正电极副栅线结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种正电极副栅线结构，包括若干根副栅线，副栅线在水平方向上均匀的平行排列着，副栅线之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；且每两根栅线之间通过边线连接；副栅线的起始头端与结束尾端分别按回路连接；且边线距离硅片边缘1～2mm，副栅线与边线的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。通过改变副栅线的分布方式来增加光生载流子数量，最大限度地降低了金属电极的遮光面积，提高了短路电流，减少了烧结过程中造成的金属复合，增加了开路电压，最终提升了转换效率。同时，本专利的副栅线设计也减少了银浆的使用，极大限度地降低了电池生产成本，有望降低单块太阳能电池片的售价，提高经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种正电极副栅线结构，属于太阳能电池领域。
技术介绍
太阳能电池发射极会通过丝网印刷印上一层金属电极，而对于受光照面积影响很大的太阳能电池片来说，太多的副栅线会增大遮光面积,遮光面积的增加会导致光生载流子数量的降低，最终降低短路电流，并且太多的银浆和电池片接触面积会增加烧结过程中造成的金属复合，导致开路电压降低；而栅线太少，将会加大载流子从发射极流向电极的距离，减少电子的有效传导，使得串联电阻增加，短路电流降低。同时，用于制作正电极的银浆成本很高，这将使得太阳能电池生产成本一直很难降低。现如今网版或太阳能电池生产厂家设计在太阳能电池片的受光面设置多根平行的细栅线和与细栅线垂直的主栅线,细栅线均匀分布,相邻细栅线之间的间距为1～3mm，每条细栅线的两端都连在边线上，边线是围绕电池片一圈的细栅线，其结构如图1和图2所示：正电极副栅线的分布方式为电池片的四边均设计有连续的细栅线，而相互平行排列的副栅线将于边线相链接，用于将四周的电子传导给主栅线。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术提供一种能有效减少遮光面积以及提升转换效率的正电极副栅线结构。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种正电极副栅线结构，包括若干根副栅线，所述副栅线在水平方向上均匀的平行排列着，所述副栅线之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；且副栅线之间每两根栅线之间通过边线连接；所述副栅线的起始头端与结束尾端分别按回路连接；所述副栅线的边线距离硅片边缘1～2mm，且副栅线与边线的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。r>作为本技术的进一步改进，所述副栅线的线宽为30um～50um，烧宽为40um～70um。作为本技术的进一步改进，所述副栅线与边线的倒角直角边长为0.5mm～1.5mm,倒角角度α为45°±10ˊ。作为本技术的进一步改进，所述副栅线的根数为60～130根，且其间距为1mm～3mm。本技术的有益效果是：本专利通过改变副栅线的分布方式来增加光生载流子数量，在不影响电子的有效传导的前提下，最大限度地降低了金属电极的遮光面积，提高了短路电流，并且通过减小银浆和电池片的接触面积减少了烧结过程中造成的金属复合，增加了开路电压，最终提升了转换效率。同时，本专利的副栅线设计也减少了银浆的使用，极大限度地降低了电池生产成本，有望降低单块太阳能电池片的售价，提高经济 效益。附图说明图1是现有技术的结构示意图；图2是现有技术副栅边线局部结构放大图；图3是本技术的结构示意图；图4是图3的副栅边线局部结构放大图；图5-1是本技术三组实验各电性能对比结果图5-2是本技术三组实验中正常电极设计与专利技术电极的湿重折线图；图5-3是本技术三组实验的效率对比折线图；其中：1、副栅线，2、边线。具体实施方式下面结合附图对本技术进行进一步的阐述。如图3至图4所示，一种正电极副栅线结构，包括若干根副栅线1，所述副栅线1在水平方向上均匀的平行排列着，所述副栅线1之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；且副栅线1之间每两根栅线之间通过边线2连接；所述副栅线1的起始头端与结束尾端分别按回路连接；所述副栅线1的边线2距离硅片边缘1mm～2mm，且副栅线1与边线2的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致；且所述副栅线与边线的倒角直角边长为0.5mm～1.5mm,倒角角度α为45°±10ˊ。所述副栅线的线宽为30um～50um，烧宽为40um～70um。所述副栅线的根数为60～130根，且其间距为1mm～3mm。实验过程本实验通过现有正电极网版和本专利技术设计的实验网版进行对比实验，分为实验1、实验2和实验3，分别选取不同订单的三组经PECVD镀膜后的156多晶硅片，每组各3600片进行对比。因避免不同硅片的差异，在丝网前充分进行了打散，即尽可能排除因硅片差异而影响实验结果的准确性。实验过程中镀膜后硅片通过Baccini丝网印刷机印刷背电极、铝背场和正电极、再经过Centrotherm链式烧结炉烧结，最后经Baccini测试分选机测试分选并记录测试数据。实验结果与结论下表为进行的三次对比实验的电性能对比结果，图5-1、图5-2、图5-3为各参数的折线图。表1对比实验的电性能对比结果从三组实验的表格和折线图统计结果可看出，三组实验批的开路电压Uoc比正常批都高，平均要高0.7mV，短路电流Isc平均要比正常批高0.023A，但串联电阻Rs比正常批高了0.08Ω，导致填充因子FF低了0.07％，但最终效率有明显提高，实验批的光电转换效率比正常的平均提高了0.06％，其 中实验批湿重较正常批轻了0.002g。本专利技术专利在提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率上效果明显，且有效降低了单片硅片的银浆损耗，节约了生产成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正电极副栅线结构，其特征在于：包括若干根副栅线(1)，所述副栅线(1)在水平方向上均匀的平行排列着，所述副栅线(1)之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；且副栅线(1)之间每两根栅线之间通过边线(2)连接；所述副栅线(1)的起始头端与结束尾端分别按回路连接；所述副栅线(1)的边线(2)距离硅片边缘1mm～2mm，且副栅线(1)与边线(2)的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。

【技术特征摘要】
1.一种正电极副栅线结构，其特征在于：包括若干根副
栅线(1)，所述副栅线(1)在水平方向上均匀的平行排列着，
所述副栅线(1)之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；
且副栅线(1)之间每两根栅线之间通过边线(2)连接；所述
副栅线(1)的起始头端与结束尾端分别按回路连接；所述副
栅线(1)的边线(2)距离硅片边缘1mm～2mm，且副栅线(1)
与边线(2)的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一
致。
2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆东开，樊选东，钱明星，关统州，钱小芳，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32