根据本发明专利技术的一方面，提供了一种晶片划切装置。晶片划切装置包括格栅、真空吸力单元以及切割器。格栅包括用于支承晶片的交替式肋状件和狭槽布置，其中一个狭槽位于两个相邻肋状件之间。真空吸力单元与格栅流体连通并通过格栅的至少一个狭槽抽吸空气。切割器划切晶片，其中格栅、切割器或两者全部配置为将晶片成沿格栅的肋状件进行划切。还提供了一种晶片划切方法。所述方法包括提供晶片；沿在晶片周长的两个相对点之间延伸的长度使晶片受到应力；以及沿晶片受到应力的长度划切晶片。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及用于娃晶片的激光切割方法和真空吸盘衬底保持器。具体地，本专利技术 设及通过激光分裂进行的切割方法W及用于该种方法的真空吸盘固定装置。
技术介绍
当通过分裂方法（如激光诱发式热破裂）将娃晶片分解成其部件管巧时，娃晶片 通常通过真空保持在吸盘上。但是，当通过来自真空吸盘的吸力紧密地保持且固定娃晶片 时，强吸力导致难W产生激光诱发式热破裂。例如，裂纹传播可能无法从切割前缘至切割后 缘将晶片分离，尤其当在第一切割之后形成第二切割（与第一切割成90°的切割）时。此 夕F，沿第二切割在娃管巧的交叉拐角处可能出现缺陷，诸如切割后缘处的局域化表面再结 晶，"Y"破裂（即，两个小裂纹在切割前缘处连结起来），或在切割前缘处传播中的裂纹偏 差。图1中示出了该些缺陷的示例，其中图1A示出了切割后缘拐角处再结晶的缺陷，图1B 示出了裂纹传播错误的缺陷，图1C示出了"Y"破裂的缺陷，图1D示出了裂纹偏差的缺陷。 需要更高的激光能量W及更慢的扫描速度来补偿上述问题，W改善第二切割的切割。然而， 该种措施增加了制造时间或所需的功率。 因而，需要改进的切割娃晶片方法，该方法可消除当前方法的缺陷。
技术实现思路
公开了用于娃晶片的激光切割方法和衬底保持器（真空吸盘固定装置）。通过激 光分裂进行的切割方法在切割期间引入了外部弯曲力，W增强激光引发的热破裂过程用于 脆性衬底（如娃晶片）的激光分裂。 根据本专利技术的一方面，提供了一种晶片划切装置。晶片划切装置包括格栅、真空吸 力单元和切割器。格栅包括用于支承晶片的交替式肋状件和狭槽布置，其中一个狭槽位于 两个相邻肋状件之间。真空吸力单元与格栅流体连通并通过格栅的至少一个狭槽抽吸空 气。切割器划切晶片，格栅、切割器或两者全部配置为将晶片对准成沿格栅的肋状件进行划 切。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种晶片划切方法。该方法包括：提供晶片；沿在 晶片周长的两个相对点之间延伸的长度使晶片受到应力；W及沿晶片受到应力的长度来划 切晶片。【附图说明】 图1 (包括图1A至图1D)示出了由脆性衬底（如处理的娃晶片）的常规激光切割 引起的各种缺陷。 图2(包括图2A至图2D)示出了根据本实施方式的用于激光分裂的真空吸盘的立 体图。图2A是包括作为真空吸盘的多孔吸盘的、用于分裂的未组装装置的立体图，图2B是 组装装置的立体图。图2C和图2D示出了多孔吸盘、具有格栅的钢板W及用于激光分裂的 曰也晋 日日/T伸直。 图3(包括图3A和图3B)示出了根据本实施方式的在分裂期间图2C和图2D的真 空吸盘布置的侧视平面图。 图4示出了根据本实施方式的在激光分裂期间娃晶片的一部分的放大图。 图5(包括图5A至图抓）示出了根据本实施方式的减少的由脆性衬底（如处理的 娃晶片）的激光切割引起的缺陷。[001引定义 下文提供了在本文中公开的各实施方式中所使用的表述的示例性而非全面的定 义。 术语"晶片划切装置"可意味着用来执行晶片划切的机器。在半导体（如娃）晶 片的情况下，晶片划切是该样的过程，在晶片的处理之后，通过该过程，从半导体的晶片分 离出部件管巧。划切过程能够通过划线和断裂、通过机械银或通过激光切割而实现。 术语"格栅"可意味着具有带窗的框的格栏，其具有在该窗上延伸的一系列构件。 短语"交替式肋状件和狭槽布置"可指的是构件在窗上延伸的方式，即"肋状件"可指的是 在窗上延伸的构件，而"狭槽"可指的是两个构件之间的腔或空间。肋状件可W是直的或者 弯曲的，或者具有直的部分和弯曲的部分，该样便又限定了相邻狭槽的形状。 术语"切割器"可意味着执行晶片划切的设备，可W是机械部件（诸如划切银）或 者是无接触式部件（如激光）。 短语"将晶片对准成沿格栅的肋状件进行划切"可意味着在晶片的划切期间，格 栅、切割器或者两者全部连续移动使得晶片的分割发生在晶片与格栅的肋状件接触的部分 处。【具体实施方式】 根据本实施方式的真空吸盘固定装置能够即时引入外部弯曲力W引导裂纹传播， 从而增强用于娃晶片或其他脆性衬底的分裂分离的激光诱发式热破裂过程。根据本实施方 式，肋状件（例如，具有交替的肋状件和狭槽的薄不诱钢片）用在真空吸盘的上表面上。肋 状件支承娃晶片并且与第二切割线（即，切割线沿着肋状件并且与肋状件的中屯、线对准） 对准。存在于每两个肋状件之间形成腔的狭槽。 图2A示出了根据本专利技术实施方式的晶片划切装置100。晶片划切装置100包括格 栅102和真空吸力单元106,W实现上述的真空吸盘固定装置。晶片划切装置100还包括切 割器122。 格栅102包括交替式肋状件和狭槽布置112。交替式肋状件和狭槽布置112是具 有狭槽108和肋状件110的框126,其中一个狭槽108位于两个相邻的肋状件110之间。格 栅用于支承位于交替式肋状件和狭槽布置112上晶片104。图2A示出了晶片104设置在 UV(紫外线）带124的可选层上。 真空吸力单元106与格栅102流体连通，其中真空吸力单元106通过格栅102的 至少一个狭槽108抽吸空气。当启动吸力真空时，位于交替式肋状件和狭槽布置112的肋 状件110两侧的吸力将竖直地向下拉晶片104并沿肋状件110均匀地使晶片104弯曲，W 形成划切线（见图3)。同时，因为沿肋状件110的弯曲特征，最大弯曲应力线将与划切线对 准，该有助于引导裂纹传播。[002引切割器122用于划切晶片104。在划切晶片104期间，格栅102、切割器122或两 者全部配置为将晶片104对准成沿格栅102的肋状件110进行划切。因此，晶片划切装置 100设置有该样的单元（未示出），该单元移动格栅102、切割器122或两者全部W建立将晶 片104分割为其组成部件管巧所要求的划切线。因此，在一个实施方式中，在划切晶片104 期间仅格栅102移动。在另一实施方式中，在划切晶片104期间仅切割器122移动。在又 一实施方式中，可W是在划切晶片104期间格栅102和切割器122都移动。在另一实施方 式中，可W是晶片划切装置100设置有该样的单元（未示出），该单元移动格栅102、切割器 122或者具有真空吸盘固定装置的晶片104中的任一个或多个W建立将晶片104分割为其 组成部件管巧所要求的划切线。晶片104可在第一定向128被划切，然后在第二定向130 被划切。 晶片划切装置100可包括多孔吸盘120,多孔吸盘120是可选的，因为在划切晶片 104期间格栅102足W支承晶片104。格栅可设置在多孔吸盘120的面朝切割器122的表 面上。然而，在另一实施方式中（未示出），格栅可制造在多孔吸盘的该表面上。在该其他 实施方式中，格栅形成多孔吸盘的一部分。 图2A示出了成未组装形式的晶片划切装置100当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片划切装置，包括：格栅，包括交替式肋状件和狭槽布置，其中一个狭槽位于两个相邻的肋状件之间，所述格栅用于支承所述交替式肋状件和狭槽布置上的晶片；真空吸力单元，与所述格栅流体连通，所述真空吸力单元用于通过所述格栅的至少一个所述狭槽抽吸空气；以及切割器，用于划切所述晶片，其中所述格栅、所述切割器或两者全部配置为将所述晶片对准成沿所述格栅的所述肋状件进行划切。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：王中柯，
申请(专利权)人：新加坡科技研究局，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG
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