在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法技术

一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片，控片的正面和背面都经过抛光处理，或者控片的背面经过化学槽的化学清洗处理后，使其背面的光亮度大于80光泽单位。本发明专利技术可以消除控片对位于控片下方晶圆的影响，使位于控片下方的晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度和特性都与其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜一致，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法。
技术介绍
在沉积温度>600°C的批量式沉积多晶硅薄膜制程中，要设置控片来检测产品质量和设备运转情况，晶圆竖直层叠排列，每隔一批晶圆之间，设置一片控片。进行多晶硅薄膜批量沉积后，发现位于控片下方的产品晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度和多晶硅膜的特性明显不同于其他位置的产品晶圆表面的多晶硅薄膜。如图1所示，位于控片下方的产品晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度明显比其他位置的产品晶圆表面的多晶硅薄膜要薄很多。位于控片下方的产品晶圆表面的多晶硅薄膜的干法刻蚀速率也要快于其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜的干法刻蚀速率。这就大大降低了产品的良率。
技术实现思路
本专利技术提供的一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，可以消除控片对位于控片下方晶圆的影响，使位于控片下方的晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度和特性都与其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜一致，提高了产品良率。为了达到上述目的，本专利技术提供一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片；所述的控片的正面和背面都经过抛光处理。双面抛光的控片的正面和反面抛光都要求到达镜面状态。本专利技术还提供一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片；所述的控片的背面经过化学槽的化学清洗处理后，使其背面的光亮度大于80光泽单位。所述的化学清洗分为酸洗，以及酸+碱洗。本专利技术可以消除控片对位于控片下方晶圆的影响，使位于控片下方的晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度和特性都与其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜一致，提高了产品良率。附图说明图1是
技术介绍
中批量式多晶硅沉积制程中获得的晶片的多晶硅薄膜厚度表。图2是在批量式多晶硅沉积制程中采用了本专利技术的方法后获得的晶片的多晶硅薄膜厚度表。具体实施方式以下根据图2，具体说明本专利技术的较佳实施例。本专利技术提供一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片。所述的控片的正面和背面都经过抛光处理。双面抛光的控片的双面都使用晶园抛光机进行抛光, 正面和反面抛光都要求到达镜面状态；或者，所述的控片的背面经过化学槽的化学清洗处理后，使其背面的光亮度大于80光泽单位；所述的化学清洗分为酸洗，以及酸+碱洗。如图2所示，是在批量式多晶硅沉积制程中采用了本专利技术的方法后获得的晶片的多晶硅薄膜厚度表，从表中看出，使用了经过特殊处理的晶圆作为控片后，位于控片下方的晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度都与其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜一致，提高了产品良率。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本专利技术的保护范围应由所附的权利要求来限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，其特征在于，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片；所述的控片的正面和背面都经过抛光处理。

【技术特征摘要】
1.一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，其特征在于，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片；
所述的控片的正面和背面都经过抛光处理。
2.如权利要求1所述的在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，其特征在于，双面抛光的控片的正面和反面抛光都要求到达镜面状态。
3.一种在批量...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凌越，陈广伦，王慧，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31