【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体芯片领域，具体地说，特别涉及到一种新型半导体芯片结构。
技术介绍
半导体芯片指的是在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓，锗等半导体材料。现有的半导体芯片的结构为左右分布结构，在半导体片拆上设置的两块有源区分别位于半导体芯片的左右两侧，其接触长度仅为两者的边长，因此，采用这种结构的半导体芯片的通流量较低。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术中的不足，提供一种新型半导体芯片结构，以解决上述问题。本技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:一种新型半导体芯片结构，包括用作于基板的半导体芯片，在所述半导体片材上设有第一有源区和第二有源区；所述第一有源区的主体为环形，在环形的内部设有空心结构，所述第二有源区位于空心结构内，且第二有源区的四条外边分别与第一有源区空心结构的四条内边内边接触。优选的，所述第一有源区为内部空心的圆环或多边形。与现有技术相比，本技术的有益效果如下:在保证芯片总面积和每个芯片面积基本不变的情况下，将两个芯片的接触长度变为2.75倍，增加了芯片的通流量。【附图说明】图1为本技术所述的现有半导体芯片的结构示意图。图2为本技术所述的新型半导体芯片的结构示意图。【具体实施方式】为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本技术。参见图1，以总体尺寸为100μπι*100μπι的芯片为例，若采用现有的左右分布结构，则左边有源区的尺寸为35 μ m*80 μ m = 2800 μ m2，右边有源区的尺寸为3...
【技术保护点】
一种新型半导体芯片结构，包括用作于基板的半导体芯片，在所述半导体片材上设有第一有源区和第二有源区；其特征在于：所述第一有源区的主体为环形，在环形的内部设有空心结构，所述第二有源区位于空心结构内，且第二有源区的四条外边分别与第一有源区空心结构的四条内边内边接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李子明，
申请(专利权)人：上海智晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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