输入电压最大值检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种输入电压最大值检测电路。输入电压最大值检测电路包括第一运算放大器、第一二极管、第一NMOS管、第二运算放大器、第二二极管、第二NMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三运算放大器、第四NMOS管、第二电容和第四运算放大器。利用本实用新型专利技术提供的输入电压最大值检测电路能对输入电压最大值进行检测。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及检测技术，尤其涉及到输入电压最大值检测电路。
技术介绍
对输入电压最大值进行检测，设置了输入电压最大值检测。
技术实现思路
本技术旨在提供一种能对输入电压最大值进行检测的装置。输入电压最大值检测电路，包括第一运算放大器、第一二极管、第一 NMOS管、第二运算放大器、第二二极管、第二NMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三运算放大器、第四NMOS管、第二电容和第四运算放大器；所述第一运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第一二极管的N极和所述第一 NMOS管的漏极，输出端接所述第一二极管的P极；所述第一二极管的P极接所述第一运算放大器的输出端，N极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一 NMOS管的漏极；所述第一 NMOS管的栅极接第一采样控制信号SPl，漏极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一二极管的N极，源极接所述第一电容的一端和所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端；所述第二运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第二二极管的N极和所述第二 NMOS管的漏极，输出端接所述第二二极管的P极；所述第二二极管的P极接所述第二运算放大器的输出端，N极接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二 NMOS管的漏极；所述第二 NMOS管的栅极接第二采样控制信号SP2，漏极接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二二极管的N极，源极接所述第一电容的一端和所述第一 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端； 所述第一电容的一端接所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端，另一端接地；所述第三NMOS管的栅极接清零控制信号CR，漏极接所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第三运算放大器的正输入端，源极接地；所述第三运算放大器的正输入端接所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端接所述第四NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极接保持控制端HD，漏极接所述第三运算放大器的输出端，源极接所述第二电容的一端和所述第四运算放大器的正输入端；所述第二电容的一端接所述第四NMOS管的源极和所述第四运算放大器的正输入端，另一端接地；所述第四运算放大器的正输入端接所述第四NMOS管的源极和所述第二电容的一端，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端为整个电路的输出端；当第一采样控制信号SPl为高电平时，所述第一 NMOS管导通，输入电压VIN经过由所述第一运算放大器和所述第一二极管构成的跟随器再通过所述第一 NMOS管源漏极把电荷传到所述第一电容上，对所述第一电容进行充电直到所述第一电容上的电压达到输入电压VIN，由于所述第一运算放大器和所述第一二极管构成的是跟随器，把所述第一运算放大器的正输入端的电压跟随到所述第一二极管的N极端，此时所述第三运算放大器的正输入端的电压为输入电压VIN ;再经过由所述第三运算放大器构成的跟随器把所述第三运算放大器的正输入端的电压VIN传到所述第四NMOS管的漏极，也即是把输入电压VIN传到所述第四NMOS管的漏极；当第二采样控制信号SP2为高电平时，所述第二 NMOS管导通，输入电压VIN经过由所述第二运算放大器和所述第二二极管构成的跟随器再通过所述第二 NMOS管源漏极把电荷传到所述第一电容上，对所述第一电容进行充电直到所述第一电容上的电压达到输入电压VIN，由于所述第二运算放大器和所述第二二极管构成的是跟随器，把所述第二运算放大器的正输入端的电压跟随到所述第二二极管的N极端，此时所述第三运算放大器的正输入端的电压为输入电压VIN ;再经过由所述第三运算放大器构成的跟随器把所述第三运算放大器的正输入端的电压VIN传到所述第四NMOS管的漏极，也即是把输入电压VIN传到所述第四NMOS管的漏极；所述第一二极管利用其单向导电性可以阻止所述第二二极管的输出对所述第一运算放大器的输出的影响；所述第二二极管利用其单向导电性可以阻止所述第一二极管的输出对所述第二运算放大器的输出的影响；第一采样控制信号SPl采样的电压和第二采样控制信号SP2采样的电压都传到所述第一电容上，也即是所述第一电容上的电压是第一采样控制信号SPl采样的电压值和第二采样控制信号SP2采样的电压值的最大的那个电压，也即是输入电压VIN的最大值；在一周期内，有两个第一采样控制信号SPl脉冲，有一个第二采样控制信号SP2脉冲，有一个保持控制信号HD脉冲，有一个清零控制信号CR脉冲，如图2所示；图2为本技术的采样控制信号SPl和SP2、保持控制信号HD和清零控制信号CR的时序图；当保持控制信号HD为高电平时，所述第四NMOS管导通，所述第一电容301上采样的电压传递到所述第二电容直到等于采样到的输入电压VIN的最大值；当清零控制信号CR为高电平时，所述第三NMOS管导通，使得所述第一电容上的电荷通过所述第三NMOS管流到地，也即是对所述第一电容进行清零处理，等待下一周期采样。【附图说明】图1为本技术的输入电压最大值检测电路的电路图。图2为本技术的采样控制信号、保持控制信号和清零控制信号的时序图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。输入电压最大值检测电路，如图1所示，包括第一运算放大器101、第一二极管102、第一 NMOS管103、第二运算放大器201、第二二极管202、第二 NMOS管203、第一电容301、第三NMOS管302、第三运算放大器303、第四NMOS管304、第二电容305和第四运算放大器306:所述第一运算放大器101的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第一二极管102的N极和所述第一 NMOS管103的漏极，输出端接所述第一二极管102的P极；所述第一二极管102的P极接所述第一运算放大器101的输出端，N极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一 NMOS管103的漏极；所述第一 NMOS管103的栅极接第一采样控制信号SPl，漏极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一二极管102的N极，源极接所述第一电容301的一端和所述第二 NMOS管203的源极和所述第三NMOS管302的漏极和所述第三运算放大器303的正输入端；所述第二运算放大器201的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第二二极管202的N极和所述第二 NMOS管203的漏极，输出端接所述第二二极管202的P极；所述第二二极管202的P极接所述第二运算放大器201的输出端，N极接所述第二运算放大器201的负输入端和所述第二 NMOS管203的漏极；所述第二 NMOS管203的栅极接第二采样控制信号SP2，漏极接所述第二运算放大器201的负输当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
输入电压最大值检测电路，其特征在于包括第一运算放大器、第一二极管、第一NMOS管、第二运算放大器、第二二极管、第二NMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三运算放大器、第四NMOS管、第二电容和第四运算放大器：所述第一运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第一二极管的N极和所述第一NMOS管的漏极，输出端接所述第一二极管的P极；所述第一二极管的P极接所述第一运算放大器的输出端，N极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接第一采样控制信号SP1，漏极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一二极管的N极，源极接所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端；所述第二运算放大器的正输入端接输入电压VIN，负输入端接所述第二二极管的N极和所述第二NMOS管的漏极，输出端接所述第二二极管的P极；所述第二二极管的P极接所述第二运算放大器的输出端，N极接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接第二采样控制信号SP2，漏极接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二二极管的N极，源极接所述第一电容的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端；所述第一电容的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极和所述第三运算放大器的正输入端，另一端接地；所述第三NMOS管的栅极接清零控制信号CR，漏极接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第三运算放大器的正输入端，源极接地；所述第三运算放大器的正输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端接所述第四NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极接保持控制端HD，漏极接所述第三运算放大器的输出端，源极接所述第二电容的一端和所述第四运算放大器的正输入端；所述第二电容的一端接所述第四NMOS管的源极和所述第四运算放大器的正输入端，另一端接地；所述第四运算放大器的正输入端接所述第四NMOS管的源极和所述第二电容的一端，负输入端和输出端接在一起构成跟随器，输出端为整个电路的输出端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33