半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、至少一电容器、第一保护层、再分布层以及第二保护层。所述电容器位于所述衬底上，且接触所述衬底的导电通孔。所述第一保护层覆盖所述电容器。所述再分布层位于所述第一保护层上，且电连接到所述电容器。所述第二保护层覆盖所述再分布层和所述第一保护层。借此，可有效提高电特性及增加线路布局区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，明确地说，涉及一种具有集成无源装置的。
技术介绍
常规电路中通常会具有电容器和电感器等无源装置。为了微型化目的，将所述电阻器和所述电感器集成到半导体过程以形成具有集成无源装置(Integrated PassiveDevice, IPD)的半导体装置便为一大趋势。然而，所述常规半导体装置的厚度无法有效减少，而无法达到微型化的目的，而且其过程流程过于冗长且电特性较差。因此，有必要提供一种，以解决上述问题。
技术实现思路
本揭露的一方面涉及一种半导体装置。在一实施例中，所述半导体装置包含衬底、至少一电容器、第一保护层、第一互连金属、第二互连金属、再分布层以及第二保护层。所述衬底具有第一表面、第二表面和至少一第一导电通孔，所述至少一第一导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面和所述第二表面。所述电容器位于所述衬底的第一表面，且包含第一电极、中间绝缘层和第二电极，其中所述第一电极的面积大于所述中间绝缘层或所述第二电极的面积，且所述第一电极接触所述至少一第一导电通孔。所述第一保护层覆盖所述至少一电容器和所述衬底的所述第一表面，其中所述第一保护层具有第一开口和第二开口，所述第一开口显露所述第一电极，且所述第二开口显露所述第二电极。所述第一互连金属位于所述第一保护层的所述第一开口。所述第二互连金属位于所述第一保护层的所述第二开口。所述再分布层邻接于所述第一保护层，且电连接所述第二互连金属。所述第二保护层覆盖所述再分布层和所述第一保护层。本揭露的另一方面涉及一种制造方法。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法包含以下步骤:(a)提供衬底，所述衬底具有第一表面、第二表面和至少一第一导电通孔，所述至少一第一导电通孔显露于所述第一表面；(b)依序形成第一导电层、绝缘层和第二导电层于所述衬底的所述第一表面上，其中所述第一导电层接触所述至少一第一导电通孔；(C)去除部分所述绝缘层和所述第二导电层，以分别形成至少一中间绝缘层和至少一第二电极；(d)去除部分所述第一导电层，以形成至少一第一电极，其中所述第一电极、所述中间绝缘层和所述第二电极形成电容器，所述第一电极的面积大于所述中间绝缘层或所述第二电极的面积，且所述第一电极接触所述至少一第一导电通孔；(e)形成第一保护层于所述电容器和所述衬底的所述第一表面上，其中所述第一保护层具有第一开口和第二开口，所述第一开口显露所述第一电极，且所述第二开口显露所述第二电极；(f)形成连接垫和再分布层于所述第一保护层上，且分别形成第一互连金属和第二互连金属于所述第一开口和所述第二开口，其中所述连接垫位于所述第一互连金属上，所述再分布层位于所述第二互连金属上；(g)形成第二保护层于所述连接垫、所述再分布层和所述第一保护层上；以及(h)从所述衬底的第二表面薄化所述衬底，以显露所述至少一第一导电通孔。【附图说明】图1显示本专利技术半导体装置的一实施例的剖视示意图；图2到14显示本专利技术半导体装置的制造方法的一实施例的示意图；图15显示本专利技术半导体装置的另一实施例的剖视示意图；图16到17显示本专利技术半导体装置的制造方法的另一实施例的示意图；图18显示本专利技术半导体装置的另一实施例的剖视示意图；图19到21显示本专利技术半导体装置的制造方法的另一实施例的示意图；图22显示本专利技术半导体装置的另一实施例的剖视示意图；以及图23显示本专利技术半导体装置的另一实施例的剖视示意图。【具体实施方式】参考图1，显示本专利技术半导体装置的一实施例的剖视示意图。所述半导体装置I包含衬底10、至少一电容器27、第一保护层28、第一互连金属42、第二互连金属44、第三互连金属46、电感器36、连接垫40、再分布层38、第二保护层48、多个第一金属层54以及至少一导电装置62。衬底10具有第一表面101、第二表面102、第一孔洞103、第二孔洞104、导电金属105、第一导电通孔106以及第二导电通孔107。在本实施例中，衬底10为玻璃衬底，导电金属105为铜，且填满第一孔洞103和第二孔洞104以分别形成第一导电通孔106和第二导电通孔107,其中第一导电通孔106和第二导电通孔107显露于衬底10的第一表面101和第二表面102。电容器27位于衬底10的第一表面101,且包含第一电极161、中间绝缘层201和第二电极221。中间绝缘层201夹设于第一电极161与第二电极221之间,且第一电极161的面积大于中间绝缘层201或第二电极221的面积,且第一电极161接触第一导电通孔106。在本实施例中，第一电极161包括部分第一金属121和部分障蔽层141。部分障蔽层141位于部分第一金属121与衬底10的第一表面101之间。部分第一金属121的材质为招铜(AlCu)，部分障蔽层141的材质为钛(Ti)。中间绝缘层201的材质为五氧化二钽(Ta2O5)，第二电极221的材质为铝铜(AlCu)。第一保护层28覆盖电容器27和衬底10的第一表面101,且具有第一开口 281、第二开口 282和第三开口 283。第一开口 281显露第一电极161，第二开口 282显露第二电极221，且第三开口 283显露第二导电通孔107。本实施例中，第一保护层28为非感光性高分子聚合物，例如:苯并环丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚酰亚胺(Polyimide, PI)或环氧树脂(Epoxy) ο第一互连金属42位于第一保护层28的第一开口 281中，第二互连金属44位于第一保护层28的第二开口 282中，且第三互连金属46位于第一保护层28的第三开口 283中。本实施例中，第一互连金属42、第二互连金属44和第三互连金属46的材质为铜。电感器36位于第一保护层28上，且电连接第一互连金属42。连接垫40位于第一保护层28上，电连接到电感器36，且位于第一互连金属42上。再分布层38位于第一保护层28上，且位于第二互连金属44和第三互连金属46上。因此，连接垫40经由第一互连金属42电连接到第一电极161，再分布层38经由第二互连金属44电连接到第二电极221，且所述再分布层38经由第三互连金属46电连接到第二导电通孔107。在本实施例中，电感器36、连接垫40和再分布层38皆包含第三金属34和第一晶种层30，其中第一晶种层30为钛铜(TiCu)，且第三金属34为铜(Cu)。然而，可以理解的是，第一晶种层30可以被省略，SP，此位置的第三金属34即为电感器36、连接垫40和再分布层38。第二保护层48覆盖电感器36、连接垫40、再分布层38以及第一保护层28，且具有多个开口 481以显露连接垫40和再分布层38。本实施例中，第二保护层48为非感光性高分子聚合物，例如:苯并环丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚酰亚胺(Polyimide, PI)或环氧树脂(Epoxy) ο第一金属层54位于第二保护层48的开口 481内以电连接连接垫40和再分布层38。在本实施例中，第一金属层54包含第四金属52和第二晶种层50,其中第二晶种层50为钛铜(TiCu)，且第四金属52为铜(Cu)。然而，可以理解的是，第二晶种层50可以被省略，即，此位置的第四金属52即当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包含：衬底，其具有第一表面、第二表面及至少一第一导电通孔，所述至少一第一导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面及所述第二表面；至少一电容器，其位于所述衬底的第一表面，所述电容器包含第一电极、中间绝缘层及第二电极，其中所述第一电极的面积大于所述中间绝缘层或所述第二电极的面积，且所述第一电极接触所述至少一第一导电通孔；第一保护层，其覆盖所述至少一电容器及所述衬底的所述第一表面，其中所述第一保护层具有第一开口和第二开口，所述第一开口显露所述第一电极，且所述第二开口显露所述第二电极；第一互连金属，其位于所述第一保护层的所述第一开口；第二互连金属，其位于所述第一保护层的所述第二开口；再分布层，其邻接于所述第一保护层，且电连接所述第二互连金属；以及第二保护层，其覆盖所述再分布层和所述第一保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，李德章，李宝男，陈纪翰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71