一种光控多晶硅还原炉电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光控多晶硅还原炉电源，包括：多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，第一光控型可控硅的阳极与第二光控型可控硅的阴极连接，第一光控型可控硅的阴极与第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，设有多组抽头，变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，光控可控硅功率控制器分别与多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，负载的第一端与多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，N排与负载的第二端连接。提高了抗干扰能力；优化了还原炉电源系统结构，从而减少了故障率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅还原电源领域，特别是涉及一种光控多晶硅还原炉电源。
技术介绍
随着科学技术的进步，多晶硅还原电源技术取得了长足的发展，目前，国内外多晶硅还原电源技术主要采用两种方案，一是采用直流系统，一是采用交流系统。由于直流系统中整流和斩波等环节较为繁琐，且设备众多，投资较大，因而很少企业选择该方案。现如今，大多数企业选用的是交流系统，还原电源采用了多组电压等级，叠层控制输出。常规的还原电源采用了大量的可控娃，如图1所示，该电源采用PWM移相控制可控硅的方法，为了调节可控硅的触发角，由控制系统中的PLC与功率控制器通讯进行控制，PWM脉冲控制器11将PWM脉冲信号转换成光信号，通过光纤将PWM光信号传递到光电转换触发板12，将光信号转为电信号，输入到可控硅10的门极进行控制。然而，由于五档电压叠层控制，需要每两组可控硅同时工作，微小的干扰都将会造成两组可控硅同时导通，从而损坏可控硅，此外，由于控制系统较为复杂，每个可控硅需要配置一个光电转换触发板12，并给光电转换触发板12配备一个隔离变压器13，设备数量较多，系统连线及控制复杂，不便于检修维护。因而，如何提高还原电源的抗干扰能力，以及优化整个系统，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种光控多晶硅还原炉电源，可以有效提高还原电源的抗干扰能力，以及简化整个系统。为解决上述技术问题，本技术提供了如下技术方案:一种光控多晶硅还原炉电源，包括:多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，所述第一光控型可控硅的阳极与所述第二光控型可控硅的阴极连接，所述第一光控型可控硅的阴极与所述第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，所述变压器设有多组抽头，所述变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，所述光控可控硅功率控制器分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，所述负载的第一端与所述多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，所述N排与所述负载的第二端连接。优选的，所述光控可控硅功率控制器通过光纤分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接。优选的，所述光控型可控硅组的数目具体为五组。优选的，所述负载为硅棒。优选的，所述光控可控硅功率控制器的光源的光谱范围为0.55-1.0微米，包括端点值。优选的，所述光控可控硅功率控制器的光源为NcUYAC激光器、GaAs发光二极管或激光二极管。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本技术实施例所提供的一种光控多晶硅还原炉电源，采用光控可控硅功率控制器和光控型可控硅，其光控可控硅功率控制器分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极直接连接，光控可控硅功率控制器直接输出光信号，控制光控型可控硅的门极，通过主电路与控制电路的光耦合，可以有效抑制噪音干扰，极大的提高了抗干扰能力；无需再将光信号转为电信号，因而取消了光电转换触发板和隔离变压器，简化了整个电源系统，使得系统得到了优化，从而减少了故障率，也便于维护检修。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为常规的电控可控硅还原电源的结构示意图；图2为本技术一种【具体实施方式】所提供的光控多晶硅还原炉电源结构示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，目前的还原电源抗干扰能力较差，且控制元器件数量较多，系统连线及控制复杂，不便于检修维护。基于上述研宄的基础上，本技术实施例提供了一种光控多晶硅还原炉电源，包括:多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，所述第一光控型可控硅的阳极与所述第二光控型可控硅的阴极连接，所述第一光控型可控硅的阴极与所述第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，所述变压器设有多组抽头，所述变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，所述光控可控硅功率控制器分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，所述负载的第一端与所述多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，所述N排与所述负载的第二端连接。本技术实施例所提供的一种光控多晶硅还原炉电源，采用光控可控硅功率控制器和光控型可控硅，其光控可控硅功率控制器分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接，光控可控硅功率控制器直接输出光信号，控制光控型可控硅的门极，通过主电路与控制电路的光耦合，可以有效抑制噪音干扰，极大的提高了抗干扰能力；无需再将光信号转为电信号，因而取消了光电转换触发板和隔离变压器，简化了整个电源系统，使得系统得到了优化，从而减少了故障率，也便于维护检修。为了使本技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广。因此本技术不受下面公开的【具体实施方式】的限制。请参考图2，图2为本技术一种【具体实施方式】所提供的光控多晶硅还原炉电源结构示意图。本技术的一种【具体实施方式】提供了一种光控多晶硅还原炉电源，包括:多组光控型可控硅组21，每组光控型可控硅组21包括相对设置的第一光控型可控硅211和第二光控型可控硅212，所述第一光控型可控硅211的阳极与所述第二光控型可控硅212的阴极连接，所述第一光控型可控硅211的阴极与所述第二光控型可控硅212的阳极连接；变压器，所述变压器设有多组抽头，所述变压器的抽头与光控型可控硅组21相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组21的输入端连接；光控可控硅功率控制器22，所述光控可控硅功率控制器22分别与所述多组光控型可控硅组21中的光控型可控硅的控制极连接；负载23，所述负载23的第一端与所述多组光控型可控当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光控多晶硅还原炉电源，其特征在于，包括：多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，所述第一光控型可控硅的阳极与所述第二光控型可控硅的阴极连接，所述第一光控型可控硅的阴极与所述第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，所述变压器设有多组抽头，所述变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，所述光控可控硅功率控制器分别与所述多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，所述负载的第一端与所述多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，所述N排与所述负载的第二端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王清华，张滔滔，
申请(专利权)人：重庆大全泰来电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85