用于FFS模式的液晶显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于FFS模式的液晶显示面板及其制作方法，该面板包括：基板；栅线，其设置于基板上；栅绝缘层，其设置于栅线及裸露的基板上；数据线，其设置于栅绝缘层上并与栅线交叉；薄膜晶体管，其设置于栅绝缘层上并与数据线连接；公共电极线，其设置于栅绝缘层上；第一钝化层，其设置于薄膜晶体管、数据线、公共电极线和裸露的栅绝缘层上；像素电极，其设置于第一钝化层上并呈面状且与薄膜晶体管连接；第二钝化层，其设置于像素电极上；公共电极，其设置于第二钝化层上并呈条状且与公共电极线连接。本发明专利技术可以降低FFS液晶显示面板的能耗，并能提高FFS液晶显示面板的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体地说，涉及一种用于FFS模式的液晶显示面板及其制作方法。
技术介绍
在现有的改善LCD (Liquid Crystal Display，液晶显示器)画质的技术中，FFS(Fringe Field Switching，边界电场切换)技术能同时实现液晶显示面板的高穿透性与大视角，因此备受相关业者的高度重视。但是，如何降低FFS液晶显示面板的能耗及提高FFS液晶显示面板的生产率一直是业内人士关心的问题。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种用于FFS模式的液晶显示面板及其制作方法。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于FFS模式的液晶显示面板，包括:基板；栅线，其设置于所述基板上；栅绝缘层，其设置于所述栅线及裸露的基板上；数据线，其设置于所述栅绝缘层上并与所述栅线交叉；薄膜晶体管，其设置于所述栅绝缘层上并与所述数据线连接；公共电极线，其设置于所述栅绝缘层上；第一钝化层，其设置于所述薄膜晶体管、所述数据线、所述公共电极线和裸露的栅绝缘层上；像素电极，其设置于所述第一钝化层上并与所述薄膜晶体管连接；第二钝化层，其设置于所述像素电极上；公共电极，其设置于所述第二钝化层上并与所述公共电极线连接。根据本专利技术的一个实施例，所述像素电极设置有分别对应所述薄膜晶体管和所述公共电极线的开口。根据本专利技术的一个实施例，所述像素电极上对应所述公共电极线的开口处设置有经由所述第一钝化层和所述第二钝化层的第二接触孔，以使得所述公共电极通过所述第二接触孔与所述公共电极线连接。根据本专利技术的一个实施例，在所述第一钝化层上设置有第一接触孔，以使得所述像素电极经由所述第一接触孔与所述薄膜晶体管连接。根据本专利技术的一个实施例，所述第二钝化层的厚度为1500-2000埃，所述第一钝化层的厚度为2000-4000埃。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种用于制作FFS模式的液晶显示面板的方法，包括:在基板上形成栅线；在所述栅线及裸露的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成数据线、公共电极线及对应所述栅线的薄膜晶体管，其中，在形成所述薄膜晶体管的源漏极时，在所述栅绝缘层上同时形成所述公共电极线及与所述薄膜晶体管连接的所述数据线；在所述薄膜晶体管、所述数据线、所述公共电极线及裸露的栅绝缘层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成第一接触孔，并涂敷导电材料形成像素电极，其中，所述像素电极通过所述第一接触孔与所述薄膜晶体管连接；在所述像素电极上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成第二接触孔，并涂敷导电材料形成公共电极，其中，所述公共电极通过所述第二接触孔与所述公共电极线连接。根据本专利技术的一个实施例，在形成所述像素电极时包括形成分别对应所述薄膜晶体管和所述公共电极线的开口。根据本专利技术的一个实施例，在所述像素电极上对应所述公共电极线的开口处形成经由所述第一钝化层和所述第二钝化层的所述第二接触孔。根据本专利技术的一个实施例，所述第二钝化层的厚度为1500-2000埃，所述第一钝化层的厚度为2000-4000埃。根据本专利技术的一个实施例，所述第二钝化层的厚度和第一钝化层的厚度通过控制成膜时间实现。本专利技术的有益效果:本专利技术可以降低FFS液晶显不面板的能耗，并能提尚FFS液晶显不面板的生广效率。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:图1为根据本专利技术的一个实施例的液晶显示面板的结构图;以及图2为根据本专利技术的一个实施例的方法流程图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。如图1所示为根据本专利技术的一个实施例的液晶显示面板的结构图，以下参考图1来对本专利技术进行详细说明。如图1所示，该液晶显示面板包括在基板13上形成的栅线1、栅绝缘层2、薄膜晶体管、数据线(未示出)、公共电极线16、第一钝化层8、像素电极7、第二钝化层9及公共电极6。同时，为表明该液晶显示面板的完整结构，图1也示出彩膜板及液晶层17，该彩膜板包括彩膜基板14、彩色层11、黑矩阵层12、彩膜板公共电极15和取向层10，但该部分属于现有技术范畴，所以不加详述。其中，在基板13上设置有栅线1，栅绝缘层2设置于栅线I及裸露的基板13上。在栅绝缘层2上设置有数据线、薄膜晶体管和公共电极线16，其中，数据线与栅线I交叉设置以形成像素区域，同时，数据线与薄膜晶体管连接。在薄膜晶体管、数据线、公共电极线16和裸露的栅绝缘层2上设置有第一钝化层8。在第一钝化层8上设置有像素电极7，该像素电极7呈面状且与薄膜晶体管连接。该第一钝化层8将像素电极7与薄膜晶体管、数据线和公共电极线16隔离开。在像素电极7上设置有第二钝化层9，在该第二钝化层9上设置有公共电极6，该公共电极6呈条状并与公共电极线16连接。在本专利技术的一个实施例中，像素电极7上设置有对应公共电极线16的第一开口72，如图1中箭头标注所示。其中，对应公共电极线16的第一开口 72用于形成连接公共电极6和公共电极线16的第二接触孔61。在该第一开口 72位置形成的第二接触孔61经由第二钝化层9和第一钝化层8到达公共电极线16。该接触孔与像素电极7之间有第一钝化层材料绝缘，用于避免公共电极6与像素电极7接触。同时，像素电极7上在与薄膜晶体管相对的位置也设置有第二开口 73，如图1中箭头标注所示。该开口区域不设置像素电极以尽量避免覆盖薄膜晶体管，并且与该第二开口72相对应的第二钝化层9上也不设置公共电极6，从而避免像素电极7或公共电极6供电时的电场影响薄膜晶体管。由于像素电极7设置于第一钝化层8上，薄膜晶体管设置于第一钝化层8下，所以在像素电极7和薄膜晶体管连接处设置经由第一钝化层8的第一接触孔71，通过该第一接触孔71实现连接像素电极7与薄膜晶体管。在本专利技术中，栅绝缘层2上先形成第一钝化层8，然后在第一钝化层8上形成像素电极7。相较于在栅绝缘层2上直接形成像素电极7，本专利技术将像素电极7的设置位置抬高，使其更接近公共电极6。由于电场强度E与距离d呈反比，即E = V/d，E为像素电极与公共电极间的电压。减少公共电极与像素电极之间的距离山即可以提高电场强度E。提高电场强度E后，达到相同效果的液晶分子旋转所需要的电压V会降低，因此可以降低液晶显示面板的耗电量，有利于低碳环保。在本专利技术的实施例中，为减少公共电极6与像素电极7之间的距离，在保证公共电极6和像素电极7之间良好绝缘的情况下，可以将公共电极6和像素电极7之间的第二钝化层9的厚度设置的尽可能小。在本专利技术的一个实施当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于FFS模式的液晶显示面板，包括：基板；栅线，其设置于所述基板上；栅绝缘层，其设置于所述栅线及裸露的基板上；数据线，其设置于所述栅绝缘层上并与所述栅线交叉；薄膜晶体管，其设置于所述栅绝缘层上并与所述数据线连接；公共电极线，其设置于所述栅绝缘层上；第一钝化层，其设置于所述薄膜晶体管、所述数据线、所述公共电极线和裸露的栅绝缘层上；像素电极，其设置于所述第一钝化层上并与所述薄膜晶体管连接；第二钝化层，其设置于所述像素电极上；公共电极，其设置于所述第二钝化层上并与所述公共电极线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵国，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44