【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种新型高压二极管。
技术介绍
二极管是由P型半导体和η型半导体组成的ρ-η结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并有自建电场。当外部未加电压时，Ρ-η结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，当外部加入反向电压时，外界电场和自建电场进一步加强，当外加的反向电压高到一定程度时，高电压会将二极管击穿，使其失去单向导电能力，常用二极管的反向耐压一般不超过1KV，在高电压的应用场合下，大多数是采用多个相同参数的二极管串联使用，可靠性不高，容易击穿，且占体积。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种新型高压二极管，解决现有技术中可靠性低、容易击穿且占用体积大的技术问题；本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种新型高压二极管，包括芯片、连接片、端子和胶壳，所述芯片分别安装在连接片两端，且芯片的端部连接有端子，所述连接片设置有胶壳内部，所述胶壳内部填充有黑胶，所述芯片包括多层晶粒和多层铜粒，所述晶粒与铜粒均匀交错分布，所述晶粒与铜粒之间设置有焊接片；在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进:进一步，所述晶粒至少为三层，所述铜粒至少为三层，采用本步的有益效果是提高二极管的反向耐压；进一步，所述连接片为直角三角形，采用本步的有益效果是占用体积，方便安装；进一步，所述端子内部开有凹槽；本技术使用超高压的电路控制，替代了多个二极管组合才能达到高压的效果，多个二极管串联占用线路板空间，焊接时费时费工；本技术的有益效果是:1.本技术通过增加多层晶粒和铜粒，提高二极管的反向耐压；2.本技术通过加入连接...
【技术保护点】
一种新型高压二极管，其特征在于，包括芯片、连接片、端子和胶壳，所述芯片分别安装在连接片两端，且芯片的端部连接有端子，所述连接片设置有胶壳内部，所述胶壳内部填充有黑胶，所述芯片包括多层晶粒和多层铜粒，所述晶粒与铜粒均匀交错分布，所述晶粒与铜粒之间设置有焊接片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏琴，张杰，聂磊，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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