提供一种半导体器件连接构造，能够不对半导体元件的性能产生影响，而通过简单的方法提高粘合强度。本发明专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，具备：硅衬底，成为板状，在表面具有外部连接电极；支撑部件，粘合于硅衬底的背面，粘合面成为与硅衬底大致相同形状的柱状，其厚度比硅衬底厚；以及挠性基板，内部具有与外部连接电极连接的内导线，挠性基板配置在硅衬底的侧面，并且挠性基板通过粘合剂与支撑部件粘合。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将半导体元件与挠性基板连接的半导体器件连接构造、超声波模块以及搭载有超声波模块的超声波内视镜系统。
技术介绍
以往，公开有一种技术，在将具有内导线以及基底膜的挠性基板与具有外部连接电极的基板进行连接的半导体器件中，在该基板的侧面侧通过粘合剂来粘合基底膜(例如，参照专利文献I)。此外，公开有一种技术，在具有摄像元件和挠性基板的摄像模块中，通过具有沿着摄像元件的背面延伸的部分的引导部件，对上述摄像元件和上述挠性基板进行固定(例如，参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4100965号公报专利文献2:日本特开2009-188802号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，近年来，半导体元件具有薄型化的趋势，因此在侧面进行粘合的专利文献I记载的技术中，有时粘合强度不充分。另一方面，在专利文献2的技术中，在作为引导部件而使用粘合剂的情况下，虽然通过沿着摄像元件的背面延伸的部分能够扩大粘合面积，但是由于粘合剂会绕到半导体元件表面，因此有可能对半导体元件的性能产生负面影响。本专利技术是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供一种半导体器件连接构造，能够不对半导体元件的性能产生影响，而通过简单的方法提高粘合强度。用于解决课题的手段为了解决上述课题并实现目的，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，具备:半导体元件，形成板状，在表面具有外部连接电极；支撑部件，层叠于上述半导体元件而与上述半导体元件粘合，粘合面成为与上述半导体元件大致相同形状的柱状，层叠方向的厚度比上述半导体元件厚；以及挠性基板，与上述外部连接电极连接，上述挠性基板配置于上述半导体元件以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，在上述支撑部件的与上述半导体元件粘合的粘合面附近设置有粘合剂存积部。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，上述支撑部件的粘合面的不与上述挠性基板相接的边的长度，比上述半导体元件的不与上述挠性基板相接的边的长度短。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，在上述支撑部件和上述挠性基板上形成有对准标记。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，在上述支撑部件形成有电路。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，上述对准标记为电极。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，上述支撑部件具有中空部。此外，本专利技术的半导体器件连接构造的特征在于，在上述专利技术中，上述半导体元件为超声波振子，在上述支撑部件内部的中空部配置对超声波的传播进行吸收的衬底材料。此外，本专利技术的超声波模块的特征在于，具备:多个超声波元件，在表面具有外部连接电极，成为棱柱状；支撑部件，层叠于在与长边方向正交的方向上排列有多个的上述多个超声波振子而与该超声波元件粘合，层叠方向的厚度比上述超声波振子厚；以及挠性基板，与上述外部连接电极连接，上述挠性基板配置在上述超声波振子以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。此外，本专利技术的超声波内视镜系统的特征在于，在前端部搭载有上述超声波模块。专利技术的效果根据本专利技术，通过将配置在半导体元件以及支撑部件的侧面的挠性基板、与层叠于半导体元件而粘合的支撑部件进行粘合，由此能够不对半导体元件的性能产生影响而提高粘合强度。【附图说明】图1是本专利技术的实施方式I的半导体器件连接构造的立体图。图2是图1的半导体器件连接构造的A-A线截面图。图3是本专利技术的实施方式I的变形例I的半导体器件连接构造的立体图。图4是图3的半导体器件连接构造的B-B线截面图。图5是本专利技术的实施方式I的变形例2的半导体器件连接构造的截面图。图6是本专利技术的实施方式I的变形例3的半导体器件连接构造的截面图。图7是本专利技术的实施方式2的半导体器件连接构造的立体图。图8是图7的半导体器件连接构造的C-C线截面图。图9是本专利技术的实施方式3的半导体器件连接构造的立体图。图10是表示本专利技术的实施方式3的半导体器件连接构造的挠性基板粘合前的构造的立体图。图11是图9的半导体器件连接构造的D-D线截面图。图12是对本专利技术的实施方式3的变形例的半导体器件连接构造进行说明的立体图。图13是本专利技术的实施方式4的半导体器件连接构造的立体图。图14是图13的半导体器件连接构造的E-E线截面图。图15是本专利技术的实施方式4的变形例的半导体器件连接构造的截面图。图16是表示本专利技术的实施方式5的超声波模块所使用的超声波振子的构成的示意图。图17是示意性地表示本专利技术的实施方式5的超声波模块的立体图。图18是使用了超声波模块的超声波内视镜系统的整体构成图。图19是表示图18的超声波内视镜系统的插入部的前端部的构造的图。图20是表示图19的前端部的超声波模块的构造的图。【具体实施方式】以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式(以下，称为“实施方式”)进行说明。此夕卜，不通过该实施方式来限定本专利技术。此外，在附图的记载中，对于相同部分赋予相同的符号。此外，附图是示意图，需要留意各部件的厚度与宽度的关系、各部件的比率等与现实不同。即使在附图的相互间，也包括相互的尺寸的关系、比率不同的部分。(实施方式I)图1是本专利技术的实施方式I的半导体器件连接构造的立体图。图2是图1的半导体器件连接构造的A-A线截面图。本专利技术的实施方式I的半导体器件连接构造100具备硅衬底1、支撑部件2以及挠性基板3。硅衬底I成为板状，在表面具备外部连接电极4。在图1中表示具有2个外部连接电极4的硅衬底1，但外部连接电极4的数量不限定于此。此外，硅衬底I包含于本专利技术的半导体元件。支撑部件2层叠于硅衬底I而与硅衬底I粘合，支撑部件2的与硅衬底I粘合的粘合面，为与硅衬底I的粘合面大致相同形状的柱状。在本实施方式I中，支撑部件2的层叠方向的厚度形成为比硅衬底I的层叠方向的厚度更厚。支撑部件2的厚度优选为0.5mm程度以上的厚度。支撑部件2例如由树脂等形成，将加工为规定形状的支撑部件2通过粘合剂与硅衬底I层叠而粘合。或者，也可以在使未固化的树脂固化而形成支撑部件2时，与硅衬底I粘合。此外，支撑部件2的材料只要是能够担保绝缘性的材料，则不限定于树脂。挠性基板3在内部具有内导线5，通过能够弯曲的绝缘性薄膜6覆盖内导线5而成。挠性基板3配置在硅衬底I以及支撑部件2的侧面，将未被绝缘性薄膜6覆盖的内导线5折弯，由此与硅衬底I的外部连接电极4连接。内导线5与外部连接电极4的连接例如通过焊锡那样的导电性接合材料来电连接。支撑部件2与挠性基板3通过粘合剂7粘合。在本实施方式I中，将支撑部件2的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底I的层叠方向的厚度，因此粘合面积变大，能够使固定强度提尚。此外，在本实施方式I中，未将硅衬底I的侧面与挠性基板3进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底I的表面，不会对硅衬底I的性能产生影响。在上述实施方式I的半导体器件连接构造100中，在硅衬底I的一个侧面配置挠性基板3并进行连接，但在对置的2个侧面配置个别的挠性基板3而不进行连接。图3是本专利技术的实施方式I的变形例I的半导体器件连接构造的立体图。图4是图3的半导体器件连接构造的B-B当前第1页1 2&nb本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件连接构造，其特征在于，具备：半导体元件，形成板状，在表面具有外部连接电极；支撑部件，层叠于上述半导体元件并与上述半导体元件粘合，粘合面成为与上述半导体元件大致相同形状的柱状，层叠方向的厚度比上述半导体元件厚；以及挠性基板，与上述外部连接电极连接，上述挠性基板配置于上述半导体元件以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田淳也，
申请(专利权)人：奥林巴斯株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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