本发明专利技术公开了一种NAND Flash接口的访问方法及装置，定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口；在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作，按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集；在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步骤2)中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。本发明专利技术的方法无需设计逻辑电路，通过定义的指令，来控制接口的变化，来实现访问NAND颗粒接口；本发明专利技术定义的指令可以支持访问现有的NAND颗粒，通过这些指令的组合，也能应对未来NAND flash发展中出现的新情况，而不用重新添加硬件来实现，极大地节约了时间和成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种NAND Flash接口的访问方法及装置。
技术介绍
NAND flash存储器（即NAND)具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据 的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。在一个系统中要对NAND进行读写的话，需 要一个硬件控制器，把系统的读写转换成NAND颗粒定义的接口下的读写。图1是NAND颗 粒的接口示意图，其中RE和DQS是差分信号。图2是系统对NAND颗粒读写的结构示意图。 随着各大NAND flash厂商的不断发展，使得NAND flash的种类繁多。从接口上 看有异步接口，togglel，toggle2, 0NFI2, 0NFI3 这五种接口定义。toggle2 和 0NFI3 基本 一样。 图3是toggle2接口定义下，写数据进颗粒的NAND接口信号图示。图4是异步接 口定义下，写数据进颗粒的NAND接口信号图示。对比可以看出，时序要求和信号的变化不 一样。为了能支持访问这两种接口定义的NAND颗粒，目前的做法是在硬件逻辑设计的时 候，添加对应的逻辑控制部分。在不同的NAND颗粒厂商（MICRON, HYNIX，TOSHIBA...)之间， 对于相同的操作会有不同的操作流程，所以还要添加对应颗粒厂商的电路控制逻辑。如图 5所示，还想支持更多的颗粒种类，就需要添加控制逻辑到硬件电路。 按照现有做法，每次需要适配新的NAND Flash接口特性时，就要往控制器芯片添 加逻辑电路，使得电路设计越来越复杂，不利于维护。还可能存在不能在原设计上再添加逻 辑电路支持新功能的风险。这些缺点对产品的研发会带来时间和成本上的巨大开销。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种NAND Flash接口的 访问方法及装置，使得芯片能够快速适应现有各种类型NAND flash颗粒，也能应对未来 NAND flash发展中出现的新情况，而不用重新添加硬件来实现，节约时间和成本。 为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种NAND Flash接口的访问 方法，包括以下步骤： 1)定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口； 2)在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作和上述定义的指令，按照NAND颗粒接 口的协议准备好指令集； 3)在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步 骤2)中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。 所述定义的指令如下：【主权项】1. 一种NAND Flash接口的访问方法，其特征在于，包括以下步骤： 1) 定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口； 2) 在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作和上述定义的指令，按照NAND颗粒接口的协 议准备好指令集； 3) 在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步骤2) 中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。2. 根据权利要求1所述的NAND Flash接口的访问方法，其特征在于，所述定义的指令 如下〇3. -种NAND Flash接口的访问装置，其特征在于，包括： 应用层CPU :用于根据要实现的NAND颗粒操作和定义的一系列的操作NAND颗粒的接 口的指令，按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集，并将所述指令集传送给物理层的操作 码译码器； 操作码译码器：用于在物理层解析上述指令集，驱动NAND颗粒的接口，控制接口时序， 并执行应用层CPU传送的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。4. 根据权利要求3所述的NAND Flash接口的访问装置，其特征在于，所述操作码译码 器与写数据缓冲器、读数据缓存器连接。【专利摘要】本专利技术公开了一种NAND Flash接口的访问方法及装置，定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口；在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作，按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集；在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步骤2)中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。本专利技术的方法无需设计逻辑电路，通过定义的指令，来控制接口的变化，来实现访问NAND颗粒接口；本专利技术定义的指令可以支持访问现有的NAND颗粒，通过这些指令的组合，也能应对未来NAND flash发展中出现的新情况，而不用重新添加硬件来实现，极大地节约了时间和成本。【IPC分类】G06F3-06【公开号】CN104750430【申请号】CN201510092758【专利技术人】祝博, 马翼, 田达海 【申请人】湖南国科微电子有限公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2015年3月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种NAND Flash接口的访问方法，其特征在于，包括以下步骤：1)定义一系列的指令操作NAND颗粒的接口；2)在应用层，根据要实现的NAND颗粒操作和上述定义的指令，按照NAND颗粒接口的协议准备好指令集；3)在物理层解析指令集，驱动NAND颗粒的接口，并且控制接口时序，执行所述步骤2)中的指令集，实现NAND颗粒接口的访问。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：祝博，马翼，田达海，
申请(专利权)人：湖南国科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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