【技术实现步骤摘要】
本技术涉及改良西门子法多晶硅还原炉上的一种部件，具体涉及还原炉尾气孔防掉硅装置。
技术介绍
目前国内多晶硅生产主要采用改良西门子法工艺，其原理就是在1100°C左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上，该生产工艺具备节能、降耗，回收利用生产过程中伴随产生的大量H2、HC1、31(:14等副产物以及大量副产热能等优点。多晶硅还原炉是改良西门子法整个生产系统中最关键的设备。在还原炉中，高纯的51此13在!12气氛中还原沉积而生成多晶硅。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅，剩余部分同H2, HCI, SiH C I3, SiCl4从还原炉尾气孔排出，返回系统中循环再利用，物料得到充分利用，排出的废料极少，污染得到了控制，保护了环境。一般还原炉尾气孔截面积是进气口的1.2-1.5倍，这样才能保证整个循环反应过程的正常进行。因此目前国内外绝大多数还原炉都在底盘上有一个或者若干个尾气孔，孔径从50mm至200mm不等。但是这么大孔径的尾气孔存在一个问题，就是一旦还原炉发生硅棒倒棒，小块硅料很容易掉进尾气孔中，从而堵塞尾气孔，导致尾气排出不畅。目前解决问题的常规做法是配置筛网状结构的合金或不锈钢部件，罩住尾气孔，但这种部件形状和结构存在很多问题，首先是合金或不锈钢材料在还原炉高温及腐蚀性气氛中寿命很短，有的两三个炉次就腐蚀了，需要经常更换，成本很高，其次，筛网状结构减少了尾气孔的排气面积，影响设备效能的发挥。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种排气通畅，使用寿命长的一种多晶硅还原炉尾气孔防掉硅装置。本技术的目的是这样实现...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉尾气孔防掉硅装置，安装于还原炉的底盘（3）上，与还原炉的尾气孔（4）对接，其特征在于：采用氮化硅陶瓷材质的钟罩式结构（1），侧面开排气孔（2），排气孔总截面积之和大于尾气孔的截面积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗奕惠，何建和，许瑞冰，熊彪，
申请(专利权)人：景德镇晶达新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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