍
随着光伏市场的不断发展，单晶制造厂商面临较大竞争压力。降低制造成本、提升产品质量已经成为后期单晶生产必不可少的两个方面。目前制造成本已经成为行业发展必须解决的难题，成本降低可以从以下几方面考虑:降低生产能耗、提升设备产能、降低原料价格等等，其中降低生产能耗是最直接、有效的方式。目前单晶硅棒制造环节成本高的根源在于生产过程中的单晶炉用电量大。
技术实现思路
本技术的目的在于:针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种低功耗的单晶炉。本技术是通过以下技术方案实现的:一种低功耗的单晶炉，包括炉底、炉壁、保温筒、坩祸、导流筒、保温盖和加热器，所述坩祸的外侧安装有加热器，保温筒位于加热器外，所述导流筒位于坩祸上方，所述坩祸通过中轴连杆与炉底相固定，所述保温盖位于保温筒和导流筒上方，所述加热器分别通过石墨电极固定在炉底，所述保温盖与保温筒和导流筒之间设有保温盖下碳毡；所述导流筒包括内导流筒和外导流筒，所述内导流筒和外导流筒之间设有软毡，所述炉底设有软毡保温层O作为优选，所述保温筒为侧壁碳毡。作为优选，所述保温筒包括上保温筒、中保温筒和下保温筒。作为优选，所述内导流筒与保温盖之间的夹角为75° -80°，优选为77.45°。所述侧壁碳毡的厚度为80-90mm，与现有技术相比，提高了厚度，加强了保温效果。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是:本技术相比现有技术，进行了局部范围的改造，增加了保温毡，减少了热量流失，有效降低了热场系统能耗，在降低热场功耗的同时，有效延长了石墨件的使用寿命，降低了熔体的横温度梯度，保证了生长晶体品质。另外，保温效果的增加不但降低用电功率的损耗，也增加了热场的纵向温度梯度，在一定程度上可以提高晶体生长速度，缩短晶体生长周期，从而在另一个方面达到降低功耗的目的。【附图说明】本技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中:图1为本技术的一较佳实施例结构示意图；图中标记:1-保温筒，2_保温盖下碳租，3-软租，4_炉底，5-炉壁，6_ i甘祸，7-外导流筒，8-加热器，9-中轴连杆，10-内导流筒，11-石墨电极，12-保温盖。【具体实施方式】现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1，一种低功耗的单晶炉，包括炉底4、炉壁5、保温筒1、坩祸6、导流筒、保温盖12和加热器8，所述坩祸6的外侧安装有加热器8，保温筒I位于加热器8外，所述导流筒位于坩祸6上方，所述坩祸6通过中轴连杆9与炉底4相固定，所述保温盖12位于保温筒I和导流筒上方，所述加热器8分别通过石墨电极11固定在炉底，所述保温盖12与保温筒I和导流筒之间设有保温盖下碳毡2，保温盖下碳毡2的厚度为40_，外径直接接触到炉壁。所述导流筒包括内导流筒10和外导流筒7，所述内导流筒10和外导流筒7之间加满软毡，上部为15mm厚，下部为20mm厚。为了降低能耗，加强保温效果，所述炉底4设有软毡保温层，此软毡为正常炉台的国产软毡。所述保温筒为侧壁碳毡，所述保温筒I包括上保温筒、中保温筒和下保温筒，上保温筒的厚度为80mm，中保温筒的厚度为90mm，下保温筒的厚度为90mm。所述内导流筒10与保温盖12之间的夹角优选为77.45°。通过实验证明，本技术的平均等径功率为40kw，相比较目前车间炉台平均等径功率75kw(使用新型碳毡后，普通碳毡功率达到72kw)，降低了 25kw。及相当于整炉功率下降了 35kw，目前拉制一炉最低用时为:50h，平均一月可以拉制:10炉次。本技术与现有技术相比，增加了碳毡和软毡以及其厚度，进一步有效的保证了热场内部的热量，在节约能源的同时，提高了加工效率，从而达到了降低功耗的目的。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。【主权项】1.一种低功耗的单晶炉，包括炉底、炉壁、保温筒、坩祸、导流筒、保温盖和加热器，所述坩祸的外侧安装有加热器，保温筒位于加热器外，所述导流筒位于坩祸上方，所述坩祸通过中轴连杆与炉底相固定，所述保温盖位于保温筒和导流筒上方，其特征在于，所述加热器分别通过石墨电极固定在炉底，所述保温盖与保温筒和导流筒之间设有保温盖下碳毡；所述导流筒包括内导流筒和外导流筒，所述内导流筒和外导流筒之间设有软毡，所述炉底设有软毡保温层，所述保温筒为侧壁碳毡，内导流筒与保温盖之间的夹角为75° -80°。2.根据权利要求1所述的一种低功耗的单晶炉，其特征在于，所述保温筒包括上保温筒、中保温筒和下保温筒。3.根据权利要求1所述的一种低功耗的单晶炉，其特征在于，所述内导流筒与保温盖之间的夹角优选为77.45°。4.根据权利要求1所述的一种低功耗的单晶炉，其特征在于，所述侧壁碳毡的厚度为80-90mmo【专利摘要】本技术公开了一种低功耗的单晶炉，包括炉底、炉壁、保温筒、坩埚、导流筒、保温盖和加热器，所述保温盖与保温筒和导流筒之间设有保温盖下碳毡；所述导流筒包括内导流筒和外导流筒，所述内导流筒和外导流筒之间设有软毡，所述炉底设有软毡保温层。本技术相比现有技术，进行了局部范围的改造，增加了保温毡，减少了热量流失，有效降低了热场系统能耗，在降低热场功耗的同时，有效延长了石墨件的使用寿命，降低了熔体的横温度梯度，保证了生长晶体品质。另外，保温效果的增加不但降低用电功率的损耗，也增加了热场的纵向温度梯度，在一定程度上可以提高晶体生长速度，缩短晶体生长周期，从而在另一个方面达到降低功耗的目的。【IPC分类】C30B15-00【公开号】CN204550782【申请号】CN201420613146【专利技术人】王东芹, 李中心 【申请人】镇江大成新能源有限公司【公开日】2015年8月12日【申请日】2014年10月21日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗的单晶炉，包括炉底、炉壁、保温筒、坩埚、导流筒、保温盖和加热器，所述坩埚的外侧安装有加热器，保温筒位于加热器外，所述导流筒位于坩埚上方，所述坩埚通过中轴连杆与炉底相固定，所述保温盖位于保温筒和导流筒上方，其特征在于，所述加热器分别通过石墨电极固定在炉底，所述保温盖与保温筒和导流筒之间设有保温盖下碳毡；所述导流筒包括内导流筒和外导流筒，所述内导流筒和外导流筒之间设有软毡，所述炉底设有软毡保温层，所述保温筒为侧壁碳毡，内导流筒与保温盖之间的夹角为75°‑80°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王东芹，李中心，
申请(专利权)人：镇江大成新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32