形成MOSFET结构的方法技术

本发明专利技术提供了一种形成MOSFET结构的方法。在该方法中，形成外延层。在外延层之上形成覆盖层。在外延层之上形成第一沟槽。在第一沟槽内沉积保护层。保护层的材料选自由锗和硅锗组成的组。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，更具体地，涉及形成MOSFET结构的方法。
技术介绍
在形成FinFET结构期间，若干个蚀刻工艺可能破坏包括覆盖层和外延层的源极/漏极部分。如果破坏了源极/漏极部分，则在FinFET结构内形成栅极金属层之后，FinFET结构的硅鳍可能与鳍结构的外延硅限定层直接接触。从而，可能会引起栅极金属层的泄露，并且由于该泄露可能会发生操作失败。
技术实现思路
为解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种形成MOSFET结构的方法，包括:形成外延层；在所述外延层之上形成覆盖层；在所述外延层之上形成第一沟槽；以及在所述第一沟槽内沉积保护层，其中，所述保护层的材料选自由锗和硅锗组成的组。在上述方法中，还包括:对所述保护层实施化学机械抛光(CMP)工艺。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成所述第二沟槽的步骤包括:使用选自由N2/H2混合气体、O2气体、和CO2气体组成的组的气体，基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成所述第二沟槽。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分、和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽的步骤包括:使用CF4/CHF3-合气体，基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成所述第三沟槽。 在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层的步骤包括:使用O2气体、或N2/H2混合气体、CO2气体、CO气体、SO2气体等基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层；基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层；基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分；基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分的步骤包括:使用干蚀刻基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步骤包括:图案化所述MOSFET结构的层间介电(LED)层以形成所述第一沟槽；在所述保护层和所述ILD层之上形成底部光刻胶层；在所述底部光刻胶层之上形成第一光刻胶层；以及在所述第一光刻胶层之上形成第二光刻胶层；基本上蚀刻掉所述第二光刻胶层以图案化所述底部光刻胶层和所述第一光刻胶层，从而形成第二沟槽；基本上蚀刻掉所述第一光刻胶层、所述ILD层的第一部分和所述保护层的第一部分以形成第三沟槽；基本上蚀刻掉所述底部光刻胶层；基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分；基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分的步骤包括:使用湿蚀刻基本上蚀刻掉所述保护层的第二部分。在上述方法中，其中，在所述外延层之上形成所述第一沟槽的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成MOSFET结构的方法，包括：形成外延层；在所述外延层之上形成覆盖层；在所述外延层之上形成第一沟槽；以及在所述第一沟槽内沉积保护层，其中，所述保护层的材料选自由锗和硅锗组成的组。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅劲逢，严佑展，柯志欣，李俊鸿，林焕哲，张惠政，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71