一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路，其中，LED驱动芯片包括低压MOS管、高压MOS管、内部电源模块、比较控制模块、驱动模块和限流模块。所述LED驱动芯片通过比较控制模块比较第一参考电压、第二参考电压和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管导通；在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管关断；从而实现了根据LED驱动芯片CS端的电压来控制LED驱动芯片VIN端和CS端的通断，无需VCC引脚及外接VCC稳压电容来维持内部电源电压在较高值，从而节省了电路板空间，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED驱动领域，特别涉及一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路。
技术介绍
随着LED驱动技术的逐渐成熟，在保证性能的前提下，追求低成本与越来越少的外围元件成为业界的共识。图1给出了现有技术的一种BUCK型LED驱动电路，所述LED驱动电路包括整流桥10、稳压电容20、现有驱动芯片30和输出级40。所述现有驱动芯片30有4个引脚，分别是VIN引脚、VCC引脚、CS引脚和VSS引脚。采用这种现有驱动芯片30构成的BUCK型LED驱动方案，除了现有驱动芯片30需要额外的VCC引脚外，还需要外围VCC稳压电容20。所述VCC稳压电容20容值一般来说很大，起到稳定驱动芯片电源VCC的作用。故所述VCC稳压电容20既耗费成本还占用电路板空间。因而现有技术还有待改进和提尚。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路，而无需VCC引脚及外接VCC稳压电容来维持内部电源电压。为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案:一种LED驱动芯片，包括低压MOS管、高压MOS管、内部电源模块、比较控制模块、驱动模块和限流模块；所述内部电源模块为比较控制模块和驱动模块供电；所述比较控制模块比较第一参考电压、第二参考电压和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管导通，LED驱动芯片的VIN端和CS端导通；所述比较控制模块在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管关断，LED驱动芯片的VIN端和CS端断开。所述的LED驱动芯片，其中，所述比较控制模块包括第一比较器、第二比较器；用于产生参考电压输出给电阻分压器的带隙基准；用于将带隙基准产生的参考电压分压成第一参考电压和第二参考电压，并将第一参考电压输出给第一比较器，将第二参考电压输出给第二比较器的电阻分压器；用于接收第一比较器和第二比较器输出的电平信号，在第一比较器和第二比较器输出的电平信号均为高电平时，控制驱动模块将低压MOS管导通；在第一比较器和第二比较器输出的电平信号均为低电平时，控制驱动模块将低压MOS管关断的逻辑单元；所述带隙基准的输入端为比较控制模块的电源输入端、连接第一比较器的电源输入端和第二比较器的电源输入端，所述带隙基准的输出端通过电阻分压器连接LED驱动芯片的VSS端，所述电阻分压器的第一输出端连接第一比较器的同相输入端，所述电阻分压器的第二输出端连接第二比较器的同相输入端；所述第一比较器的反向输入端和第二比较器的反向输入端为比较控制模块的输入端、连接LED驱动芯片的CS端，所述第一比较器的输出端连接逻辑单元的第一输入端，所述第二比较器的输出端连接逻辑单元的第二输入端，所述逻辑单元的输出端为比较控制模块的输出端、连接驱动模块的输入端。所述的LED驱动芯片，其中，所述限流模块包括限流电阻。所述的LED驱动芯片，其中，所述低压MOS管和高压MOS管为N沟道MOS管。所述的LED驱动芯片，其中，所述内部电源模块包括低压差高速线性稳压器。所述的LED驱动芯片，其中，所述第一参考电压为0.5V，所述第二参考电压为67mV0一种BUCK型LED驱动电路，包括如上所述的LED驱动芯片。所述的BUCK型LED驱动电路，其中，所述BUCK型LED驱动电路还包括:整流桥、第一电容、第一二极管、第一电阻、电感和LED灯组；外部交流电通过整流桥连接第一电容的一端和LED驱动芯片的VIN端，所述第一电容的另一端接地；所述LED驱动芯片的CS端连接第一二极管的负极和第一电阻的一端，所述第一二极管的正极接地，所述第一电阻的另一端连接LED驱动芯片的VSS端和电感的一端，所述电感的另一端通过LED灯组接地。相较于现有技术，本技术提供的LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路，通过比较控制模块比较第一参考电压、第二参考电压和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管导通；在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管关断；从而实现了根据LED驱动芯片CS端的电压来控制LED驱动芯片VIN端和CS端的通断，而无需VCC引脚及外接VCC稳压电容来维持内部电源电压在较高值，从而节省了电路板空间，降低了成本。【附图说明】图1为现有的BUCK型LED驱动电路的电路图。图2为本技术提供的LED驱动芯片的电路图。图3为本技术提供的BUCK型LED驱动电路的电路图。【具体实施方式】本技术提供一种LED驱动芯片及BUCK型LED驱动电路，通过比较控制模块比较第一参考电压、第二参考电压和LED驱动芯片CS端的电压，进而控制低压MOS管的通断，即，根据LED驱动芯片CS端的电压来控制LED驱动芯片VIN端和CS端的通断，无需VCC引脚及外接VCC稳压电容来维持内部电源电压在较高值，从而节省了电路板空间，降低了成本。为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图2，本技术提供的LED驱动芯片，包括高压MOS管M1、低压MOS管M2、内部电源模块60、比较控制模块70、限流模块80和驱动模块90。所述高压MOS管Ml用于承受高输入电压，保护低压MOS管M2。所述内部电源模块60为比较控制模块70和驱动模块90供电；所述比较控制模块70比较第一参考电压Vrefl、第二参考电压Vref2和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压Vref2时，控制驱动模块90将低压MOS管M2导通，LED驱动芯片的VIN端和CS端导通；所述比较控制模块70在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压Vrefl时，控制驱动模块90将低压MOS管M2关断，LED驱动芯片的VIN端和CS端断开。换而言之，所述内部电源模块60，用于为所述LED驱动芯片提供工作电源。其中，所述内部电源模块60包括低压差高速线性稳压器。所述比较控制模块70，用于比较第一参考电压Vrefl、第二参考电压Vref2和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压Vref2时，控制驱动模块90将低压MOS管M2导通；在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压Vrefl时，控制驱动模块90将低压MOS管M2关断。其中，所述第一参考电压Vrefl和第二参考电压Vref2可以根据需要进行设定，优选的，所述第一参考电压为0.5V，所述第二参考电压小于10mV,本实施例中，所述第二参考电压为67mV。驱动模块90，用于驱动低压MOS管M2导通；限流模块80，用于限流。所述限流模块80包括限流电阻R。所述LED驱动芯片的VIN端连接内部电源模块60的输入端和高压MOS管M2的漏极，所述内部电源模块60的第一输出端连接比较控制模块70的电源输入端，所述比较控制模块70的输入端连接LED驱动芯片的CS端，所述比较控制模块70的输出端连接驱动模块90的输入端，所述驱动模块90的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED驱动芯片，其特征在于，包括低压MOS管、高压MOS管、内部电源模块、比较控制模块、驱动模块和限流模块；所述内部电源模块为比较控制模块和驱动模块供电；所述比较控制模块比较第一参考电压、第二参考电压和LED驱动芯片CS端的电压，在LED驱动芯片CS端的电压低于第二参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管导通，LED驱动芯片的VIN端和CS端导通；所述比较控制模块在LED驱动芯片CS端的电压高于第一参考电压时，控制驱动模块将低压MOS管关断，LED驱动芯片的VIN端和CS端断开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋利军，许煌樟，
申请(专利权)人：深圳市稳先微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44