一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构制造技术

一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构，包括四只晶体管，其中两晶体管接为右转通路，另两只接为左转通路，一降压组件D10接在左转的拍照全景照片过程的通路中。所述降压组件D10可以由二极管、稳压器件TL431为主构成。还可以由晶体管或电阻器件构成。本实用新型专利技术的与现有技术相比较后的优点是：实现了远距离遥控手机自拍全景照片之后，遥控距离大于20米，可达到50米，完全模拟了一个人在远处拍照全景照片。本实用新型专利技术拍照全景照片时速度适合，整个拍照过程约为4～10秒之间；由结束位置返回起始位置只需2～5秒快速回转。本实用新型专利技术性能可靠，携带方便，操作简单。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及手机拍照的技术，尤其是涉及一种手机自拍技术，特别是远距离遥控手机自拍全景照片的技术。
技术介绍
当今，手机拍照的照片质量越来越高，用手机来拍照也越来越方便和极其普及，一些手机自拍器和自拍杆已经风靡天下。然而，目前所见到的所有自拍装置，全部都只能拍摄常规尺寸的(单张)照片，即画面长和宽的比例相差不大的照片；不能自拍全景照片，即长和宽有一个方向的尺寸很大的照片，在拍摄全景照片时需要转动手机，并适时按动拍照按钮。而人们在拍摄尺寸很宽的全景风景照片，以及人数众多的全景照片合影时，都希望将拍照者自己拍在其中。检索手机自拍的专利，未见到手机自拍全景照片的专利。例如，对比文件1:中国技术专利201420369050.2，名称为一种手机自拍支架。该技术方案为:一手机自拍支架包括支板以及用于放置手机的架框，所述架框设置在支板的前端，支板的后端安装有可做前后摆动笔架，笔架竖直穿过支板并与支板形成转动配合，笔架上端头夹持有电容触屏笔。通过笔架的前后摆动带动笔架的电容触屏笔向前方的手机触屏靠近并接触，完成拍照。可以看出，因其也无法解决手机在远方的转动，该技术方案不能自拍手机全景照片。再有对比文件2:申请号201410678028.0，名称为一种手机自拍伸缩杆的技术专利申请，其方案的自拍伸缩杆包括USB接口，所述USB接口设在手机托架上，所述手机托架与转轴连接，所述转轴下方与可伸缩拉杆连接，所述可伸缩拉杆的最下端设有拍照按钮。同样可以看出，因其无法解决手机在远方的转动，该技术方案不能自拍手机全景照片。再有对比文件3:申请号201310404859.4，名称为一种无线自拍系统及自拍方法的专利技术专利申请，其目的并不是为了将全景照片拍照在手机之内，在其方案中，手机并不在远方，而是在拍摄者手中，外置摄像装置和移动终端是分开的，也就是说其移动终端接收远端外置摄像装置发来的图像，外置摄像装置一直在漫无目的寻找目标图像，一旦找到目标图像，移动终端立即将该图像存储；通过对该对比文件的分析得知，在野外或是户外，如使用环境中没有wifi，而蓝牙的传输距离又有限，仅有几米之遥，对比文件3的技术方案将无法实施。由此可见，该方案拍摄者手持的移动终端，和远端的外置摄像装置都是复杂的设备，不是我们日常生活中的手机自拍器。当手机自拍全景照片得以实现时，拍照时手机转动的快慢是模拟拍照者转动手机的速度，这个速度不能太快，也不能太慢。但是，拍照全景照片结束后，手机需要返回起始位置，人们希望这个速度可以快一止匕~、O
技术实现思路
为了解决现有技术中没有手机转动快慢运行的电路的问题，本技术提出了一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构的技术方案。本技术通过采用以下技术方案来实现:设计一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构，所述电路包括:第一晶体管Ql，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3，第四晶体管Q4，所述第一晶体管Ql和第四晶体管Q4，接为右转通路，当MCU的P3.7输出高电平、P3.6输出低电平时，第一晶体管Ql和第四晶体管Q4导通，电压VC经由第一晶体管Q1、电机M、第四晶体管Q4，电机右转；所述第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，接为左转通路，当MCU的P3.6输出高电平、P3.7输出低电平时，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3导通，电压VC经由第二晶体管Q2、电机M、第三晶体管Q3，电机左转；一降压组件DlO接在左转通路中。所述降压组件DlO由至少一只二极管构成，由于每只二极管的压降为0.7V，所以二极管的个数不超过10只为佳。所述降压组件DlO还可以由稳压器件TL431为主构成。所述降压组件DlO还可以由电阻器件构成。本技术的与现有技术相比较后的优点是:实现了远距离遥控手机自拍全景照片之后，遥控距离大于20米，可达到50米，完全模拟了一个人在远处拍照全景照片。本技术拍照全景照片时速度适合，整个拍照过程约为4?10秒之间；由结束位置返回起始位置只需2?5秒。本技术性能可靠，携带方便，操作简单。【附图说明】图1为本技术一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构原理图；图2为本技术一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构的使用中示意图；图3为本技术一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构实施方式之一的示意图。【具体实施方式】为了进一步说明本技术的方法，现结合附图所示的本技术的优选实施例进行详细说明，然而所述实施例仅为提供说明与解释之用，不能用来限制本技术的专利保护范围。如图1?图3所示，设计制造一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构，所述电路包括:第一晶体管Ql，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3，第四晶体管Q4，所述第一晶体管Ql和第四晶体管Q4，接为右转通路，当MCU的P3.7输出高电平、P3.6输出低电平时，第一晶体管Ql和第四晶体管Q4导通，电压VC经由第一晶体管Q1、电机M、第四晶体管Q4，电机右转；所述第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，接为左转通路，当MCU的P3.6输出高电平、P3.7输出低电平时，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3导通，电压VC经由第二晶体管Q2、电机M、第三晶体管Q3，电机左转；—降压组件DlO接在左转通路中。在第一种实施方式中，所述降压组件DlO可以由至少一只二极管构成，由于每只二极管的压降为0.7V，所以二极管的个数不超过10只为佳。在第二种实施方式中，所述降压组件DlO由稳压器件TL431为主构成。用这种器件可以降掉的电压范围很宽，该技术属于常见的现有技术在此恕不赘述。除了二极管、稳压器件TL431，还可以用晶体管降压、电阻降压。用电阻降压时，根据需要降低的电压值，根据电机M的电流，算出电阻器件的阻值和功率接入即可。如图3所示，跟随转盘51转动的磁铁52，在左霍尔器件53处使其输出一个信号，至 MCU ；当磁铁52运行至右霍尔器件54处，使其输出一个信号，也输入至MCU ；在起始位置55，先触发一次拍照操作，然后转盘51转至结束位置56，再触发一次拍照操作或是由手机自动触发一次拍照操作，结束全景拍照，然后转盘51回转，回到起始位置55。转动方向A是左转，速度适中；转动方向B是右转回转，速度快。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构，其特征在于，所述电路结构包括: 第一晶体管Q1，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3，第四晶体 管Q4，所述第一晶体管Ql和第四晶体管Q4，接为右转通路，当MCU的P3.7输出高电平、P3.6输出低电平时，第一晶体管Ql和第四晶体管Q4导通，电压VC经由第一晶体管Ql、电机M、第四晶体管Q4，电机右转； 所述第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，接为左转通路，当MCU 的P3.6输出高电平、P3.7输出低电平时，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3导通，电压VC经由第二晶体管Q2、电机M、第三晶体管Q3，电机左转； 一降压组件DlO接在左转通路中。2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种手机自拍全景照片转盘快慢运行的电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：第一晶体管Q1，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3，第四晶体管Q4，所述第一晶体管Q1和第四晶体管Q4，接为右转通路，当MCU的P3.7输出高电平、P3.6输出低电平时，第一晶体管Q1和第四晶体管Q4导通，电压VC经由第一晶体管Q1、电机M、第四晶体管Q4，电机右转；所述第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，接为左转通路，当MCU的P3.6输出高电平、P3.7输出低电平时，第二晶体管Q2，第三晶体管Q3导通，电压VC经由第二晶体管Q2、电机M、第三晶体管Q3，电机左转；一降压组件D10接在左转通路中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉平，
申请(专利权)人：李玉平，
类型：新型
国别省市：河南;41