功率器件合封的LED驱动电路封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构，其包括：基岛一、降压型恒流驱动主芯片、基岛二及功率MOS管等，所述基岛一上还设有续流二极管，所述续流二极管的阴极直接通过导电胶与所述基岛一相连接，阳极作为对外连接脚。本封装结构通过对元件进行合理的布局，使得主控芯片除了能够封装降压型恒流驱动主芯片和功率MOS管之外，还封装有续流二极管，从而使得最终产品体积缩小，生产成本降低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED驱动电路封装结构，特别是涉及一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构。
技术介绍
随着LED 灯具走进千家万户，对灯具效率和成本的要求也越来越高。目前市面的LED 电源存在零件多、体积大等缺点。如图3所示，常见的降压结构开关电路一般包括：整流桥301、输入电解电容302、第一启动电阻303、第二启动电阻304、芯片供电电容305、电流调节电阻306、功率电感307、输出滤波电容308、主控芯片310、续流二极管312及LED负载309，其中主控芯片310内封装有降压型恒流驱动主芯片和功率MOS管113，所述降压型恒流驱动主芯片为通用的降压结构开关电路主控芯片，其主要通过控制所述功率MOS管113的导通和关断来实现LED恒流驱动功能。但是，如果所述主控芯片310采用上述封装结构，其还需要续流二极管312等外围电路的配合才能最终实现其恒流驱动功能，如此会造成最终的产品体积较大、生产成本高等问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构，该封装结构通过对元件进行合理的布局，使得主控芯片除了能够封装降压型恒流驱动主芯片和功率MOS管之外，还封装有续流二极管，从而使得最终产品体积缩小，生产成本降低。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构，该封装结构包括：主控芯片，所述主控芯片包括：基岛一，所述基岛一上设有降压型恒流驱动主芯片；基岛二，所述基岛二上设有功率MOS管，所述功率MOS管的漏极直接通过导电胶与所述基岛二相连接，所述功率MOS管的其余两极连入所述降压型恒流驱动主芯片, 所述降压型恒流驱动主芯片控制所述功率MOS管的导通和关断；所述基岛一上还设有续流二极管，所述续流二极管的阴极直接通过导电胶与所述基岛一相连接，阳极作为对外连接脚。进一步，所述的功率器件合封的LED驱动电路封装结构中，所述主控芯片包括：续流二极管正极脚、电流设置脚、供电脚、漏极脚及接地脚，所述续流二极管正极脚与所述续流二极管的阳极连接，所述续流二极管的阴极在芯片内部与所述接地脚相连接；所述电流设置脚与所述功率MOS管的源极相连；所述供电脚为主控芯片供电；所述漏极脚与所述功率MOS管的漏极相连，所述功率MOS管导通时所述漏极脚和电流设置脚之间便导通；所述接地脚作为所述主控芯片的基准地。进一步，所述的功率器件合封的LED驱动电路封装结构还包括以下外部电路：整流桥、输入电解电容、第一启动电阻、第二启动电阻、芯片供电电容、电流调节电阻、功率电感、输出滤波电容及LED负载；所述整流桥对交流输入电压信号进行整流后经过所述输入电解电容进行滤波储能，随后通过所述第一启动电阻、第二启动电阻及芯片供电电容为所述主控芯片供电，所述主控芯片通过所述功率MOS管和电流设置电阻对所述功率电感充电，最后通过所述输出滤波电容为所述LED负载供电。进一步，所述的功率器件合封的LED驱动电路封装结构中，所述第一启动电阻和第二启动电阻合并为一个电阻。本技术的优点是，本技术所涉及的功率器件合封的LED驱动电路封装结构包括：基岛一、降压型恒流驱动主芯片、基岛二及功率MOS管等，所述基岛一上还设有续流二极管，所述续流二极管的阴极直接通过导电胶与所述基岛一相连接，阳极作为对外连接脚。本封装结构通过对元件进行合理的布局，使得主控芯片除了能够封装降压型恒流驱动主芯片和功率MOS管之外，还封装有续流二极管，从而使得最终产品体积缩小，生产成本降低。附图说明图1为本技术功率器件合封的LED驱动电路封装结构的电路图；图2为图1中所示的主控芯片的内部封装结构图；图3为现有的降压结构开关电路的电路图。具体实施方式为进一步揭示本技术的技术方案，兹结合附图详细说明本技术的实施方式：本技术功率器件合封的LED驱动电路封装结构的专利技术构思如下：本技术功率器件合封的LED驱动电路封装结构是基于现有的降压结构开关电路开发的。如图3所示，图3为现有的降压结构开关电路的电路图，图中的主控芯片310内封装有降压型恒流驱动主芯片和功率MOS管，图3中的主控芯片310内封装的降压型恒流驱动主芯片和本技术中的降压型恒流驱动主芯片111在实现时均可采用现有通用的降压结构开关电路主芯片。下面结合图1和图2，详细说明作为本技术实施例的LED驱动电路封装结构的电路组成和连接关系。图1为本技术功率器件合封的LED驱动电路封装结构的电路图，图中包括：整流桥101、输入电解电容102、第一启动电阻103、第二启动电阻104、芯片供电电容105、电流调节电阻106、功率电感107、输出滤波电容108、主控芯片110及LED负载109；所述整流桥101对交流输入电压信号进行整流后经过所述输入电解电容102进行滤波储能，随后通过所述第一启动电阻103、第二启动电阻104及芯片供电电容105为所述主控芯片110供电，给降压型恒流驱动主芯片111提供正常工作电压，所述降压型恒流驱动主芯片111通过内部的所述功率MOS管113和所述电流设置电阻106对所述功率电感107充电，同时所述电流设置电阻106用于设置LED驱动电路的输出电流。最后通过所述输出滤波电容108为所述LED负载109供电。图2为图1中所示主控芯片的内部封装结构图。图2中所示的主控芯片110内部包括：基岛一115，所述基岛一115上设有降压型恒流驱动主芯片111；基岛二114，所述基岛二114上设有功率MOS管113，所述功率MOS管113的漏极直接通过导电胶与所述基岛二114相连接, 所述降压型恒流驱动主芯片111控制所述功率MOS管113的导通和关断，所述功率MOS管113的其余两极连入所述降压型恒流驱动主芯片111；所述基岛一115上还设有续流二极管112，所述续流二极管112的阴极直接通过导电胶与所述基岛一115相连接，阳极作为对外连接脚。所述降压型恒流驱动主芯片111包括：续流二极管正极脚P、电流设置脚CS、供电脚VDD、漏极脚DRAIN及接地脚GND，所述续流二极管正极脚P与所述续流二极管112的阳极连接，所述续流二极管112的阴极在芯片内部与所述接地脚GND相连接；所述电流设置脚CS与所述功率MOS管113的源极相连；所述供电脚VDD为所述主控芯片110供电；所述漏极脚DRAIN与所述功率MOS管113的漏极相连，所述功率MOS管113导通时所述漏极脚DRAIN和电流设置脚CS之间便导通；所述接地脚GND作为所述主控芯片110的基准地。具体地，如图2所示，所述主控芯片110包括：续流二极管正极脚P、电流设置脚CS、供电脚VDD、漏极脚DRAIN及接地脚GND：(1)P脚即第1脚，该脚是所述主控芯片110内部续流二极管112的阳极，所述续流二极管112的阴极在所述主控芯片110内部与所述接地脚GND相连接。(2)CS脚即第3脚，该脚通过所述电流调节电阻106接地。(3)VDD脚即第4脚，该脚通过所述所述芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构，该封装结构包括：主控芯片（110），所述主控芯片（110）包括：基岛一（115），所述基岛一（115）上设有降压型恒流驱动主芯片（111）；基岛二（114），所述基岛二（114）上设有功率MOS管（113），所述功率MOS管（113）的漏极直接通过导电胶与所述基岛二（114）相连接, 所述功率MOS管（113）的其余两极连入所述降压型恒流驱动主芯片（111）,所述降压型恒流驱动主芯片（111）控制所述功率MOS管（113）的导通和关断；其特征在于，所述基岛一（115）上还设有续流二极管（112），所述续流二极管（112）的阴极直接通过导电胶与所述基岛一（115）相连接，阳极作为对外连接脚。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件合封的LED驱动电路封装结构，该封装结构包括：主控芯片（110），所述主控芯片（110）包括：基岛一（115），所述基岛一（115）上设有降压型恒流驱动主芯片（111）；基岛二（114），所述基岛二（114）上设有功率MOS管（113），所述功率MOS管（113）的漏极直接通过导电胶与所述基岛二（114）相连接, 所述功率MOS管（113）的其余两极连入所述降压型恒流驱动主芯片（111）,所述降压型恒流驱动主芯片（111）控制所述功率MOS管（113）的导通和关断；其特征在于，所述基岛一（115）上还设有续流二极管（112），所述续流二极管（112）的阴极直接通过导电胶与所述基岛一（115）相连接，阳极作为对外连接脚。
2.根据权利要求1所述的功率器件合封的LED驱动电路封装结构，其特征在于，所述主控芯片（110）包括：续流二极管正极脚（P）、电流设置脚（CS）、供电脚（VDD）、漏极脚（DRAIN）及接地脚（GND），所述续流二极管正极脚（P）与所述续流二极管（112）的阳极连接，所述续流二极管（112）的阴极在芯片内部与所述接地脚（GND）相连接；所述电流设置脚（CS）与所述功率MOS管（113）的源极相连；所述供电脚（VDD）为主控芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨全，边彬，季国庆，陈畅，
申请(专利权)人：苏州智浦芯联电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32