形成膜层的装置制造方法及图纸

本申请涉及一种形成膜层的装置，以及原子层沉积法或形成膜层的方法。根据本申请，提供了一种能够通过连续原子层沉积有效形成所需膜层的形成膜层的装置，以及采用所述形成膜层的装置的原子层沉积法或形成膜层的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成膜层的装置
本申请涉及一种形成膜层的装置以及一种形成膜层的方法。
技术介绍
在各种领域中，均需求形成各种膜层的技术，例如，形成如阻隔层的保形涂层，在电致发光显示器、液晶显示器(LCD)、电泳等中所需求的柔性显示涂层，射频识别(RFID)，微电机系统(MEMS)，光学涂层，柔性基底上的电子组件，柔性基底上的膜层，电致变色，光电动势等等。现有技术文件专利文件1：美国专利申请公开No.2002-0170496专利文件2：美国专利No.4,692,233。
技术实现思路
[技术目的]本申请提供一种形成膜层的装置以及一种形成膜层的方法。[技术方案]本申请提供一种形成膜层的装置，包括，含有至少一个安装成用于传输基底的导辊的传输系统；以及安装成用于在传输的基底表面上形成前驱层的第一处理区。所述处理区包括第一室和设置于第一室上侧或下侧的第二室，并且在第一室中形成通行部，通过该通行部能够将基底从第一室的下侧或上侧引入第二室。所述导辊分别处在第一室和第二室的每一个中，并安装成形成路径，基底能够通过该路径穿过第一室，接着经由所述通行部穿过第二室。[技术效果]根据本申请，提供了形成膜层的装置和采用所述装置形成膜层的方法，所述装置可传输基底(例如，柔性基底如塑料膜、纤维或金属网或膜)，并可在基底上形成膜层。采用所述装置，可在基底上形成各种前驱层。附图说明图1至6为图示了形成膜层的处理区或装置的具体实施例。图7至11为图示了前驱体供给辊的具体实施例。具体实施方式根据本申请的一个方面，提供了一种形成膜层的装置，其被配置为在传输基底的同时在基底上形成膜层。该装置可以为所谓用于形成膜层的辊对辊(roll-to-roll)装置。所述形成膜层的装置可包括：含有一个或多个安装成用于传输基底的导辊的传输系统；以及安装成用于在传输基底的同时在基底的表面上形成前驱层的第一处理区。第一处理区可包括第一室和设置于所述第一室上部或下部的第二室，且第一室可具有通行部，经过该通行部可将基底从第一室的上部或下部引入第二室。在一个实施例中，第二室可设置为与第一室的上部或下部相接触。所述一个或多个导辊可设置于各个第一室和第二室中，且也可形成一个路径，使得基底能够穿过第一室，接着经由通行部穿过第二室。在此过程中，经由通行部引入第二室的基底可经由相同的通行部排出第二室之外。第一室或第二室可具有通道，例如，随后将描述的流动限制通道，并且经由所述通道，可将基底引入或排出第一室或第二室。在一个实施例中，所述形成膜层的装置可以是原子层沉积(ALD,AtomicLayerDeposition)设备，例如，以原子层沉积(ALD)方式形成膜层的辊对辊原子层沉积(ALD)设备。根据本申请的另一方面，提供了一种形成膜层的方法，例如，采用形成膜层的装置的形成膜层的方法。具体实施例详述本申请的形成膜层的装置，可包括传输系统，以及至少一个可在传输系统传输的基底上形成膜层的处理区(下文中，可称之为第一处理区，以区别于随后将描述的另一处理区)。传输系统可被形成用于传输基底，且可具有能够传输基底的任何结构。在一个实施例中，形成膜层的装置可以是所谓的辊对辊设备。在此情况下，传输系统可包括一个或多个导辊。传输系统的导辊可形成使得基底能够经过处理区的路径。第一处理区是这样的区域，其中通过传输系统引入基底，并进行用于形成膜层的处理。如随后将描述的，当在处理区的基底上形成前驱体的膜层时，处理区可形成为容纳前驱体。作为说明书中使用的术语，所述前驱体可包括所有可形成膜层的材料，且每种材料本身可形成膜层，或者每种材料可首先应用于基底表面，接着可通过其自我反应或与其它材料的反应形成膜层。前驱体的状态没有特别的限定，可以是气体、液体或固体(例如，细粉)。在处理区形成前驱体层的机制没有特别的限定。举例来说，形成膜层的方法，如原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)以及溅射，已经是众所周知的。除上述方法外，可以根据应用方式适当的选择在处理区形成膜层的机制。处理区可包括第一室和第二室，且各室均可容纳前驱体。在各个第一室和第二室中所容纳的前驱体的类型可以彼此相同或者不同。在处理区中，第二室可配置于第一室的上部或下部。图1是示例性图示第一室101和第二室201堆叠的状态的示图。在图1中，第一室101和第二室201相互接触。然而，第一室101和第二室201可以预定的距离彼此间隔。图1示例性地图示了当从第一室101的侧边观察时，具有图2的结构的处理区。如图所示，通行部1011形成于第一室101中，且导辊300可形成路径，使得基底能够穿过第一室101，经由通行部1011引入第二室201，然后排出。图3是示例性图示导辊300的示图，导辊300形成了路径来使基底400能够在图1的结构中以上述方法移动。除第一处理区之外，如需要的话，形成膜层的装置可进一步包括第二处理区。第二处理区可以是如同第一处理区一样在基底上形成前驱体层的区域，或是采用惰性气体等对基底进行净化操作的区域。举例来说，第二处理区可形成为一般腔室。在此情况下，导辊可形成路径，使得经过第一室的基底能够穿过第二处理区，接着经由第一室的通行部穿过第二室。图4是图示进一步包括有第二处理区500的实施例的示图。导辊300形成了路径，使得经过第一室101的基底400能够穿过第二处理区500，接着经由第一室101的通行部1011穿过第二室201。在此情况下，导辊300可设置于第二处理区500中。在形成膜层的装置中，第一和第二处理区可被另一区域(下文中，称为第三处理区)分隔开。第三处理区可以是如同第一处理区一样在基底上形成前驱体层的区域，或是采用惰性气体等对基底进行净化操作的区域。如果第一、第二和第三处理区全部形成前驱体层，则在各个处理区中的前驱体的类型，可以彼此相同或是不同。在此情况下，传输系统的导辊可形成为使得基底能够依次经过第一室、第三处理区、第二处理区和第二室，或者依次经过第二室、第三处理区、第二处理区和第一室。图4图示了第一处理区101和201与第二处理区500被第三处理区600分隔开的示例性实施例。如图4所示，传输系统的导辊300可形成为使得基底400能够依次经过第一室101、第三处理区600、第二处理区500和第二室201，或者依次经过第二室201、第三处理区600、第二处理区500和第一室101。在上述结构中，第二室可包括在第一室方向上形成的凸出部。在此情况下，可将凸出部插入第一室的通行部中，但不限于此。另外，在此结构中，第二室的导辊可设置于第二室的凸出部处，但也可不设置于凸出部处。图5为示例性地图示具有凸出部2011的第二室201的示图，且图6是图示与图4的形成膜层的装置类型相同，但采用具有凸出部2011的腔室作为第二室201的实施例的示图。因此，除了凸出部2011形成在第二室201处以外，可等同适用图4的描述。在此结构中，当将第二室的凸出部插入第一室的通行部中时，所述通行部可具有包围所述凸出部的外表面的尺寸。在此情况下，所述通行部可形成为具有与凸出部相同的尺寸，或具有大于凸出部的尺寸。在上述结构中，至少两个腔室(如第一室和第二室)交替配置，且一个腔室(如第一室)通过其两个侧部相接触，另一个腔室(如第二室)通过其上部相接触。由于这种结构，可以在膜层的形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成膜层的装置，包括：传输系统，其含有至少一个安装成用于传输基底的导辊；以及第一处理区，其安装成用于在要传输的基底的表面上形成前驱体层，其中，所述处理区包括第一室和设置于所述第一室上侧或下侧的第二室，其中在所述第一室中形成通行部，通过该通行部能够将所述基底从所述第一室的上侧或下侧引入所述第二室，以及其中，所述导辊分别位于所述第一室和第二室的每一个中，并被安装成形成路径，通过该路径所述基底能够穿过所述第一室，接着经由所述通行部穿过所述第二室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.30 KR 10-2012-0138318;2013.12.02 KR 10-2011.一种形成膜层的装置，包括：传输系统，其含有至少一个安装成用于传输基底的导辊；以及第一处理区，其安装成用于在要传输的基底的表面上形成前驱体层，其中，所述处理区包括第一室和设置于所述第一室上侧或下侧的第二室，其中在所述第一室中形成通行部，通过该通行部能够将所述基底从所述第一室的上侧或下侧引入所述第二室，以及其中，所述导辊分别位于所述第一室和第二室的每一个中，并被安装成形成路径，通过该路径所述基底能够穿过所述第一室，接着经由所述通行部穿过所述第二室，其中，所述第二室包含有在朝向所述第一室的方向上形成的凸出部。2.根据权利要求1所述的装置，所述装置安装成用于通过原子层沉积形成膜层。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二室位于所述第一室的上侧或下侧并与所述第一室相接触。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二室的凸出部插入所述第一室的通行部。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一室的通行部具有包围所述第二室的要插入的凸出部的外表面的尺寸。6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括安装成用于在传输的基底上形成前驱体层或采用惰性气体进行净化操作的第二处理区。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晟焕，金东烈，黄樯渊，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR