【技术实现步骤摘要】
本技术涉及到单晶炉设备领域，具体涉及到一种大开门单晶收集室。
技术介绍
传统单晶收集室为筒状设计，仅开一处200平方厘米左右的清洗窗口。在拉晶结束后清理过程中，清洗工装需要从这里探入收集室内部进行清理，这无疑给清洗过程增加难度，且对于一些死角清理不到位，留有杂质。如果清理不够彻底，将直接影响拉晶的品质。对于半导体级单晶炉，很有可能会导致晶棒纯度达不到半导体要求的纯度等级。
技术实现思路
为解决上述问题，本新型提供一种大开门单晶收集室，全面无死角，可以彻底解决清洗困难和清洗不彻底的隐患，不会因为收集室内部清洁问题影响半导体单晶品质。为实现以上目的，采用以下技术方案:大开门单晶收集室，由门板和收集室腔体组成，收集室腔体上表面为法兰面，门板与法兰面边沿通过铰链接连，在靠近收集室腔体的法兰面上装有密封圈，门板上迎合密封圈处设计为沟槽，法兰面与铰链对应的边沿上设有锁扣。本技术益效果:针对存在清洗不净的问题进行设计改造，减轻清洗人员的工作难度，可以达到无死角清理，避免清洁问题影响半导体单晶品质。结构简单、实用，并且保证了在工作情况下完全密封。【附图说明】图1是本技术的结构示意图；如图所示:1、门板；2、铰链；3、密封圈；4、收集室腔体；5、法兰面；6、沟槽；7锁扣。【具体实施方式】实施例如图1所示，收集室腔体(4)上表面为法兰面(5)，门板(I)与法兰面(5)边沿通过铰链(2 )接连，在靠近收集室腔体(4 )的法兰面(5 )上装有密封圈(3 )，门板(I)上迎合密封圈(3)处设计为沟槽(6)，法兰面(5)与铰链(2)对应的边沿上设有锁扣(7)。拉晶时，门板(I)...
【技术保护点】
大开门单晶收集室，由门板（1）和收集室腔体（4）组成，其特征在于，收集室腔体（4）上表面为法兰面（5），门板（1）与法兰面（5）边沿通过铰链（2）接连，在靠近收集室腔体（4）的法兰面（5）上装有密封圈（3），门板（1）上迎合密封圈（3）处设计为沟槽（6），法兰面（5）与铰链（2）对应的边沿上设有锁扣（7）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘二飞，约翰·A·李斯，王永利，
申请(专利权)人：大连连城数控机器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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