低聚苯胺化合物制造技术

技术编号:11754149 阅读:146 留言:0更新日期:2015-07-22 02:34
式(1)所示的具有三苯基胺结构的任何低聚苯胺化合物,当在OLED器件或PLED器件中使用时显示出令人满意的发光效率和亮度性能,而且在有机溶剂中的溶解性令人满意以致可应用于各种涂布方法。(R1和R2各自独立地为氢原子、任选取代的一价烃基、叔丁氧羰基等;R3~R34各自独立地为氢原子、羟基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰氨基、硝基、任选取代的一价烃基等;m和n各自为大于或等于1的整数,条件是它们满足m+n≤20的关系)。

【技术实现步骤摘要】
低聚苯胺化合物本申请是申请日为2008年4月9日、申请号为200880019761.4、专利技术名称为“低聚苯胺化合物”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及低聚苯胺化合物,更具体地,涉及具有三苯基胺结构的低聚苯胺化合物、该化合物作为电荷传输材料的使用和含有该化合物的电荷传输清漆。
技术介绍
已有报道,设置酞菁铜(CuPC)层作为空穴注入层的低分子量有机电致发光(后文简称为OLED)器件,以改善起始特性如降低的驱动电压和增大的发光效率并且改善寿命特性(非专利文献1:AppliedPhysicsLetters,U.S.,1996,vol.69,p.2160-2162)。还有报道,如果具有聚合物发光材料的有机电致发光(后文简称为PLED)器件设有聚苯胺类材料(专利文献1:JP-A3-273087;非专利文献2:Nature,U.K.,1992,vol.357,p.477-479)或者聚噻吩类材料(非专利文献3:AppliedPhysicsLetters,U.S.,1998,vol.72,p.2660-2662)的薄膜形式的空穴传输层,它会产生与OLED器件相同的效果。最近已经发现,由高度可溶的低分子量低聚苯胺类材料或者低聚噻吩类材料,能制备完全溶解在有机溶剂中的均相溶液形式的电荷传输清漆。根据报道,将该清漆制成要放置于有机电致发光(后文简称为有机EL)器件中的空穴注入层,使得下面的衬底变平或者得到的EL器件显现出良好的特性(专利文献2:JP-A2002-151272;专利文献3:WO2005/043962小册子)。低分子量低聚化合物本征上具有低粘度以致于它形成普通有机溶剂的溶液,由于它的窄加工范围,其通过涂布(例如旋转涂布、喷墨涂布和喷射涂布)和在各种条件下的烘烤来形成高度均匀膜上困难。但是,作为使用另外的溶剂以调整粘度、沸点和蒸气压的结果,已经可以通过各种涂布方法形成高度均匀的膜(专利文献4:WO2004/043117小册子;专利文献5:WO2005/107335小册子)。如上所述,使用低分子量低聚化合物用于有机EL器件中的空穴注入层最近已成为常规的实践。但是,仍要求低分子量低聚化合物改善溶解性以使得它容易地适应于各种涂布方法,例如旋涂、喷墨涂布和喷涂。还要求进一步改善有机EL器件所需要的电导率以及发光效率和亮度特性。特别地,在发光效率和亮度特性上的改善对OLED器件和PLED器件都是重要的。对空穴注入层所要求的特性包括将空穴注入发光层的能力、阻挡来自发光层的电子的能力和防止发光层中激子失活的能力。这些功能大大地影响着上述有机EL器件的发光效率和亮度特性。因此,对实现优异功能的空穴注入层用低分子量低聚化合物存在着需求。顺带提及,已有报道称,如果有机EL器件具有由掺混有硅烷化合物的导电聚合物(例如聚苯乙烯磺酸和聚苯胺)的组合物形成的薄膜,它就具有延长的寿命(参见专利文献6)。但是,对于将硅烷化合物加入含有低分子量化合物的电荷传输清漆的实例,却没有任何报道。专利文献1:JP-A3-273087专利文献2:JP-A2002-151272专利文献3:WO2005/043962小册子专利文献4:WO2004/043117小册子专利文献5:WO2005/107335小册子专利文献6:JP-A2003-45667非专利文献1:AppliedPhysicsLetters,U.S.,1996,vol.69,p.2160-2162非专利文献2:Nature,U.K.,1992,vol.357,p.477-479非专利文献3:AppliedPhysicsLetters,U.S.,1998,vol.72,p.2660-2662
技术实现思路
专利技术解决的问题考虑到以上内容完成了本专利技术。本专利技术的目的为提供低聚苯胺化合物,当应用于OLED器件或PLED器件时其显现出良好的发光效率和亮度特性,并且其在有机溶剂中还具有良好的溶解性,这使其可应用于各种涂布方法。解决问题的手段为实现上述目的深入研究的结果,本专利技术人发现在分子链两端均具有三苯基胺结构的低聚苯胺化合物在有机溶剂中具有良好的溶解性,显现出与接受电荷的材料组合使用时显著的电荷传输能力,以及用作有机EL器件的空穴注入层时高发光效率和良好的亮度特性。此发现产生了本专利技术。即,本专利技术包括以下内容:1.低聚苯胺化合物,其由式(1)表示。[化学式1](其中R1和R2各自独立地表示氢原子、取代或未取代的一价烃基、叔丁氧羰基或苄氧羰基;R3~R34各自独立地表示氢原子、羟基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰氨基、硝基、取代或未取代的一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、磺基或卤素原子;并且m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤20。)2.以上段落1中所述的低聚苯胺化合物,其中R1和R2各自独立地表示氢原子或叔丁氧羰基;R3~R34各自独立地表示氢原子、取代或未取代的一价烃基、有机氧基、有机氨基或卤素原子;并且m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤10。3.以上段落2中所述的低聚苯胺化合物,其中R3~R34各自独立地表示氢原子、取代或未取代的一价烃基、或卤素原子;并且m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤5。4.以上段落2中所述的低聚苯胺化合物,其中由R3~R34的任一个表示一价烃基为苯基、联苯基、萘基或者取代或未取代的芳基胺。5.以上段落2中所述的低聚苯胺化合物,其中卤素原子为氟原子。6.醌二亚胺化合物,其是以上段落1中所述的低聚苯胺化合物的氧化体。7.电荷传输清漆,其含有以上段落1~5任一项中所述的低聚苯胺化合物或以上段落6中所述的醌二亚胺化合物。8.以上段落7中所述的电荷传输清漆,其还含有接受电子的掺杂物质或接受空穴的掺杂物质。9.以上段落8中所述的电荷传输清漆,其中接受电荷的掺杂物质为式(2)所示的芳基磺酸衍生物。[化学式2][其中,X表示O、S或NH;A表示可以具有除了X和n个SO3H基以外的取代基的萘环或蒽环;并且B表示取代或未取代的烃基、1,3,5-三嗪基或者取代或未取代的由式(3)或(4)表示的基团;n表示与A连接的磺酸基的数目,其是满足1≤n≤4的整数;并且q表示B连接X的数目,其是满足1≤q的整数。][化学式3](其中W1和W2各自独立地表示O、S、S(O)基和S(O2)基中的任意之一、或者取代或未取代的N、Si、P和P(O)基中的任意之一)10.以上段落7~9任一项中所述的电荷传输清漆,其还含有至少一种硅烷化合物。11.以上段落10中所述的电荷传输清漆,其溶解在有机溶剂中。12.以上段落11中所述的电荷传输清漆,其有机溶剂含有0.0001~10wt%的水。13.以上段落10~12任一项中所述的电荷传输清漆,其中含有的硅烷化合物的量为其固体总量的1~50wt%。14.以上段落10~13任一项中所述的电荷传输清漆,其中硅烷化合物为选自二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物、四烷氧基硅烷化合物和有机硅化合物中的至少一种。15.以上段落14中所述的电荷传输清漆,其中硅烷化合物是三烷氧基硅烷化合物。16.以上段落15中所述的电荷传输清漆,其中三烷氧基硅烷由式(27)表示。Y1Si(OY2)3(27)(其中Y1表示卤素原子、本文档来自技高网
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【技术保护点】
电荷传输清漆,其含有式(1)表示的低聚苯胺化合物,[化学式1]其中R1和R2表示氢原子;R3~R34各自独立地表示氢原子、羟基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰氨基、硝基、取代或未取代的一价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、磺基或卤素原子;并且m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤20。

【技术特征摘要】
2007.04.12 JP 2007-104410;2007.08.27 JP 2007-219311.电荷传输清漆,其含有式(1)表示的低聚苯胺化合物,其中R1和R2表示氢原子;R3~R34各自独立地表示氢原子、未被取代或被卤素原子取代的苯基、未被取代或被卤素原子取代的联苯基、未被取代或被卤素原子取代的萘基、未被取代或被卤素原子取代的二苯基氨基、或卤素原子;并且m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤10。2.权利要求1所述的电荷传输清漆,其中m和n各自表示不小于1的整数且满足m+n≤5。3.权利要求1所述的电荷传输清漆,其中卤素原子为氟原子。4.权利要求1所述的电荷传输清漆,其中R3~R34表示氢原子。5.权利要求1~4任一项所述的电荷传输清漆,其中低聚苯胺化合物的分子量的分散度为1。6.权利要求1~4任一项所述的电荷传输清漆,其还含有接受电子的掺杂物质或接受空穴的掺杂物质。7.权利要求6所述的电荷传输清漆,其中所述接受电子的掺杂物质为由式(2)表示的芳基磺酸衍生物,其中,X表示O、S或NH;A表示可以具有除了X和n个SO3H基以外的取代基的萘环或蒽环;并且B表示取代或未取代的烃基、1,3,5-三嗪基或者取代或未取代的由式(3)或(4)表示的基团;n表示与A连接的磺酸基的数目,其是满足1≤n≤4的整数;并且q表示B与X连接的数目,其是满足1≤q的整数,其中W1和W2各自独立地表示O、S、S(O)基和S(O2)基的任一个,或者取代或未取代的N、Si、P和P(O)基的任一个。8.权利要求5所述的电荷传输清漆,其还含有至少一种硅烷化合物。9.权利要求8所述的电荷传输清漆,其溶解在有机溶剂中。10.权利要求9所述的电荷传输清漆,其有机溶剂含有0.0001~10wt%的水。11.权利要求8所述的电荷传输清漆,其中含有的所述硅烷化合物的量为其固体总量的1~50wt%。12.权利要求8所述的电荷传输清漆,其中所述硅烷化合物为选自二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物、四烷氧基硅烷化合物和硅酮化合物中的至少一种。13.权利要求12所述的电荷传输清漆,其中所述硅烷化合物是三烷氧基硅烷化合物。14.权利要求13所述的电荷传输清漆,其中所述三烷氧基硅烷由式(27)表示,Y1Si(OY2)3(27)其中Y1表示卤素原子、氢原子、或者可以被Z取代的C1-12烷基、C2-12烯基、C2-12炔基、芳基或杂芳基中的任意之一,并且Y2表示C1-12烷基,Z表示卤素原子、氢原子、C1-12卤代烷基、C1-12烷基、羟基、巯基、氨基、C1-12卤代烷氧基、C1-12烷氧基、C2-12烯基、C2-12卤代烯基、C2-12炔基、C2-12卤代炔基、C1-12烷基硫基、C1-12单烷基氨基、C1-12二烷基氨基、缩水甘油氧基、C1-12烷基羰基、C2-12烯基羰基、C2-12炔基羰基、C1-12烷基羰氧基、C2-12烯基羰氧基、C2-12炔基羰氧基、芳基、卤代芳基、杂芳基或卤代杂芳基。15.权利要求14所述的电荷传输清漆,其中所述Z表示卤素原子、氢原子、C1-12卤代烷基、C1-12烷基、C2-12烯基、C2-12卤代烯基、C2-12炔基、C2-12卤代炔基、芳基、卤代芳基、杂芳基或卤代杂芳基。16.权利要求14所述的电荷传输清漆,其中所述Y1表示氟原子、氢原子、或者可以被Z取代的C1-12烷基、C2-12烯基、C2-12炔基、芳基和杂芳基中的任意之一;并且所述Z表示卤素原子、氢原子、C1-12卤代烷基、C1-12烷基、C2-12烯基、C2-12卤代烯基、C2-12炔基、C2-12卤代炔基、芳基、卤代芳基、杂芳基或卤代...

【专利技术属性】
技术研发人员:山田智久吉本卓司
申请(专利权)人:日产化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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