一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决在位于显示面板周边区域的测试元件进行TFT特性测试，而导致测试结果无法真实反映像素单元内TFT特性的问题。所述阵列基板包括多个像素单元，像素单元内设置有TFT以及像素电极和公共电极，像素电极与TFT的漏极相连接，所述像素电极位于公共电极的下方；至少一个像素单元还设置有测试图案，测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，测试图案暴露于阵列基板的表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。TFT-LCD主要由阵列基板和彩膜基板构成。在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过控制液晶的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板的滤光作用，实现彩色图像显不。现有TFT-1XD的制作工艺主要包括四个阶段，分别为彩膜基板制备、Array (阵列基板制作)工艺、Cell (液晶盒制备)工艺以及Module (模块组装)工艺。作为TFT-1XD生产的一个重要环节，Array工艺通常是在一张玻璃基板上形成独立的TFT阵列电路，阵列电路的质量将直接影响产品的显示质量。然而，在实际生产过程中，阵列基板会因为其制作环境或者工艺水平等因素的影响，使其出现Mura(斑痕)、暗点、色差等不良现象，从而严重影响显示器件的显示效果。因此，为了避免上述不良现象的产生，可以通过测试设备对TFT特性进行测试，例如测试TFT的开启电流Im、关断电流Itjff以及TFT对温度或光照的敏感度等性能参数。现有技术中，可以对位于显示面板周边区域的测试元件进行测试。然而该测试元件得到的数据并不能直接、真实的反映出阵列基板上各个像素单元内实际的TFT特性，因此会降低测试结果的精确程度。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够解决在位于显示面板周边区域的测试元件进行TFT特性测试，而导致测试结果无法真实反映像素单元内TFT特性的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元内设置有TFT以及异层设置的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述TFT的漏极相连，所述像素电极位于所述公共电极的下方；其特征在于，至少一个所述像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面。本专利技术实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。本专利技术实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括:步骤一、在基板上通过Array工艺形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；步骤二、在至少一个像素电极上方，形成与至少覆盖所述像素电极的一部分的测试图案，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面；步骤三、在形成有上述结构的基板表面，形成公共电极。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括多个像素单元，该像素单元内异层设置有TFT、以及像素电极和公共电极，像素电极与TFT的漏极相连接，所述像素电极位于公共电极的下方。其中，至少一个像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖像素电极的一部分，在测试过程中，该测试图案可以暴露于阵列基板的表面。这样一来，可以使得测试探针与测试图案直接接触，又因为测试图案覆盖像素电极的一部分，因此测试图案与像素电极电连接，从而使得测试探针可以直接对像素单元内的TFT的性能进行测试，而无需对外围区域的TFT测试，进而提高了测试数据的准确性。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为图1中的一种A-A’截面图；图3为图1中的另一种B-B’截面图；图4a为图1中的又一种B-B’截面图图4b为图4a的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；图6为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制作方法流程图；图7为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的制作方法流程图。【附图说明】:01-阵列基板；02-衬底基板；10-像素单元；101-像素电极；102-公共电极；103-测试图案；1031-第一连接层；1032_第二连接层；104_钝化层；105_第一过孔；108-第二过孔;106-第三过孔;107-间隙;20-栅线;21-公共电极线;22_数据线。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板01，如图1所示，可以包括多个像素单元10，所述像素单元10内设置有TFT以及异层设置有像素电极101和公共电极102。像素电极101与TFT的漏极相连接，该像素电极101位于公共电极102的下方；其中，至少一个像素单元10还设置有测试图案103，测试图案103至少覆盖像素电极101的一分部，在测试过程中，该测试图案103暴露于阵列基板01的表面，从而可以将测试探针与测试图案103直接接触，以对该像素单元10中TFT的特性进行测试。需要说明的是，第一，本专利技术实施例中的上方、下方是阵列基板01中的各个薄膜层相对于衬底基板02的距离的远近而言的。具体的，例如像素电极101位于公共电极102的下方是指，像素电极101与衬底基板02之间的距离小于公共电极102与衬底基板02之间的距离。其中，所述衬底基板02可以是玻璃基板或其它材料构成的透明基板。第二、当像素电极101位于公共电极102下方时，像素电极101可以为平面状结构，公共电极102可以为狭缝状结构。这样一来，可以构成AD-SDS(Advanced-SuperDimens1nal Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型液晶显示装置。具体的AD-SDS技术通过平面状的像素电极101边缘所产生的平行电场以及像素电极101与公共电极102间产生的纵向电场形成多维电场，使得显示装置中的液晶盒上，对应狭缝状的公共电极102的狭缝之间的取向液晶分子，以及像素电极101上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了取向液晶分子的工作效率并增大了透光效率。因此，AD-SDS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。本专利技术的以下实施例均是以构成AD-SDS模式显示装置的阵列基板为例进行的说明。第三、为了避免测试图案对显示装置开口率的影响，因此可以将测试图案103设置在不透光的区域，例如，当阵列基板01上设置有栅线20，以及与该栅线紧邻且平行于栅线20的公共电极线21时，可以将测试图案103设置于栅线20或公共电极线21的正上方。或者，如图1所示，测试图案103设置于栅线20与公共电极线21之间。这样一来，即可以通过测试图案103实现对像素电极101的测试，又可以避免测试图案103对显本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元内设置有TFT以及异层设置的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述TFT的漏极相连，所述像素电极位于所述公共电极的下方；其特征在于，至少一个所述像素单元还设置有测试图案，所述测试图案至少覆盖所述像素电极的一部分，在测试过程中，所述测试图案暴露于所述阵列基板的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄式强，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34