本发明专利技术提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为，在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3)，在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备：树脂层(31)；在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n)；和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备半导体发光元件和具有内部布线的树脂层的发光装置。
技术介绍
使用了发光二极管等半导体发光元件(发光元件)的发光装置容易实现小型化，且可获得高的发光效率，因此被广泛使用。使用了发光元件的发光装置大体上可分为以下两种:在发光元件设置片电极(padelectrode)的面是与安装基板相反的一侧的面的面朝上(face-up)型；和在与安装基板对置的面、即发光元件的下表面安装电极的面朝下(face-down)型。在面朝上型中，在引线等上配备(mount)发光元件，通过接合线(bonding wire)等连接发光元件与引线之间。因此，需要安装到安装基板后从与该基板的表面垂直的一方俯视时，使接合线的一部分位于比发光元件更靠外侧，小型化的程度有界限。另一方面，在面朝下型(大多取倒装型的形态)中，对于设置于发光元件的表面的片电极和设置在安装基板上的布线而言，能够通过从与安装基板的表面垂直的一方俯视时位于发光元件内侧的凸块或金属柱子等连接手段来进行电连接。由此，能够将发光元件的尺寸(尤其是从与安装基板垂直的方向俯视时的尺寸)小型化至接近发光元件的芯片的水平。并且，最近为了推进更加的小型化、为了进一步提高发光效率，使用了去除蓝宝石等生长基板(透光性基板)来使厚度更薄的面朝下型发光装置。生长基板是为了在其上使构成发光元件的η型半导体层及P型半导体层生长而使用的基板，具有通过支撑厚度较薄且强度较低的发光元件来提高发光装置的强度的效果。因此，在形成发光元件之后去除了生长基板的发光装置或使生长基板的厚度变薄的发光装置中，例如，如专利文献I所示那样，为了支撑发光元件而在电极侧(与安装基板对置的一侧)设置树脂层，并且穿过该树脂层来形成金属柱子，由此通过该金属柱子电连接发光元件的电极和设置于安装基板的布线(布线层)。并且，由于具有包括该金属柱子的树脂层，因此发光装置能够确保足够的强度。另一方面，虽然不是发光元件，但是如专利文献2或专利文献3那样，公开了通过金属线连接安装基板的布线和为了与外部进行连接而在树脂的表面设置的端子的方法。【专利文献I】JP特开2010-141176号公报【专利文献2】JP特开平5-299530号公报【专利文献3】JP特开2008-251794号公报在此，为了使发光装置具有足够的强度，树脂层需要具有例如数十ym等级以上或Imm以上这样的足够的厚度。因此，金属柱子也需要具有数十ym等级以上或Imm以上这样的厚度。另一方面，专利文献I记载的金属柱子通常是通过电解电镀法形成的，因此想要形成这种厚度的金属柱子(金属膜)，需要花费很长的时间，因此存在量产性(生产性)低的问题。另外，若在厚膜上形成镀层，则由于与树脂层之间的应力、内部应力，镀层容易产生弯曲，其结果，有可能镀层会从发光元件剥离或者无法将发光装置制作成稳定的形状。因此，考虑了适用专利文献2或专利文献3公开的方法代替金属柱子而适用金属线的方法。若树脂层是所述范围的厚度，则只要改变所使用的金属线的长度，就能够在几乎不改变生产性的情况下形成内部布线。另一方面，公知发光元件的发热量多，随着温度上升，发光输出会降低。因此，需要迅速将发光元件产生的热散去，从而使得温度不会过度上升。在此，若作为支撑体的树脂层的厚度变厚，则金属线也会变长。但是，一般，金属线与通过电解电镀法形成的金属柱子相比更细，因此若长度变长，则金属线的热阻变大，将金属线作为导热路径的散热性降低。其结果，若发光元件的温度过度上升，则发光装置的发光输出会降低。
技术实现思路
为了解决上述的课题，本专利技术的一方式的发光装置具备:半导体发光元件，具有层叠P型半导体层及η型半导体层而构成的半导体层叠体，在所述半导体层叠体的设置有所述P型半导体层的一侧、或者设置有所述η型半导体层的一侧中的任一方的面侧，具有与所述P型半导体层电连接的P侧电极和与所述η型半导体层电连接的η侧电极；树脂层；设置在所述半导体层叠体的所述一方的面侧；Ρ侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；η侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；ρ侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述P侧电极与所述P侧外部连接用电极之间；和η侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述η侧电极与所述η侧外部连接用电极之间，所述P侧内部布线及η侧内部布线分别包括金属镀层和金属线，或分别包括金属镀层和金属线凸块。(专利技术效果)根据本专利技术的发光装置，在支撑体的内部布线中，通过组合金属镀层和金属线、或金属镀层和金属线凸块，从而抑制金属镀层的变形、制造所需的时间的增加，同时能够抑制金属线或金属线凸块的热阻的上升。【附图说明】图1A是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的构成的立体图。图1B是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的构成的俯视图。图1C是图1B的A-A线的示意剖视图。图1D是图1B的B-B线的示意剖视图。图2Α是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光元件的构成的一例的俯视图。图2Β是图2Α的Α-Α线的剖视图。图3Α是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光元件的构成的另一例的俯视图。图3Β是图3Α的A-A线的剖视图。图4Α是图3Α的B-B线的剖视图。图4Β是图3Α的C-C线的剖视图。图5是表示本专利技术的第I实施方式的的流程的流程图。图6A?图6D分别是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。图7A?图7D分别是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。图8A?图8D分别是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。图9A、图9B分别是示意性表示本专利技术的第I实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。图10A、图1OB分别是示意性表示本专利技术的第2实施方式及第3实施方式的发光装置的构成的剖视图。图11是表示本专利技术的第2实施方式的的流程的流程图。图12是表示本专利技术的第3实施方式的的流程的流程图。图13A是示意性表示本专利技术中形成凸块层叠体的情况的剖视图。图13B是示意性表示接合金属线的情况的剖视图。图14A是示意性表示本专利技术的第4实施方式的发光装置的构成的俯视图。图14B是图14A的A-A线的剖视图。图15A是图14A的B-B线的剖视图。图15B是图14A的C-C线的剖视图。图16是表示本专利技术的第4实施方式的的流程的流程图。图17A是示意性表示在本专利技术的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了半导体发光元件的情况的俯视图。图17B是示意性表示在本专利技术的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第I树脂层的情况的俯视图。图18A是示意性表示在本专利技术的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了横布线层的情况的俯视图。图18B是示意性表示在本专利技术的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第2树脂层的情况的俯视图。图19是示意性表示在本专利技术的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第3树脂层的情况的俯视图。【具体实施方式】以下，说明本专利技术的发光装置及其制造方法的实施方式。另外，在以下的说明中所参照的附图示意性表示了本专利技术，有时会夸张地表示各部件的刻度、间隔、位置关系等，或者有时省略部件的部分图示。此外，在俯视图及剖视图中，有时各部件的刻度或间隔会不一致。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备：半导体发光元件，具有包括p型半导体层及n型半导体层的半导体层叠体，在所述半导体层叠体的设置有所述p型半导体层的一侧、或者设置有所述n型半导体层的一侧中的任一方的面侧，具有p侧电极和n侧电极，其中，所述p侧电极与所述p型半导体层电连接，所述n侧电极与所述n型半导体层电连接；树脂层，设置在所述半导体层叠体的所述一方的面侧；p侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；n侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；p侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述p侧电极与所述p侧外部连接用电极之间；和n侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述n侧电极与所述n侧外部连接用电极之间，所述p侧内部布线及n侧内部布线分别包括第1金属镀层和第1金属线，或分别包括第1金属镀层和第1金属线凸块。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：米田章法，粟饭原善之，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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