一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置，包括：加热器，加热器之下表面具有绝缘涂层，并用于提供工艺要求温度；上接地环基座，外包于加热器；固定螺栓，穿设在加热器和上接地环基座之间，并将加热器和上接地环基座固定设置；绝缘垫片，设置在上接地环基座与固定螺栓之间，且上接地环基座与加热器和固定螺栓之间绝缘。本实用新型专利技术通过在上接地环基座和固定螺栓之间设置绝缘垫片，使得上接地环基座和固定螺栓完全隔离，确保上接地环基座之金属底材不会发生局部外露，避免上接地环基座和加热器通过局部外露的金属底材导通产生电弧，不仅提高产品良率，而且降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置。
技术介绍
随着半导体集成电路、集成光路和其它光电子器件向微型化和高密度化方向发展，对刻蚀的工艺要求亦越来越高。传统的湿法刻蚀由于其刻蚀的各项同性产生严重的钻蚀，使得图形刻蚀后的边缘比较粗糙，要刻蚀3 μ m以下线宽的图形十分困难。去親反应离子刻蚀(DRIE, Decouple React1n 1n Ethcing)设备是半导体微纳器件制备的重要设备，其原理是在有反应气体的腔室内，通过辉光放电使之形成低温等离子体，对晶圆表面未被掩蔽部分进行腐蚀的设备，是利用活性离子对衬底的物理轰击与化学反应的双重作用进行刻蚀的。对于去耦反应离子刻蚀设备，工艺过程中上腔体需要持续加热，以到达一定的工艺要求温度，例如所述工艺要求温度为100°c以上，并且在温度较高的条件下，聚合物不会积聚在上腔体部件。同时，在工艺过程中，等离子体激发过程亦会产生大量热量。由于上腔体之各工艺部件材质不尽相同，受热后形变不均匀，导致固定螺丝受外力增大。更严重地，上接地环基座和圆形铝制加热器之间形变较大，并在发生形变的过程中所述固定螺丝在固定处频繁摩擦，最终导致上接地环基座之绝缘层磨损，进而造成金属底材局部外露。另外，所述铝制加热器表面具有绝缘涂层，所述上接地环基座与所述加热器接触面之纯电阻近似绝缘。在射频环境中，所述上接地环基座与所述加热器之间存在相对电势差。显然地，所述上接地环基座之局部外露的金属底材势必与所述固定螺丝接触产生电弧，进而引发腔体内等离子体异常，造成产品缺陷。寻求一种结构简单、操作方便，并可有效避免所述上接地环基座与所述固定螺丝之间形成电弧的装置已成为本领域亟待解决的技术问题之一。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研宄改良，于是有了本技术一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置。
技术实现思路
本技术是针对现有技术中，上接地环基座和圆形铝制加热器之间形变较大，并在发生形变的过程中所述固定螺丝在固定处频繁摩擦，导致上接地环基座之绝缘层磨损，进而造成金属底材局部外露，并使得所述上接地环基座之局部外露的金属底材与所述固定螺丝接触产生电弧，最终引发腔体内等离子体异常，带来产品不良等缺陷提供一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置。为实现本技术之目的，本技术提供一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置，所述去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置包括:加热器，所述加热器之下表面具有绝缘涂层，并用于提供工艺要求温度；上接地环基座，外包于所述加热器；固定螺栓，穿设在所述加热器和所述上接地环基座之间，并将所述加热器和所述上接地环基座固定设置；绝缘垫片，设置在所述上接地环基座与所述固定螺栓之间，且所述上接地环基座与所述加热器和所述固定螺栓之间绝缘。可选地，所述加热器为圆形铝制加热器。 可选地，所述加热器之下表面具有绝缘涂层，所述绝缘涂层为氧化铝绝缘涂层。可选地，所述上接地环基座与所述固定螺栓之间的所述绝缘垫片更换使用。可选地，所述绝缘垫片具有弹性，以及良好的物理特性和电化学特性。可选地，所述绝缘垫片为聚醚醚酮材质制备。可选地，所述绝缘垫片耐高温260°C。综上所述，本技术去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置通过在所述上接地环基座和所述固定螺栓之间设置绝缘垫片，使得所述上接地环基座和所述固定螺栓完全隔离，确保所述上接地环基座之金属底材不会发生局部外露，避免所述上接地环基座和所述加热器通过局部外露的金属底材导通产生电弧，不仅提高产品良率，而且降低生产成本。【附图说明】图1所示为本技术去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置的结构示意图。【具体实施方式】为详细说明本技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。请参阅图1，图1所示为本技术去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置的结构示意图。所述去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置1，包括:加热器11，所述加热器11之下表面具有绝缘涂层，并用于提供工艺要求温度；上接地环基座12，所述上接地环基座12外包于所述加热器11 ;固定螺栓13，所述固定螺栓13穿设在所述加热器11和所述上接地环基座12之间，并将所述加热器11和所述上接地环基座12固定设置；绝缘垫片14，所述绝缘垫片14设置在所述上接地环基座12与所述固定螺栓13之间，且所述上接地环基座12与所述加热器11和所述固定螺栓13之间绝缘。为了更直观的揭露本技术之技术方案，凸显本技术之有益效果，现结合【具体实施方式】对所述去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置的工作原理进行阐述。在所述【具体实施方式】中，所涉及的元器件材料、尺寸、形状等仅为列举，不应视为对本技术技术方案的限制。请继续参阅图1，所述去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置1，包括:加热器11，所述加热器11之下表面具有绝缘涂层，并用于提供工艺要求温度；上接地环基座12，所述上接地环基座12外包于所述加热器11 ;固定螺栓13，所述固定螺栓13穿设在所述加热器11和所述上接地当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置，其特征在于，所述去耦反应离子刻蚀设备之上接地环基座接地装置包括：加热器，所述加热器之下表面具有绝缘涂层，并用于提供工艺要求温度；上接地环基座，外包于所述加热器；固定螺栓，穿设在所述加热器和所述上接地环基座之间，并将所述加热器和所述上接地环基座固定设置；绝缘垫片，设置在所述上接地环基座与所述固定螺栓之间，且所述上接地环基座与所述加热器和所述固定螺栓之间绝缘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘无忌，季高明，刘东升，吕煜坤，张旭升，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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