一种H桥驱动电路，其包括：H桥上管驱动部分和与所述H桥上管驱动部分相同的H桥下管驱动部分，所述H桥下管驱动部分包括：第一三极管，第二三极管，电容和推挽电路，所述的第一三极管的输入端输入SPWM信号，低压SPWM信号使第一三极管导通，再由第一三极管驱动第二三极管导通，第二三极管驱动推挽电路工作于推挽状态，并为所述电容充电，电容为H桥上管导通提供驱动电压。本实用新型专利技术的H桥驱动电路，采用简单的三极管元器件，取代常见的驱动集成芯片，在不减弱驱动性能的同时，大大的缩减了H桥驱动电路的成本，简单，成本低。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及全桥逆变电路的驱动
，尤其涉及一种H桥的驱动电路。
技术介绍
H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。常用语逆变器或者驱动交流电机。在当前的全桥逆变的驱动电路中，桥臂上管的驱动需要专门的驱动芯片，或者采用变压器隔离驱动，花费的成本高，不适用低成本小功率逆变电路。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种H桥驱动电路，其解决了目前H桥逆变电路驱动电路部分采用集成芯片，成本高的技术问题。为达到上述目的，本技术所提出的技术方案为:本技术的一种H桥驱动电路，其包括:H桥上管驱动部分和与所述H桥上管驱动部分相同的H桥下管驱动部分，所述H桥下管驱动部分包括:第一三极管，第二三极管，电容和推挽电路，所述的第一三极管的输入端输入SPWM信号，SPWM信号使第一三极管导通，再由第一三极管驱动第二三极管导通，第二三极管驱动推挽电路工作于推挽状态，并为所述电容充电，电容为H桥上管导通提供驱动电压。其中，所述的推挽电路包括第三三极管和第四三极管，所述的第三三极管和第四三极管的基极和发射极分别连接，基极与所述第二三极管的集电极连接，发射极耦接于H桥上管。优选的，所述的第一三极管为MOS管。本技术的H桥驱动电路，采用简单的三极管元器件，取代常见的驱动集成芯片，在不减弱驱动性能的同时，大大的缩减了 H桥驱动电路的成本，简单，成本低。【附图说明】图1为本技术H桥驱动电路的电路图。【具体实施方式】以下参考附图，对本技术予以进一步地详尽阐述。请参阅图1，该H桥驱动电路应用于一种H桥式逆变电路中，图中只示出了 H桥的左边桥臂驱动部分。该H桥驱动电路包括H桥上管驱动部分100和H桥下管驱动部分200。其中，H桥上管驱动部分100和H桥下管驱动部分200电路结构完全相同，在此只以H桥下管驱动部分进行说明。该H桥下管驱动部分包括:电阻R17，R27，R18，R30，R22，R24，R26 ;三极管Q16，也称第一三极管；Q19，也称第二三极管；Q14，也称第三三极管；Q15，也称第四三极管，以及电容C21。其中，控制信号SPWM信号首先经由电阻R27输入到三极管Q16的G极，电阻R17的第一端连接于电阻R27，第二端直接接地。三极管Q16的D极连接于三极管Q19的G极。三极管Q19的G极串联电阻R30之后连接于12V电源，且串联另一电阻R18之后接地。三极管Q19的发射极接地，集电极连接于三极管Q14和Q15的基极，并且三极管Q14和Q15的基极共同串联一电阻R22之后连接于12V电源，并且，该12V电源与地之间还串联有一电容C21。三极管Q14和Q15基极直接连通，发射极也直接连通，三极管Q14的集电极连接于电源，三极管Q15的集电极接地。三极管Q14，Q15共同组成一推挽电路。共同连接的发射极作为驱动输出给电阻R26的第一段，第二端连接于H桥下管Q25的G极。其中，图1中Q11、Q25为全桥H桥的一边桥臂，Q25工作的参考为低压电源的参考地，其工作依靠低压电源的驱动就可以正常工作，低压SPWM信号让Q16工作在开关状态，Q16驱动Q19也工作于开关状态，Q19驱动Q14、Q15工作于PUSH — PULL状态，对Q25的栅极进行一个推拉的驱动模式，让Q25工作在开关的状态，Q25在开关的过程中，Q25导通的时候对上管驱动电路的C7进行充电，当Q25关断的时候，上管驱动电路C7上的电压达到12V，然后为上管得开通创造条件，使Qll导通。三极管Qll的导通过程为，电容C7泵升电压，当三极管Q25导通时，电容C7充电，并且在SPWM高压阶段，三极管Q0、Ql对H桥高边的MOS起到PUSH — PULL的作用，使H桥高边的MOS工作在导通的状态。上述内容，仅为本技术的较佳实施例，并非用于限制本技术的实施方案，本领域普通技术人员根据本技术的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本技术的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。【主权项】1.一种H桥驱动电路，其特征在于，包括:H桥上管驱动部分和与所述H桥上管驱动部分相同的H桥下管驱动部分，所述H桥下管驱动部分包括:第一三极管，第二三极管，电容和推挽电路，所述的第一三极管的输入端输入SPWM信号，SPWM信号使第一三极管导通，再由第一三极管驱动第二三极管导通，第二三极管驱动推挽电路工作于推挽状态，并为所述电容充电，电容为H桥上管导通提供驱动电压。2.如权利要求1所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述的推挽电路包括第三三极管和第四三极管，所述的第三三极管和第四三极管的基极和发射极分别连接，基极与所述第二三极管的集电极连接，发射极耦接于H桥上管。3.如权利要求1所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述的第一三极管为MOS管。【专利摘要】一种H桥驱动电路，其包括：H桥上管驱动部分和与所述H桥上管驱动部分相同的H桥下管驱动部分，所述H桥下管驱动部分包括：第一三极管，第二三极管，电容和推挽电路，所述的第一三极管的输入端输入SPWM信号，低压SPWM信号使第一三极管导通，再由第一三极管驱动第二三极管导通，第二三极管驱动推挽电路工作于推挽状态，并为所述电容充电，电容为H桥上管导通提供驱动电压。本技术的H桥驱动电路，采用简单的三极管元器件，取代常见的驱动集成芯片，在不减弱驱动性能的同时，大大的缩减了H桥驱动电路的成本，简单，成本低。【IPC分类】H02M1-08【公开号】CN204538951【申请号】CN201520256669【专利技术人】袁鑫, 唐政, 吴樟植 【申请人】深圳市易优电气有限公司【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年4月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种H桥驱动电路，其特征在于，包括：H桥上管驱动部分和与所述H桥上管驱动部分相同的H桥下管驱动部分，所述H桥下管驱动部分包括：第一三极管，第二三极管，电容和推挽电路，所述的第一三极管的输入端输入SPWM信号，SPWM信号使第一三极管导通，再由第一三极管驱动第二三极管导通，第二三极管驱动推挽电路工作于推挽状态，并为所述电容充电，电容为H桥上管导通提供驱动电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁鑫，唐政，吴樟植，
申请(专利权)人：深圳市易优电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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