本实用新型专利技术涉及一种嵌入式存储芯片。所述嵌入式存储芯片，包括本体，封装在本体内的控制集成电路晶粒，与所述控制集成电路晶粒电连接的Nand Flash存储集成电路晶粒和第一接口接点，所述第一接口接点设置在本体上；还包括封装在所述本体内的SPI Nor Flash存储集成电路晶粒以及与其电连接的设置在本体上的第二接口接点；所述第二接口为SPI接口，所述第二接口接点至少包括电源线、地线、数据输出线、数据输入线、片选线、时钟线6个接点。上述嵌入式存储芯片，将Nand Flash和SPI Nor Flash两种存储集成电路晶粒封装在一个芯片内，使一个芯片具备多种存储功能，便于印刷电路板的设计，且能够有效减少芯片占用印刷电路板的面积，从而节约印刷电路板的空间，便于产品的小型化设计。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及存储设备，特别是涉及一种嵌入式存储芯片和嵌入式电子设备。
技术介绍
现有的电子产品如智能手表、智能手环等设备，功能越来越多，但容纳内部电路的空间确有限，且产品越来越朝着轻薄化，小型化的方向发展，因此对嵌入式芯片的集成度要求越来越高，而现有的嵌入式存储芯片在使用时，都需要再另外配置一个内存芯片以存储一些启动代码等程序，这样，由于嵌入式存储芯片以及内存芯片都需要在印刷电路板上占据一定的面积，因此对电子产品的进一步小型化造成了限制。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有的嵌入式存储芯片结构给嵌入式电子设备进一步小型化造成限制的问题，提供一种高度集成的嵌入式存储芯片。此外，还有必要提供一种集成度高的嵌入式电子设备。一种嵌入式存储芯片，包括本体，封装在本体内的控制集成电路晶粒和NandFlash存储集成电路晶粒，以及设置在本体上的第一接口接点，所述控制集成电路晶粒设置有第一接口，所述Nand Flash存储集成电路晶粒与所述控制集成电路晶粒电连接，所述第一接口接点与所述第一接口电连接，所述嵌入式存储芯片还包括封装在所述本体内的SPINor Flash存储集成电路晶粒，以及与所述SPINor Flash存储集成电路晶粒电连接的第二接口接点，所述第二接口接点设置在所述本体上，所述第二接口接点为SPI接口接点，所述第二接□接点至少包括电源线、地线、数据输出线、数据输入线、片选线、时钟线6个接点。在其中一个实施例中，所述第二接口接点还包括状态保持线接点和写保护线接点。在其中一个实施例中，所述第一接口为SD接口，所述第一接口接点为SD接口接点，所述第一接口接点至少包括电源线、地线、数据线0、数据线1、数据线2、数据线3、时钟线、命令线八个接点。在其中一个实施例中，所述第一接口为USB接口，所述第一接口接点为USB接口接点，所述第一接口接点至少包括电源线、地线、正数据线、负数据线四个接点。在其中一个实施例中，所述第一接口为eMMC接口，所述第一接口接点为eMMC接口接点，所述第一接口接点至少包括电源线1、电源线2、地线、时钟线、命令线、复位线、8个数据线14个接点。在其中一个实施例中，所述嵌入式存储芯片的本体上设置有30个接点，除第一接口接点和第二接口接点外，还包括内核电源线接点以及保留的电源线接点，其余接点为暂时不使用的保留接点。在其中一个实施例中，所述嵌入式存储芯片长、宽、高的尺寸为8mm*8mm*0.8mm，其中长、宽的公差尺寸为正负0.1mm，高的公差尺寸为正负0.01mm。在其中一个实施例中，所述30个接点按5行6列的方式在所述本体表面居中均匀分布，所述接点为圆形焊盘接点，半径为0.6_，其中第I列接点到第6列接点的距离为6mm，第I行接点到第5行接点的距离为4.8mm，相邻两个接点的距离为1.2mm。一种嵌入式电子设备，包括如上述的嵌入式存储芯片。上述嵌入式存储芯片和嵌入式电子设备，将Nand Flash存储集成电路晶粒和SPINor Flash存储集成电路晶粒封装在一个芯片内，并在芯片本体上设置SPINor Flash存储集成电路晶粒的接口接点，使一个芯片具备多种存储功能，便于嵌入式电子设备印刷电路板的设计，且能够有效减少芯片占用印刷电路板的面积，从而节约印刷电路板的空间，便于产品的小型化设计。【附图说明】图1为一个实施例中嵌入式存储芯片的电路结构示意图；图2为一个实施例中嵌入式存储芯片的焊盘分布示意图；图3为一个实施例中嵌入式存储芯片的结构尺寸示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图1为一个实施例中嵌入式存储芯片的电路结构示意图；图2为一个实施例中的焊盘分布示意图。如图1和图2所示，该嵌入式存储芯片10，包括本体106，封装在本体106内的控制集成电路晶粒101和Nand Flash存储集成电路晶粒102，以及设置在本体上的第一接口接点103，所述控制集成电路晶粒101设置有第一接口，所述Nand Flash存储集成电路晶粒102与所述控制集成电路晶粒101电连接，所述第一接口接点103与所述第一接口电连接，所述嵌入式存储芯片10还包括封装在所述本体106内的SPI Nor Flash存储集成电路晶粒104，以及与所述SPI Nor Flash存储集成电路晶粒104电连接的第二接口接点105，所述第二接口接点105设置在所述本体106上，所述第二接口接点105为SPI接口接点，所述第二接口接点105至少包括电源线(SP1-VCC)、地线(GND)、数据输出线(SP1-DO)、数据输入线(SP1-DI)、片选线(SP1-CS)、时钟线(SP1-CLK) 6个接点。在一个具体的实施例中，如图2所示，所述第二接口接点105还包括状态保持线接点(SP1-HOLD)和写保护线接点(SP1-WP)。 在一个具体的实施例中，如图2所示，所述第一接口为SD接口，所述第一接口接点103为SD接口接点，所述第一接口接点103至少包括电源线(VCCSD)、地线(GND)、数据线O(SDDO)、数据线1(3001)、数据线2(3002)、数据线3(3003)、时钟线(SDCLK)、命令线(SDCMD)八个接点。在一个具体的实施例中，所述第一接口为USB接口，所述第一接口接点103为USB接口接点，所述第一接口接点103至少包当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种嵌入式存储芯片，包括本体，封装在本体内的控制集成电路晶粒和Nand Flash存储集成电路晶粒，以及设置在本体上的第一接口接点，所述控制集成电路晶粒设置有第一接口，所述Nand Flash存储集成电路晶粒与所述控制集成电路晶粒电连接，所述第一接口接点与所述第一接口电连接，其特征在于，所述嵌入式存储芯片还包括封装在所述本体内的SPI Nor Flash存储集成电路晶粒，以及与所述SPI Nor Flash存储集成电路晶粒电连接的第二接口接点，所述第二接口接点设置在所述本体上，所述第二接口接点为SPI接口接点，所述第二接口接点至少包括电源线、地线、数据输出线、数据输入线、片选线、时钟线6个接点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志雄，邓恩华，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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