【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种倒装芯片框架半蚀刻结构，属于集成电路或分立元件封装
技术介绍
目前行业内的倒装芯片框架在不在芯片下方做正面半蚀刻，因此当倒装芯片框架设计大芯片的时候因模流受阻，存在塑封料填充不良的情况(如图1所示)。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它一方面可以引导模流的方向，使模流顺利流过去，解决了因塑封料填充不良而导致气孔和反包封现象，另一方面由于框架是金属材质，芯片是硅材质，两种不同的材质结合，受温度影响，热涨冷缩，框架和芯片间会产生应力，本技术在金属表面蚀刻可减少芯片与金属面的接触，从而改善应力。本技术的目的是这样实现的:一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它包括芯片座和引脚阵列，所述引脚阵列设置于芯片座周围，所述芯片座正面设置有纵向流道和横向流道。所述纵向流道和横向流道的宽度为芯片座宽度的1/4-1/2。所述纵向流道和横向流道通过半蚀刻形成。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果:本技术一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它一方面可以引导模流的方向，使模流顺利流过去，解决了因塑封料填充不良而导致气孔和反包封现象，另一方面改善了应力。【附图说明】图1为现有倒装芯片框架的结构示意图。图2为本技术一种倒装芯片框架半蚀刻结构的示意图。其中:芯片座I引脚阵列2纵向流道3横向流道4芯片5。【具体实施方式】参见图2，本技术一种倒装芯片框架半蚀刻结构，它包括芯片座I和引脚阵列2，所述引脚阵列2设置于芯片座I周围，所述芯片座I正面设置有纵向流道3和横向流道 4，所述纵向流道3和横向流道4通过半蚀刻形成。【主权项】1....
【技术保护点】
一种倒装芯片框架半蚀刻结构，其特征在于：它包括芯片座（1）和引脚阵列（2），所述引脚阵列（2）设置于芯片座（1）周围，所述芯片座（1）正面设置有纵向流道（3）和横向流道（4）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周丽，龚臻，张珊，邵向廉，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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