刻蚀反应设备及其节流阀制造技术

一种刻蚀反应设备及其节流阀，包括一第一基板、一第二基板以及多个叶片。第一基板包括多个枢接结构，其中，一第一开口形成于第一基板之上。第二基板包括多个转向结构，其中，一第二开口形成于第二基板之上。每一叶片包括一枢接部以及一连结部，枢接部连接枢接结构其中之一，连结部连接转向结构其中之一。通过第一基板与第二基板之间的相对转动，叶片于一第一方位以及一第二方位之间转动，当叶片处于第一方位时，叶片共同定义一叶片开口，叶片开口对应第一开口以及第二开口，当叶片处于第二方位时，叶片开口被关闭。本发明专利技术的节流阀不使用皮带，因此避免了微粒污染的情形，并且节流阀不会因气流压力产生杠杆效应，因此节流阀的可靠度被有效提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种节流阀，特别是有关于一种应用于刻蚀反应设备的刻蚀反应设备(Etching equipment)及其节流阀。
技术介绍
半导体工艺中的干刻蚀机台，主要应用在元件及导线图层的定义(patterntransfer)，其刻蚀原理是运用等离子体将刻蚀气体离子化后，与材料进行化学反应或加入物理性的撞击，具有等向或非等向性(anisotropic)的特征。刻蚀性能(etch performanceindex)评估项目有⑴刻蚀率、⑵均勻性、(3)选择比、⑷轮廓(profile),而腔体压力(chamber pressure)的稳定性是影响刻蚀性能的重要因素(factor)。现有干刻蚀机台压力伺服与维持的方式，是将刻蚀气体注入腔体内，经由节流阀开度大小来进行工艺所需压力的伺服与维持。目前应用的节流阀有(I)Throttle valvevalve (蝴蝶阀)(2)Pendulum valve (钟摆式阀门)两种型式，且节流阀分别安装在腔体(chamber)左右对称处。蝴蝶阀是通过皮带传动，且零件多，再加上皮带老旧疲乏的问题，以及传动齿轮与阀件轴杆连接的止附螺丝易松脱，因而造成阀件运转不良，且直接影响腔体压力的不稳定。此外，蝴蝶阀的阀片设计，从流体力学观点来看会有区域性扰流现象，易于将沉积于阀件上的工艺副产物(byproduct)吹落而扬起,形成微粒污染。钟摆式阀门的节流开口设计会因气流压力杠杆效应使得轴承损坏，导致传动机构运转不良，且直接影响腔体压力的不稳定。因此，有必要针对上述蝴蝶阀以及钟摆式阀门的缺点进行改良。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种刻蚀反应设备及其节流阀，以解决现有技术中的节流阀的上述问题。本专利技术解决上述问题的方案是:提供一种节流阀，包括一第一基板、一第二基板以及多个叶片。第一基板包括多个枢接结构，其中，一第一开口形成于该第一基板之上。第二基板包括多个转向结构，其中，一第二开口形成于该第二基板之上。每一叶片包括一枢接部以及一连结部，该枢接部连接这些枢接结构其中之一，该连结部连接这些转向结构其中之一，通过该第一基板与该第二基板之间的相对转动，这些叶片于一第一方位以及一第二方位之间转动，当这些叶片处于该第一方位时，这些叶片共同定义一叶片开口，该叶片开口对应该第一开口以及该第二开口，当这些叶片处于该第二方位时，该叶片开口被关闭。本专利技术还提供一种刻蚀反应设备，用以对一晶片进行刻蚀，所述刻蚀反应设备包括:一腔体反应室；一晶座，设于该腔体反应室之中，其中，该晶片置于该晶座之上；一反应气体入口，设于该腔体反应室的顶部，其中，一工艺气体通过该反应气体入口进入该腔体反应室；以及一节流阀，设于该腔体反应室的底部，其中，该节流阀包括:多个叶片，其中，所述叶片于一第一方位以及一第二方位之间转动，当所述叶片处于该第一方位时，所述叶片共同定义一叶片开口，当所述叶片处于该第二方位时，该叶片开口被关闭。应用本专利技术实施例的该节流阀，该刻蚀反应设备可依据该压力感测值控制该抽气泵以及该节流阀的动作，以调整该腔体反应室内的该反应气体的压力，借此达到稳定的腔体压力。相较于现有的蝴蝶阀以及钟摆式阀门等设计，本专利技术实施例的节流阀不使用皮带，因此避免了微粒污染的情形。并且，本专利技术实施例的节流阀不会因气流压力产生杠杆效应，因此节流阀的可罪度被有效提闻。【附图说明】图1显示本专利技术实施例的刻蚀反应设备；图2显示节流阀的元件爆炸图；图3A?图3C显示这些叶片的动作；图4A?图4C显示本专利技术实施例的节流阀的运转情形。主要元件标号说明I?刻蚀反应设备 9?晶片11?腔体反应室 12?晶座13?反应气体入口 14?上电极15?抽气泵16?射频产生器17?压力感测器 18?等离子体100?节流阀101?等边五角形110?第一基板 111?枢接结构112?第一开口 120?第二基板121?转向结构 122?第二开口123?齿130?叶片131?枢接部132?连结部133?叶片开口 140?齿轮【具体实施方式】参照图1，其显示本专利技术实施例的刻蚀反应设备1，用以对一晶片9进行刻蚀，包括一腔体反应室11、一晶座(下电极)12、一反应气体入口 13、上电极14、抽气泵15、射频产生器16、压力感测器17以及节流阀100。晶片9经由传送手臂置放在晶座(下电极)12上。反应气体入口 13设于该腔体反应室11的顶部，刻蚀气体从上方经由上电极14注入腔体内。该压力感测器17感测该腔体反应室11内的该反应气体的压力，并提供一压力感测值，该刻蚀反应设备I依据该压力感测值控制该抽气泵15以及该节流阀100的动作，以调整该腔体反应室11内的该反应气体的压力，借此达到稳定的腔体压力。接着，启动射频产生器16，产生等离子体18，将刻蚀气体离子化后，与晶片9进行化学反应或加入物理性的撞击，达到等向或非等向性刻蚀。在此实施例中，节流阀100设于该腔体反应室11的底部，并位于左右对称处。参照图2，其显示节流阀100的元件爆炸图，其包括一第一基板110、一第二基板120、叶片130(此实施例中叶片共五片，为清楚显示叶片的连接方式，在此仅显示单一叶片)。第一基板110包括多个枢接结构111,其中，一第一开口 112形成于该第一基板110之上。第二基板120包括多个转向结构121，其中，一第二开口 122形成于该第二基板120之上。每一叶片130包括一枢接部131以及一连结部132，该枢接部131连接这些枢接结构111的其中之一，该连结部132连接这些转向结构121的其中之一，通过该第一基板110与该第二基板120之间的相对转动，这些叶片130于一第一方位以及一第二方位之间转动。参照图3当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种节流阀，其特征在于，所述节流阀包括：一第一基板，包括多个枢接结构，其中，一第一开口形成于该第一基板之上；一第二基板，包括多个转向结构，其中，一第二开口形成于该第二基板之上；多个叶片，其中，每一叶片包括一枢接部以及一连结部，该枢接部连接所述枢接结构其中之一，该连结部连接所述转向结构其中之一，通过该第一基板与该第二基板之间的相对转动，所述叶片于一第一方位以及一第二方位之间转动，当所述叶片处于该第一方位时，所述叶片共同定义一叶片开口，该叶片开口对应该第一开口以及该第二开口，当所述叶片处于该第二方位时，该叶片开口被关闭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何信春，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71