发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术的例示性实施例提供一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包含安置于基板上的发光单元，以及将发光单元彼此连接的导线，其中发光单元各自包含具有两个锐角以及两个钝角的平行四边形形状的发光单元，或具有三个锐角的三角形发光单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的例示性实施例涉及一种发光二极体，且更特定而言，涉及一种具有多个发光单元的发光二极体。
技术介绍
发光二极体广泛用于显示装置以及背光单元。相比于现有白炽灯或荧光灯，在发光二极体具有低功率消耗以及长寿命的情况下，发光二极体已通过替换现有白炽灯、荧光灯以及类似者而将应用范围扩展至一般照明。发光二极体可由正向电流(forward current)驱动，且因此根据在交流电流(alternating current ；AC)下所提供的电流的方向重复开/关操作。因此，当发光二极体直接连接至AC源时，发光二极体可能不能连续地发光，且可能易于受到反向电流损害。此夕卜，可由预定正向电压驱动单一发光二极体，且因此可能不能在高电压条件下驱动发光二极体。已开发能够在高电压AC条件下驱动的发光二极体。此发光二极体可包含具有实质上正方形或矩形形状且由互连线彼此串联连接的多个发光单元，且因此，发光二极体可由高电压驱动。另外，发光单元的串联阵列可连接至诸如桥式整流器(bridge rectifier)的整流器电路，藉此提供可由AC源驱动的发光二极体。然而，具有多个发光单元的典型发光二极体可能具有相对较低的发亮效率。韩国专利公开案第2011-0024762A号揭示用于改良光提取效率的技术，其中凹凸图案(convex-concave pattern)形成于基板上，如形成于图案化的蓝宝石基板(patternedsapphire substrate ；PSS)中，使得半导体层可生长于凹凸图案上。然而，此技术仅经由形成凹凸图案而在改良光提取效率方面具有限制。在现有技术章节中所揭示的以上资讯仅为了增强理解本专利技术的现有技术，且因此其可含有并不形成现有技术的任何部分、亦并非现有技术可向本领域技术人员所暗示的内容的资讯。
技术实现思路
技术问题本专利技术的例示性实施例提供一种具有经改良的光提取效率的发光二极体。本专利技术的例示性实施例亦提供一种包含多个发光单元且具有经改良的光提取效率的发光二极体。本专利技术的例示性实施例亦提供一种能够减少由发光二极体的组件造成的光损失的发光二极体。本专利技术的额外特征将在以下描述中阐述，且将部分地自描述显而易见，或可通过实践本专利技术而获悉。技术方案本专利技术的例示性实施例提供一种发光二极体，其包含安置于基板上的发光单元，以及将发光单元彼此连接的导线，其中发光单元各自包含具有两个锐角以及两个钝角的平行四边形形状(parallelogram-shaped)的发光单元，或具有三个锐角的三角形发光单元。本专利技术的例示性实施例提供一种制造发光二极体的方法，方法包含制备基板；在基板上形成包含第一导电型半导体层、主动层以及第二导电型半导体层的堆迭；以及图案化堆迭以形成发光单元。发光单元各自包含具有两个锐角以及两个钝角的平行四边形形状的发光单元，或具有三个锐角的三角形发光单元。本专利技术的例示性实施例提供一种包含安置于基板上的发光单元的发光二极体。发光单元各自包含具有两个锐角以及两个钝角的平行四边形形状的发光单元，或具有三个锐角的三角形发光单元，基板包含凹凸图案，其包含由其第一表面上的凸面界定的凸面以及凹面，且凹凸图案安置于基板的第一表面上的第一区域中，且包含安置于凹凸图案的表面上的细凸面(fine convexities)以及凹面。应理解，前述一般描述以及以下详细描述皆为例示性以及解释性的，且意欲提供如所主张的本专利技术的进一步解释。【附图说明】自结合附图的以下例示性实施例的详细描述，本专利技术的以上以及其他形式、特征以及优势将变得显而易见。图1为根据本专利技术的例示性实施例的发光二极体的示意性平面图。图2为根据图1的例示性实施例的发光二极体的沿着线1-V截取的剖视图。图3为平行四边形形状的发光单元的示意性平面图。图4为根据本专利技术的例示性实施例的发光二极体的示意性平面图。图5为根据图4的例示性实施例的发光二极体的沿着线1-V截取的剖视图。图6(a)以及图6(b)为根据本专利技术的例示性实施例的发光二极体的示意性平面图。图7 (a)、图 7 (b)、图 7 (C)、图 7 (d)、图 7 (e)、图 7 (f)、图 7 (g)、图 7 (h)、图 7 ⑴以及图7(j)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图8、图9以及图10为用于蚀刻的罩幕图案的示意性平面图。图11为根据本专利技术的例示性实施例的凹凸图案的平面图。图12为图11中所显示的凹凸图案的透视图。图13(a)以及图13(b)分别为说明通过形成于发光二极体的下部部分处的凹凸图案以及隔离区域内的凹凸图案自主动层在各种方向上发射的光的反射的图。图14(a)、图14(b)、图14 (C)、图14(d)以及图14(e)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图15(a)、图15(b)、图15(c)以及图15(d)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图16(a)、图16(b)、图16(c)以及图16(d)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图17为根据本专利技术的例示性实施例的凹凸图案的平面图。图18(a)、图18(b)、图18(c)以及图18(d)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图19(a)、图19(b)、图19(c)以及图19(d)为说明根据本专利技术的例示性实施例的制造发光二极体的方法的剖视图。图20以及图21为在于凹凸图案制备实例I以及2中所制备的凹凸图案上生长磊晶层之后凹凸图案的横截面SEM影像。图22 (a)、图22 (b)以及图22 (C)为具有在凹凸图案制备实例3中所制备的凹凸图案的基板的SEM影像。图23为描绘发光二极体制备实例2以及3中所制备的发光二极体的电流输出的曲线图。图24(a)以及图24(b)为具有在凹凸图案制备实例4中所制备的凹凸图案的基板的SEM影像。【具体实施方式】将参看附图更详细地描述本专利技术的例示性实施例。应理解，仅通过说明给出以下的例示性实施例，以向本领域技术人员提供对本专利技术的透彻理解。因此，本专利技术并不限于以下的例示性实施例，且可以不同方式体现。另外，贯穿本说明书，将由相似参考编号表示相似组件，且为了清晰起见，可能夸示某些元件、层或特征的宽度、长度以及厚度。应理解，当将元件称作置放于另一元件“上方”或“上”时，其可直接置放于另一元件上或亦可存在介入层。换言之，应将空间定向的表述解释为指示相对定向，而非绝对定向。另外，应理解，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等以将各种元件、组件、区域、层和/或区段彼此区分，但此等元件、组件、区域、层和/或区段不应受此等术语限制。应理解，出于本揭示内容的目的，可将“X、Y以及Z中的至少一个”视为仅X、仅Y、仅Z，或两个或两个以上项X、Y以及Z的任何组合(例如，XYZ、XYY、TL、ZZ) O图1以及图2分别为根据本专利技术的例示性实施例的发光二极体的示意性平面图以及示意性剖视图，且图3为图1中所显示的发光单元101的示意图。参看图1、图2以及图3，根据本专利技术的例示性实施例的发光二极体包含基板10、多个发光单元UD 100、200以及互连线46。发光二极体可还包含第一电极垫片(electrodepad) 300a以及第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体，包括：发光单元，安置于基板上；以及导线，将所述发光单元彼此连接，其中所述发光单元各自包括具有两个锐角以及两个钝角的平行四边形形状的发光单元或具有三个锐角的三角形发光单元。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在权，尹余镇，金钟奎，李小罗，李剡劤，李贤行，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR