电镀池和金属涂层及其形成方法技术

本发明专利技术涉及电镀池(10)，其包括阳极室溶液(20)储存于其中的阳极室(12)，和将阳极室(12)和阴极(26)相互隔离的隔膜(16)，隔膜(16)中的基材添加有有机镀覆添加剂，隔膜(16)选择性地容许阳极室溶液(20)中所含的金属离子透过。

【技术实现步骤摘要】
电镀池和金属涂层及其形成方法
本专利技术涉及电镀池，金属涂层及其形成方法，更具体而言，涉及能够容易地在阴极(镀覆对象)表面上形成金属涂层的电镀池，使用电镀池形成的金属涂层，和形成金属涂层的方法。专利技术背景需要以简单的方法在导电基底上形成由金属涂层形成的图案(在下文中称为“金属图案”)的技术。最通常使用掩蔽金属图案以外的部分以进行湿法电镀的技术。然而，在该技术中，需要掩模形成步骤和掩模脱除步骤，且存在镀覆液的管理和废液处理成本高的问题。目前，以“物理方法”如不具有上述问题的物理气相沉积或溅射来形成金属涂层然后除去掩蔽部分的方法已被采用。然而，在物理形成金属涂层的这一方法中，成膜速度通常是慢的，且需要真空装置。因此，难以说使用该方法的系统是经济的高速生产系统。另一方面，作为不需要掩蔽的另一方法，使用“印刷方法”如丝网印刷或喷墨印刷用油墨涂覆基底然后除去粘合剂的方法也已被采用，其中导电细粉和粘合剂混合在油墨中。然而，用该“印刷方法”，即使使用挥发性或可升华粘合剂也难以形成具有低体积电阻率的回路。然而，目前，作为在电镀中不用掩蔽而形成回路的尝试，已提出了凝胶电解质(日本专利申请公开No.2005-248319(JP2005-248319A))和使用隔膜如固体电解质膜的技术(日本专利申请公开No.2012-219362(JP2012-219362A)和国际公开WO2013/12563)。当使用这类隔膜时，在室温下在镀Cu中得到约10mA/cm2的电流密度，其中从水溶液中电沉积是相对容易的。然而，在其中需要比镀Cu更高速度的成膜方法(高电流密度电沉积)中，需要采取措施例如以提高金属离子浓度或提高温度。因此，需要较高的成本。特别地，难以使用隔膜使金属(例如其中镍离子、锌离子、锡离子等的沉积电势低的金属)从具有高H+浓度的酸性或轻微酸性水溶液中电沉积，其中电沉积反应(还原沉积反应)与H+离子放电反应(析氢反应)竞争。不清楚该现象的详细原因，但认为该现象是由以下原因(1)-(3)导致的。(1)在电沉积部分产生氢气，并形成缺陷(空隙)。(2)由于沉积超电压太低，金属以细粉形式或者以团块电镀，且当电沉积在隔膜和阴极相互密切接触的状态下进行时，电沉积物渗透到隔膜中。(3)由于由氢气产生导致的pH提高，产生氢氧化物，且钝化(槽电压提高)发展。为解决上述问题，如在普通电镀中，考虑采用将例如用于改进沉积的涂层的物理性能或抑制析氢反应的“有机镀覆添加剂”加入其中使用隔膜的镀覆浴中。然而，当将有机添加剂加入镀覆浴中时，需要精确地控制有机添加剂的浓度。另外，由于有机添加剂在电极上分解和消耗，还需要除去废产物。另外，当将大量有机添加剂加入镀覆浴中时，存在电沉积效率可能降低的问题。此外，当隔膜为离子交换膜时，以及当有机添加剂为离子化合物时，存在有机添加剂吸附在隔膜上、导电率降低和槽电压提高的问题。例如，当镀覆浴中的金属离子为阳离子(正离子)时，从高速镀覆观点看，使用具有高阳离子迁移数的固体电解质膜(阳离子交换膜)作为隔膜是有利的。然而，在使用阳离子交换膜的电镀中，通常采用不使用添加剂的半光亮镀覆(日本专利申请公开No.2009-173992(JP2009-173992A))，或者使用膜被有机添加剂污染的风险低的非离子(中性)隔膜。作为有机添加剂，推荐使用在涂层物理性能改进效果方面弱，但不可能被吸附到阳离子交换膜上的非离子表面活性剂(日本专利申请公开No.2007-002274(JP2007-002274A))或者使用中性添加剂(PCT申请No.2007-523996的公开日文译文(JP-A-2007-523996))。作为选择，推荐将中性隔膜层压在阳离子交换膜的阴极室侧并将有机添加剂仅加入阴极室溶液中使得有机添加剂不吸附到阳离子交换膜上(日本专利申请公开No.2008-038208(JP2008-038208A))。在上述技术中，从没有进行过主动地将有机镀覆添加剂保持在隔膜(特别是固体电解质膜如阳离子交换膜)内部的尝试。
技术实现思路
做出了本专利技术以提供能够容易地形成金属涂层的电镀池；使用电镀池形成的金属涂层；和形成金属涂层的方法。通过本专利技术实现的另一目的是提供能够使用其中可能发生氢气产生的包含金属离子的镀覆液以高速将图案电镀在基材上的电镀池；使用电镀池形成的金属涂层；和形成金属涂层的方法。本专利技术实现的又一目的是提供能够抑制由镀覆液中所含的添加剂吸附在隔膜上而导致的槽电压提高的电镀池；使用电镀池形成的金属涂层；和形成金属涂层的方法。本专利技术电镀池包括阳极室溶液储存于其中的阳极室，和将阳极室与阴极相互隔离的隔膜，其中隔膜中的基材添加有有机镀覆添加剂，且隔膜可选择性地容许阳极室溶液中所含的金属离子透过。电镀池可进一步包括阴极室溶液储存于其中的阴极室。根据本专利技术第一方面，提供电镀池，所述电镀池包括：阳极室溶液储存于其中的阳极室；和将阳极室与阴极相互隔离的隔膜。隔膜中的基材添加有有机镀覆添加剂。隔膜选择性地容许阳极室溶液中所含的金属离子透过。根据本专利技术第二方面，提供形成金属涂层的方法，所述方法包括：使用根据本专利技术第一方面的电镀池在阴极表面上形成金属涂层。另外，根据本专利技术第三方面，提供使用根据本专利技术第二方面的方法在阴极表面上形成的金属涂层。当将用于改进金属涂层的性能的有机镀覆添加剂加入阳极室溶液中时，相对大量的添加剂是必要的。大量添加剂在阳极室溶液中的添加由于添加剂的分解和消耗而导致电沉积效率降低，或者使浓度控制复杂化。另一方面，当将有机镀覆添加剂加入隔膜中时，添加剂逐渐从隔膜移至阴极室溶液中，并补充其必要量。因此，可容易地得到优异的金属涂层。另外，当使用隔膜进行电沉积时，阴极室溶液的量可采用零或者极小。因此，即使当加入隔膜中的添加剂的添加量极小时，阴极侧上的添加剂浓度也是相对高的，并改进了涂层的性能。另外，由于仅最小量的添加剂固定在隔膜上，槽电压不提高。附图简要说明下面参考附图描述本专利技术示例实施方案的特征、优点以及技术和工业重要性，其中类似的数字表示类似的元件，且其中：图1为阐述根据本专利技术第一实施方案的电镀池的示意图；图2A和2B为阐述根据本专利技术第二实施方案的电镀池的示意图；和图3显示实施例6(右图)和对比例7(左图)中所得金属涂层的截面的SEM图像。具体实施方式下文中详细描述本专利技术的实施方案。[1.电镀池10]图1为阐述根据本专利技术第一实施方案的电镀池的示意图。在图1中，电镀池10包括阳极室12、阴极室14和隔膜16。阳极室12填充有阳极室溶液20且阳极22浸入阳极室溶液20中。另外，阳极22与电源25的正极连接。阴极室14填充有阴极室溶液24，且阴极26浸入阴极室溶液24中。另外，阴极26与电源25的负极连接。当使用该电镀池10进行镀覆时，金属涂层28沉积于阴极26表面上。[1.1.阳极室]阳极室溶液20储存在阳极室12中。阳极室12的尺寸和形状、构成阳极室12的材料等没有特别限制，并可根据目的选择最佳。[1.2.阳极室溶液]阳极室12填充有具有预定组成的阳极室溶液20。阳极室溶液20的细节描述于下文中。填充阳极室12的阳极室溶液20的量没有特别限制，并可根据目的选择最佳。[1.3.阳极]阳极22没有特别限制，条件是其至少一个表面由导电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
电镀池，其包括：阳极室溶液储存于其中的阳极室，和将阳极室与阴极相互隔离的隔膜，其特征在于：隔膜中的基材添加有有机镀覆添加剂，和隔膜选择性地容许阳极室溶液中所含的金属离子透过。

【技术特征摘要】
2014.02.04 JP 2014-0190181.电镀池，其包括：阳极室溶液储存于其中的阳极室，和将阳极室与阴极相互隔离的隔膜，其特征在于：隔膜中的基材添加有有机镀覆添加剂，和隔膜选择性地容许阳极室溶液中所含的金属离子透过，其中隔膜的基材由固体电解质膜形成，以及其中有机镀覆添加剂由离子化合物形成，和有机镀覆添加剂的含量相对于固体电解质膜的离子交换容量为0.1％-50％，以及有机镀覆添加剂通过离子交换处理加入隔膜中。2.根据权利要求1的电镀池，其进一步包括：阴极室溶液储存于其中的阴极室，其中隔膜提供在阳极室与阴极室之间的边界处。3.根据权利要求1的电镀池，其中有机镀覆添加剂包含一种或多种选自由初级光亮剂、次级光亮剂、表面活性剂和络合剂组成的组的添加剂。4.根据权利要求2的电镀池，其中有机镀覆添加剂包含一种或多种选自由初级光亮剂、次级光亮剂、表面活性剂和络合剂组成的组的添加剂。5.根据权利要求1-4中任一项的电镀池，其中有机镀覆添加剂包含含有N或P的有机化合物。6.根据权利要求1-4中任一项的电镀池，其中隔膜的基材由...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦房美，村濑笃，长谷川直树，平冈基记，佐藤祐规，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP